【ZXTP2009Z40V PNP HIGH GAIN LOW MEDIUM饱和功率晶体管在SOT89】,IC型号ZXTP2009Z,ZXTP2009Z PDF资料,ZXTP2009Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXTP2009Z

40V PNP HIGH GAIN LOW MEDIUM饱和功率晶体管

在SOT89

摘要

BV

首席执行官

= -40V ，R

SAT

= 29米;我

C

= -5.5A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和40V PNP晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用

开关和各种驱动和电源管理功能。

特点

导通电阻非常低的等效

5.5安培连续电流

截至15安培峰值电流

极低的饱和电压

< -60mV @ -1A

SOT89

应用

直流 - 直流转换器

MOSFET栅极驱动器

充电电路

电源开关

电机控制

订购信息

设备

ZXTP2009ZTA

REEL

SIZE

7”

TAPE

宽度

12mm

单位数量

REEL

1000台

引脚

器件标识

53Z

顶视图

第1期 - 2005年6月

1

半导体

ZXTP2009Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

工作和存储温度范围

T

j

, T

英镑

(d)

(a)

(b)

符号

BV

CBO

BV

CBS

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

P

D

P

D

极限

-50

-40

-7.5

-5.5

-15

0.9

7.2

1.5

12

2.1

16.8

3

24

-55到150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(b)

在T功耗

A

=25°C

(c)

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

结到环境

(d)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

R

JA

价值

139

83

60

42

单位

° C / W

笔记

(a)

对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

（三）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

（ d）对设备表面安装在t 5秒测量25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB 。

第1期 - 2005年6月

半导体

2

ZXTP2009Z

特征

第1期 - 2005年6月

3

半导体

ZXTP2009Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

分钟。

-50

-40

-7.5

典型值。

-90

-58

-8.3

1

-15

-44

-50

-120

-70

-125

-130

-162

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

200

170

110

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

d

t

r

t

s

t

r

开关时间

t

d

t

r

t

s

t

r

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

-820

-1000

-778

-869

390

350

290

175

152

53

18

17

325

60

55

107

264

103

300秒;占空比

2%.

ns

I

C

= -2A ，V

CC

=-30V,

I

B1

=I

B2

=-20mA

550

-20

-30

-60

-70

-165

-80

-175

-185

-900

-1075

-850

-950

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=-100 A

I

C

=-100 A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100 A

V

CB

=-40V

V

CB

=-32V

V

EB

=-6V

I

C

= -0.1A ，我

B

=-10mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-50mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-10mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-200mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-40mA*

I

C

= -3.5A ，我

B

=-175mA*

I

C

= -5.5A ，我

B

=-550mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-40mA*

I

C

= -5.5A ，我

B

=-550mA*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -5.5A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V*

I

C

= -0.5A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -5.5A ，V

CE

=-2V*

兆赫我

C

= -50mA ，V

CE

=-10V

f=100MHz

pF

ns

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的*

I

C

= -1A ，V

CC

=-10V,

I

B1

=I

B2

=-100mA

第1期 - 2005年6月

半导体

4

ZXTP2009Z

典型特征

第1期 - 2005年6月

5

半导体

ZXTP2009Z

40V PNP HIGH GAIN LOW MEDIUM饱和功率晶体管

在SOT89

摘要

BV

首席执行官

= -40V ，R

SAT

= 29米;我

C

= -5.5A

描述

打包在SOT89概述这一新的低饱和40V PNP晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路，线路使用

开关和各种驱动和电源管理功能。

特点

导通电阻非常低的等效

5.5安培连续电流

截至15安培峰值电流

极低的饱和电压

< -60mV @ -1A

SOT89

应用

直流 - 直流转换器

MOSFET栅极驱动器

充电电路

电源开关

电机控制

订购信息

设备

ZXTP2009ZTA

REEL

SIZE

7”

TAPE

宽度

12mm

单位数量

REEL

1000台

引脚

器件标识

53Z

顶视图

第1期 - 2005年6月

1

半导体

ZXTP2009Z

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

工作和存储温度范围

T

j

, T

英镑

(d)

(a)

(b)

符号

BV

CBO

BV

CBS

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

P

D

P

D

极限

-50

-40

-7.5

-5.5

-15

0.9

7.2

1.5

12

2.1

16.8

3

24

-55到150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

(b)

在T功耗

A

=25°C

(c)

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

结到环境

(d)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

R

JA

价值

139

83

60

42

单位

° C / W

笔记

(a)

对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。

（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

（三）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。

（ d）对设备表面安装在t 5秒测量25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB 。

第1期 - 2005年6月

半导体

2

ZXTP2009Z

特征

第1期 - 2005年6月

3

半导体

ZXTP2009Z

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

分钟。

-50

-40

-7.5

典型值。

-90

-58

-8.3

1

-15

-44

-50

-120

-70

-125

-130

-162

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

200

170

110

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

d

t

r

t

s

t

r

开关时间

t

d

t

r

t

s

t

r

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

-820

-1000

-778

-869

390

350

290

175

152

53

18

17

325

60

55

107

264

103

300秒;占空比

2%.

ns

I

C

= -2A ，V

CC

=-30V,

I

B1

=I

B2

=-20mA

550

-20

-30

-60

-70

-165

-80

-175

-185

-900

-1075

-850

-950

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=-100 A

I

C

=-100 A

I

C

=-10mA*

I

E

=-100 A

V

CB

=-40V

V

CB

=-32V

V

EB

=-6V

I

C

= -0.1A ，我

B

=-10mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-100mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-50mA*

I

C

= -1A ，我

B

=-10mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-200mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-40mA*

I

C

= -3.5A ，我

B

=-175mA*

I

C

= -5.5A ，我

B

=-550mA*

I

C

= -2A ，我

B

=-40mA*

I

C

= -5.5A ，我

B

=-550mA*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -5.5A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -10mA ，V

CE

=-2V*

I

C

= -0.5A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -2A ，V

CE

=-2V*

I

C

= -5.5A ，V

CE

=-2V*

兆赫我

C

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CE

=-10V

f=100MHz

pF

ns

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的*

I

C

= -1A ，V

CC

=-10V,

I

B1

=I

B2

=-100mA

第1期 - 2005年6月

半导体

4

ZXTP2009Z

典型特征

第1期 - 2005年6月

5

半导体