对产品线
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ZXTD618MC
双路20V NPN低饱和开关晶体管
特点
V
首席执行官
= 20V
R
SAT
= 47m
I
C
= 4.5A的连续集电极电流
低等效导通电阻
低饱和电压（ 150mV的@ 1A ）
h
FE
指定高达6A
铅，卤素和无锑/符合RoHS （注1 ）
“绿色”设备（注2 ）
机械数据
案例： DFN3020B - 3
表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。
终端：预镀镍钯金引线框架。
防火等级94V- 0
标称封装高度： 0.8毫米
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
重量： 0.013克（近似值）
应用
直流 - 直流转换器（ FET驱动器）
充电电路
电源开关
电机控制
DFN3020B-8
顶视图
设备符号
引脚配置
订购信息
产品
ZXTD618MCTA
注意事项：
状态
活跃
包
DFN3020B-8
记号
DBB
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
DBB =产品型号标识代码
圆点表示1脚
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最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（注a和f ）
连续集电极电流（注B和F ）
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
极限
40
20
7.5
12
4.5
5.0
5
单位
V
V
V
A
A
A
A
热特性
特征
在T功耗
A
= 25 ° C（注一及六）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注B和F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注c和f ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注D和F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注D和G ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注E和G ）
线性降额因子
结到环境（注a和f ）
结到环境（注B和F ）
结到环境（注c和f ）
结到环境（注D和F ）
结到环境（注D和G ）
结到环境（注E和G ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
83.3
51
125
111
73.5
41.7
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
一。对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
铜
区域被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
B 。测量在t <5秒为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
。对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
。对于安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
。对于安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
F。用于与一个主动裸芯片的双设备。
克。对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
静态正向电流传输比（注3 ）
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
h
FE
民
40
20
7.5
-
-
-
200
300
200
100
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
-
典型值
100
27
8.2
-
-
-
400
450
360
180
8
90
115
190
210
0.88
0.98
23
140
170
400
最大
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
15
150
135
250
270
0.95
1.05
30
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
-
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 32V
V
EB
= 6V
V
CES
= 16V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
=的200mA， V
CE
= 2V
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
I
C
= 6A ，V
CE
= 2V
I
C
= 0.1A ，我
B
= 10毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
I
C
= 2A ，我
B
= 50毫安
I
C
= 3A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 4.5A ，我
B
= 125毫安
I
C
= 4.5A ，V
CE
= 2V
I
C
= 4.5A ，我
B
= 125毫安
V
CB
= 10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时
F = 100MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
= 3A
I
B1
= I
B2
= 10毫安
集电极 - 发射极饱和电压（注3 ）
V
CE （ SAT ）
mV
基射极导通电压（注3 ）
基射极饱和电压（注3 ）
输出电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
注意事项：
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
V
V
pF
兆赫
ns
ns
脉冲条件下测得的3 。脉冲宽度= 300微秒。占空比
≤
2%
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