ZXMN3A06DN8
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.035
描述
; I
D
= 6.2A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A06D
顶视图
第2期 - 2002年10月
1
ZXMN3A06DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)(d)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
6.2
5.0
4.9
30
3.7
30
1.25
10
1.80
14.5
2.1
17.3
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个主动裸芯片
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年10月
2
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