ZXTP2029F
100V ， SOT23 ， PNP中等功率晶体管
摘要
V
（ BR ） CEV
> -130V ，V
（ BR ） CEO
> -100V
I
C（ CONT ）
= -3A
R
CE （ SAT ）
= 45m
P
D
= 1.2W
补充部分号码： ZXTN2020F
典型
V
CE （ SAT ）
< -80mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常适合
以应用在空间是十分宝贵的。
特点
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
130V正向阻断电压
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
DC- DC转换器
高边开关
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP2029FTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3,000
器件标识
953
第2期 - 2005年9月
捷特科股份有限公司2005
1
www.zetex.com
ZXTP2029F
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(a)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
（ BR ） CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-130
-130
-100
-7.0
-5
-3
-1
1.0
8.0
1.2
9.6
1.56
12.5
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
Rθ
JA
Rθ
JA
Rθ
JA
价值
125
104
80
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
注意事项：
（一）安装在18毫米X 18毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（二）安装以30mm X 30毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（三）正如上文（b）在t<5secs测量。
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极截止
当前
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEV
分钟。
-130
-130
-100
-7.0
典型值。
-160
-160
-120
-8.3
-20
-20
-10
100
100
40
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
220
200
75
-20
-60
-135
-180
基射极饱和
电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
-0.90
-0.81
150
39
33
344
2%.
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
条件
I
C
=-100A
I
C
= -1μA ， 1V> V
BE
>-0.3V
I
C
=-10mA
(a)
I
E
=-100A
V
CE
=-100V,
V
BE
= 1V
V
CB
=-100V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(a)
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -3A ，V
CE
=-2V
集电极 - 基极截止电流I
CBO
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流
传输比
I
EBO
H
FE
300
-30
-80
-180
-250
-1.00
-0.90
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
(a)
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
(a)
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-400mA
(a)
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA
(a)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -100mA ，V
CE
=-10V,
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-1A,
I
B1
=I
B2
=-100mA
注意事项：
（一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
第2期 - 2005年9月
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100V ， SOT23 ， PNP中等功率晶体管
摘要
V
（ BR ） CEV
> -130V ，V
（ BR ） CEO
> -100V
I
C（ CONT ）
= -3A
R
CE （ SAT ）
= 45m
P
D
= 1.2W
补充部分号码ZXTN2020F
典型
V
CE （ SAT ）
< -80mV @ -1A
描述
先进过程能力和封装设计已被用来
最大限度地发挥这一小尺寸的功率处理能力和性能
晶体管。紧凑的尺寸和该装置的收视率使其非常适合
以应用在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
更高的功耗SOT23封装
峰值电流
低饱和电压
130V正向阻断电压
E
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
DC- DC转换器
高边开关
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP2029FTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
8mm
QUANTITY每卷
3,000
器件标识
953
第3期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTP2029F
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
(a)
基极电流
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
A
=25
o
C
(c)
线性降额因子
工作和存储温度
符号
V
CBO
V
（ BR ） CEV
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-130
-130
-100
-7.0
-5
-3
-1
1.0
8.0
1.2
9.6
1.56
12.5
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
符号
Rθ
JA
Rθ
JA
Rθ
JA
价值
125
104
80
单位
o
o
o
C / W
C / W
C / W
注意事项：
（一）安装在18毫米X 18毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（二）安装以30mm X 30毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件非常高覆盖率的2盎司重量的铜。
（三）正如上文（b）在t<5secs测量。
第3期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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ZXTP2029F
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极截止
当前
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEV
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEV
分钟。
-130
-130
-100
-7.0
典型值。
-160
-160
-120
-8.3
-20
-20
-10
100
100
40
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE （ SAT ）
220
200
75
-20
-60
-135
-180
基射极饱和
电压
基射极导通电压
跃迁频率
输出电容
延迟timetime
上升时间
贮存时间
下降时间
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
t
(d)
t
(r)
t
（ STG ）
t
(f)
-0.90
-0.81
150
39
21
12
410
35
2%.
马克斯。
单位
V
V
V
V
nA
nA
nA
条件
I
C
=-100μA
I
C
= -1μA ， 1V> V
BE
>-0.3V
I
C
=-10mA
(a)
I
E
=-100μA
V
CE
=-100V,
V
BE
= 1V
V
CB
=-100V
V
EB
=-6V
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V
(a)
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -3A ，V
CE
=-2V
集电极 - 基极截止电流I
CBO
发射极 - 基极截止电流
静态正向电流
传输比
I
EBO
H
FE
300
-30
-80
-180
-250
-1.00
-0.90
mV
mV
mV
mV
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
(a)
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA
(a)
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA
(a)
I
C
= -4A ，我
B
=-400mA
(a)
I
C
= -3A ，我
B
=-300mA
(a)
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V
(a)
IC = -100mA ，V
CE
=-10V,
f=50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-1A,
I
B1
=I
B2
=-100mA
注意事项：
（一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300 S.占空比
第3期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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