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ZXTP05120HFF
120V , SOT23F , PNP中功率达林顿晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -120V
I
C( CONT )
= -1A
V
CE ( SAT )
< 1.1V @ 1A
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTN04120HFF
描述
这种高性能PNP达林顿晶体管封装
在小外形SOT23扁平封装应用
在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
达林顿晶体管
120伏
1安培连续电流
小尺寸表面贴装SOT23扁平封装
E
应用
高边驱动器
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP05120HFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1F7
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTP05120HFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流( C)
峰值脉冲电流
基极电流
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-140
-120
-10
-1
-4
-0.5
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTP05120HFF
特征
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
3
www.zetex.com
ZXTP05120HFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
分钟。
-140
-120
-10
典型值。
-170
-140
-16
<-1
-100
-10
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-0.1
<-1
-0.77
-0.9
-1.3
基射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
-1.5
-1.4
3K
3K
3K
2K
跃迁频率
输出电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
14k
11k
10k
8k
150
67
22
556
212
681
304
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
nA
A
A
nA
V
V
V
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
V
CB
= -120V
V
CB
= -120V ,T
AMB
= 100°C
V
CB
= -120V
V
EB
= -8V
I
C
= 250毫安,我
B
= 0.25毫安
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -2A ,我
B
= -2mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -50mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -500mA ,V
CE
= -5V
(*)
集电极 - 基极截止电流I
CBO
-10
-100
-0.9
-1.1
-2.0
-1.7
-1.7
基极 - 发射极导通电压V
BE(上)
静态正向电流
传输比
h
FE
30K
I
C
= -1A ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -2A ,V
CE
= -5V
(*)
兆赫我
C
= -100mA ,V
CE
= -10V
F = 20MHz的
90
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
EB
= -0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -0.5A,
I
B1
= I
B2
= -0.5mA 。
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年5月
捷特科PLC 2007
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ZXTP05120HFF
典型特征
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ZXTP05120HFF
120V , SOT23F , PNP中功率达林顿晶体管
摘要
BV
首席执行官
> -120V
I
C( CONT )
= -1A
V
CE ( SAT )
< 1.1V @ 1A
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTN04120HFF
描述
这种高性能PNP达林顿晶体管封装
在小外形SOT23扁平封装应用
在空间是十分宝贵的。
C
B
特点
达林顿晶体管
120伏
1安培连续电流
小尺寸表面贴装SOT23扁平封装
E
应用
高边驱动器
E
C
B
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXTP05120HFFTA
带尺寸
(英寸)
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1F7
第1期 - 2007年5月
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1
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绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流( C)
峰值脉冲电流
基极电流
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
-140
-120
-10
-1
-4
-0.5
0.84
6.72
1.34
10.72
1.50
12.0
2.0
16.0
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149
93
83
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
(三)安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
( d)由于上述(c)在t<5secs测定。
第1期 - 2007年5月
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ZXTP05120HFF
特征
第1期 - 2007年5月
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ZXTP05120HFF
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压(基本开)
发射极 - 基极击穿
电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
分钟。
-140
-120
-10
典型值。
-170
-140
-16
<-1
-100
-10
集电极 - 发射极截止
当前
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
<-0.1
<-1
-0.77
-0.9
-1.3
基射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
-1.5
-1.4
3K
3K
3K
2K
跃迁频率
输出电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
14k
11k
10k
8k
150
67
22
556
212
681
304
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
nA
A
A
nA
V
V
V
V
V
I
C
= -100 A
I
C
= -10mA
(*)
I
E
= -100 A
V
CB
= -120V
V
CB
= -120V ,T
AMB
= 100°C
V
CB
= -120V
V
EB
= -8V
I
C
= 250毫安,我
B
= 0.25毫安
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -2A ,我
B
= -2mA
(*)
I
C
= -1A ,我
B
= -1mA
(*)
I
C
= -1A ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -50mA ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -500mA ,V
CE
= -5V
(*)
集电极 - 基极截止电流I
CBO
-10
-100
-0.9
-1.1
-2.0
-1.7
-1.7
基极 - 发射极导通电压V
BE(上)
静态正向电流
传输比
h
FE
30K
I
C
= -1A ,V
CE
= -5V
(*)
I
C
= -2A ,V
CE
= -5V
(*)
兆赫我
C
= -100mA ,V
CE
= -10V
F = 20MHz的
90
40
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
EB
= -0.5V , F = 1MHz的
(*)
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
(*)
V
CC
= -10V.
I
C
= -0.5A,
I
B1
= I
B2
= -0.5mA 。
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年5月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXTP05120HFF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
ZXTP05120HFF
ZETEX
15+
99000
SOT23
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
ZXTP05120HFF
DIODES/美台
21+
15000
SOT23F
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ZXTP05120HFF
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▲10/11+
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