ZXMN6A07Z
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 0.4
I
D
= 1.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT89
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT89封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A07ZTA
REEL
SIZE
7”
TAPE
宽度
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
器件标识
7N6
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN6A07Z
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
1.9
1.5
1.4
6
2.4
6
1.5
12
2.6
21
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN6A07Z
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
1.0
0.3
2.3
60
1.0
60
3.0
0.40
0.55
S
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 60V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 1.8A
V GS = 4.5V ， I D = 1.3A
V DS = 15V ， I D = 1.8A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
国际空间站
OSS
RSS
克FS
166
19.5
8.7
pF
pF
pF
V DS = 40 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
1.8
1.4
4.9
2.0
1.65
3.2
0.67
0.82
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 30V ，V GS = 10V ，
I D = 1.8A
V DS = 30V ，V GS = 5V
I D = 1.8A
V DD = 30V ， I D = 1.8A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
0.85
20.5
21.3
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 1.5A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.0A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
ZXMN6A07Z
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
2.5
2.0
1.9
6.8
3.3
6.8
1.5
12
2.6
21
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
极限
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第8期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
2
www.zetex.com
ZXMN6A07Z
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
60
1
100
1.0
3.0
0.250
0.350
2.3
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.8A
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
166
19.5
8.7
pF
pF
pF
1.8
1.4
4.9
2.0
1.65
3.2
0.67
0.82
0.80
20.5
21.3
0.95
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.8A
R
G
≈
6.0
V
DS
= 30V, V
GS
= 5V
I
D
= 1.8A
nC
nC
nC
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 0.45A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 1.8A,
的di / dt = 100A / S
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.8A
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
第8期 - 2007年1月
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绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
2.5
2.0
1.9
6.8
3.3
6.8
1.5
12
2.6
21
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
极限
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
60
1
100
1.0
3.0
0.250
0.350
2.3
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.8A
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
门源阈值电压V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
166
19.5
8.7
pF
pF
pF
1.8
1.4
4.9
2.0
1.65
3.2
0.67
0.82
0.80
20.5
21.3
0.95
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.8A
R
G
≈
6.0
V
DS
= 30V, V
GS
= 5V
I
D
= 1.8A
nC
nC
nC
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 0.45A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 1.8A,
的di / dt = 100A / S
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.8A
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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