ZMM1B...ZMM200B
硅平面齐纳二极管
在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。齐纳
电压是根据国际E 24分级
标准。更小的电压容差和更高的齐纳电压
可应要求提供。
LL-34
这些二极管，可以在DO-35的情况下与式
指定BZX55B
绝对最大额定值（ TA = 25
o
C)
符号
功耗
结温
存储温度范围
1)
价值
500
1)
单位
mW
O
P
合计
T
j
T
S
175
-55到+175
C
C
O
有效的条件是电极被保持在环境温度
特点在T
AMB
= 25
o
C
符号
热阻
结到环境空气
1)
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
0.3
1)
单位
K /毫瓦
R
THA
有效的条件是电极被保持在环境温度
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM1B...ZMM200B
齐纳电压范围
1)
TYPE
3)
动态电阻
r
ZJT
<8
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<75
<60
<35
<25
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<26
<30
<40
<50
<55
<55
<80
<80
<80
<80
<80
<90
<90
<110
<125
<135
<150
<200
<250
<300
<450
<450
<600
<800
<950
<1250
<1400
<1700
<2000
反向漏电流
T
a
=25
o
C
μA
--
<100
<75
<50
<10
<4
<2
<2
<2
<1
<0.5
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
Vznom
V
0.75
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
为
V
征途2 ）
V
0.73…0.77
1.96…2.04
2.15…2.25
2.35…2.45
2.64…2.75
2.94…3.06
3.23…3.36
3.52…3.67
3.82…3.98
4.21…4.39
4.60…4.80
4.99…5.20
5.49…5.71
6.07…6.32
6.66…6.94
7.35…7.65
8.04…8.36
8.92…9.28
9.8…10.2
10.8…11.2
11.8…12.2
12.7…13.3
14.7…15.3
15.7…16.3
17.6…18.4
19.6…20.4
21.6…22.5
23.5…24.5
26.4…27.6
29.4…30.6
32.3…33.7
35.2…36.8
38.2…39.8
42.1…43.9
46.0…48.0
49.9…52.1
54.8…57.2
60.7…63.3
66.6…69.4
73.5…76.5
80.3…83.7
89.1…92.9
98.0…102.0
107.8…112.2
117.6…122.4
127.4…132.6
147.0…153.0
156.8…163.2
176.4…183.6
196.0…204.0
r
张家口
在我
ZK
mA
<50
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<550
<450
<200
<150
<50
<50
<50
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<500
<500
<600
<700
<700
<1000
<1000
<1000
<1500
<2000
<5000
<5000
<5500
<6000
<6500
<7000
<8500
<10000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
a
= 125
o
C
μA
--
<200
<160
<100
<50
<40
<40
<40
<40
<20
<10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
I
R
在V
R
V
--
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
温度系数
齐纳电压
TKvz
%/K
-0.26...-0.23
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.06...-0.03
-0.05...+0.02
-0.02...+0.02
-0.05...+0.05
0.03...0.06
0.03...0.07
0.03...0.07
0.03...0.08
0.03...0.09
0.03...0.1
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
ZMM 1B
ZMM 2B0
ZMM 2B2
ZMM 2B4
ZMM 2B7
ZMM 3B0
ZMM 3B3
ZMM 3B6
ZMM 3B9
ZMM 4B3
ZMM 4B7
ZMM 5B1
ZMM 5B6
ZMM 6B2
ZMM 6B8
ZMM 7B5
ZMM 8B2
ZMM 9B1
ZMM 10B
ZMM 11B
ZMM 12B
ZMM 13B
ZMM 15B
ZMM 16B
ZMM 18B
ZMM 20B
ZMM 22B
ZMM 24B
ZMM 27B
ZMM 30B
ZMM 33B
ZMM 36B
ZMM 39B
ZMM 43B
ZMM 47B
ZMM 51B
ZMM 56B
ZMM 62B
ZMM 68B
ZMM 75B
ZMM 82B
ZMM 91B
ZMM 100B
ZMM 110B
ZMM 120B
ZMM 130B
ZMM 150B
ZMM 160B
ZMM 180B
ZMM 200B
1 ）测试与脉冲吨
p
= 20毫秒。
1)
有效的条件是电极被保持在环境温度
该ZMM1是在向前的方向动作的硅二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。连接
2)
阴极电极的负极。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM1B...ZMM200B
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
ZMM3B3 ZMM3B9 ZMM4B7
TJ = 25℃
ZMM1B
o
ZMM6B8
ZMM ...
ZMM2B7
Iz
40
ZMM8B2
ZMM5B6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
ZMM ...
ZMM10B
ZMM12B
Tj=25
o
C
Iz
ZMM15B
20
ZMM18B
ZMM22B
测试电流IZ
5mA
ZMM27B
ZMM33B
ZMM36B
10
0
0
10
20
Vz
30
40 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM1B...ZMM200B
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
10
ZMM51B
ZMM ...
Tj=25
o
C
ZMM39B
Iz
8
ZMM43B
测试电流IZ
5mA
6
ZMM47B
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Vz
70
80
90
100 V
正向特性
受理的功耗
随环境温度
有效的规定，电极保持
在环境温度下。
mA
10
3
ZMM ...
mW
500
ZMM ...
10
2
i
F
10
TJ = 100℃
1
TJ = 25℃
10
-1
o
o
P
合计
400
300
10
-2
200
10
-3
100
-4
10
10
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
V
F
0.8
1V
0
100
200
o
C
T
AMB
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM1B...ZMM200B
脉冲热电阻
与脉冲持续时间
有效的条件是，电极保持
在环境温度下。
K / W
10
3
7
5
5
4
3
2
2
2
4
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
ZMM ...
1000
T
j
=25 C
o
r
THA
r
zj
3
0.5
100
0.2
5
4
10
7
5
4
3
0.1
0.05
3
2
2
0.02
0.01
V=0
10
7
5
4
3
2
10
ZMM1B
5
4
2B7
3B6
4B7
t
p
t
p
V=
T
P
I
3
2
5B1
ZMM5B6
0.1
2
5
T
1
10
-5
10
-4
10
-3
1
1
10 S
1
2
5
10
-2
10
t
p
-1
10
2
5
100mA
Iz
电容与
齐纳电压
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
pF
1000
7
5
ZMM ...
T
j
=25 C
o
100
T
j
=25 C
5
o
r
zj
V
R
=1V
4
3
C
合计
4
3
33B
2
V
R
=2V
2
27B
22B
10
100
7
5
4
3
18B
15B
12B
10B
V
R
=1V
5
4
3
V
R
=2V
2
6B8/8B2
2
ZMM6B2
1
0.1
1
2
3
4 5
2
5
10
10
2
3
4 5
1
2
5
10
2
5
100mA
100V
Iz
在VZ IZ = 5毫安
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM3B9 ... ZMM75B （ 500毫瓦 - 2 ％ ）
ZMM3B9 ... ZMM75B （ 500毫瓦 - 2 ％ ）
表面贴装硅平面稳压二极管
Silizium -平面齐纳Dioden献给死去Oberflchenmontage
版本2007-07-06
最大功率耗散
Maximale Verlustleistung
标称Z-电压
Nominale Z- Spannung
3.5
500毫瓦
3.9...75 V
SOD-80
(DO-213AA)
0.04 g
0.3
玻璃柜MiniMELF
Glasgehuse MiniMELF
重量约。
Gewicht约
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
尺寸 - 集体[MM ]
标准的齐纳电压容差分级，国际E 24标准（ ± 5 ％ ） 。
该设备ZMM3B9 ... ZMM75B专门挑选 ± 2 ％的误差。
其它电压容差和齐纳电压的要求。
模具标准- Toleranz DER Z- Spannung IST gestuft NACH DER internationalen Reihe街E 24 （ ± 5 ％ ） 。
死Reihe街上ZMM3B9 ... ZMM75B北京时间EINE Sonderselektion MIT ± 2 ％ Toleranz 。
企业的其它Toleranzen奥德齐纳Spannungen奥夫Anfrage 。
最大额定值和特性
功耗
Verlustleistung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
T
A
= 25°C
TYPE
典型值
±0.1
0.3
Grenz- UND Kennwerte
P
合计
T
j
T
S
R
THA
500毫瓦
1
)
-50...+175°C
-50...+175°C
＆ LT ; 300 K / W
1
)
齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首
2
1
2
安装在P.C。板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
ZMM3B9 ... ZMM75B （ 500毫瓦 - 2 ％ ）
最大额定值
TYPE
典型值
齐纳电压
2
)
齐纳Spanng 。
2
)
I
Z
= 5毫安
V
ZMIN
[V]
ZMM3B9
ZMM4B3
ZMM4B7
ZMM5B1
ZMM5B6
ZMM6B2
ZMM6B8
ZMM7B5
ZMM8B2
ZMM9B1
ZMM10B
ZMM11B
ZMM12B
ZMM13B
ZMM15B
ZMM16B
ZMM18B
ZMM20B
ZMM22B
ZMM24B
ZMM27B
ZMM30B
ZMM33B
ZMM36B
ZMM39B
ZMM43B
ZMM47B
ZMM51B
ZMM56B
ZMM62B
ZMM68B
ZMM75B
3.81
4.20
4.60
4.99
5.48
6.07
6.65
7.34
8.03
8.91
9.79
10.79
11.79
12.68
14.68
15.68
17.58
19.58
21.58
23.48
26.48
29.38
32.2
35.2
38.1
42.0
46.0
49.9
54.8
60.7
66.5
73.4
V
ZMAX
[V]
3.99
4.40
4.80
5.21
5.72
6.33
6.95
7.66
8.37
9.29
10.21
11.21
12.21
13.32
15.32
16.32
18.42
20.42
22.42
24.52
27.52
30.62
33.8
36.8
39.9
44.0
48.0
52.1
57.2
63.3
69.5
76.6
动态电阻
Inhr 。差异。 Widerstand
r
zj
[ Ω ] ，在f = 1千赫
I
Z
= 5毫安
< 85
<75
< 60
<35
＆ LT ; 25
＆ LT ; 10
<8
<7
<7
＆ LT ; 10
＆ LT ; 15
＆ LT ; 20
＆ LT ; 20
< 26
＆ LT ;三十
＆ LT ; 40
＆ LT ; 50
＆ LT ; 55
＆ LT ; 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
＆ LT ; 90
＆ LT ; 90
< 110
＆ LT ; 125
＆ LT ; 135
＆ LT ; 150
＆ LT ; 200
＆ LT ; 250
I
Z
= 1毫安
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 600
＆ LT ; 550
＆ LT ; 450
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 600
＆ LT ; 700
＆ LT ; 700
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
＆ LT ; 1000
温度。 Coeffic 。
Z-电压
... DER Z- spanng 。
α
VZ
[10
-4
/°C]
-8…-5
-6…-3
-5…+2
-2…+2
-5…+5
+3…+6
+3…+7
+3…+7
+3…+8
+3…+9
+3…+10
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+3…+11
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
+4…+12
Grenzwerte
反向电压。 Z-电流
1
)
Sperrspanng 。 Z-斯特罗姆
1
)
I
R
= 100 nA的
T
A
= 50°C
V
R
[V]
1 (2μA)
1 (1μA)
1 (0.5μA)
1
1
2
3
5
6
7
7
8
9
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
I
ZMAX
[马]
122
109
100
93
83
76
69
63
57
52
47
43
39
35
32
29
26
24
21
20
17
16
14
13
12
11
10
9
8
8
7
6
1
注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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