SOT323 PNP硅平面
高性能晶体管
规范草案问题上 - 十月94
特点
*极低的饱和电压
* 500mW的功耗
* 1安培的连续集电极电流（I
C
)
应用
非常适合空间/体重的关键应用
ZUMT591
C
B
SOT323
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-80
-60
-5
-2
-1
-200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
分钟。
-80
-60
-5
-100
-100
-100
-0.3
-0.6
-1.2
-1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
= -100μA ，我
E
=-0
I
C
= -10mA * ，我
B
=-0
I
E
= -100μA ，我
C
=-0
V
CB
=-60V
VCE=-60V
V
EB
= -4V ，我
C
=-0
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
IC = -1A ，V
CE
=-5V*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。值班cycle2 ％
ZUMT591
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
静态正向电流
传输比
符号
h
FE
分钟。
100
100
80
15
150
10
典型值。
马克斯。
300
单位
条件。
I
C
= -1mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-5V*
兆赫
pF
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V*
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
跃迁频率
输出继电器容量
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。值班cycle2 ％
记
这个数据被从显影材料衍生的，并不一定意味着该装置将
投产
捷特科股份有限公司2005
欧洲
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
美洲
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的，纽约州11788
美国
电话： （ 1 ） 631 360 2222
传真：（1） 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
亚太地区
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
asia.sales@zetex.com
公司总部
捷特科PLC
Zetex的科技园
Chadderton ，奥尔德姆， OL9 9LL
英国
电话（ 44 ） 161 622 4444
传真： （ 44 ） 161 622 4446
hq@zetex.com
由代理商和分销商的主要国家世界范围内的这些办事处的支持。
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非书面约定由本公司）不得使用，
施加的或重放的任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与该产品的表示
或有关服务。本公司保留不另行通知的规范来改变的权利，
设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
有关最新的产品信息，请登录
www.zetex.com
半导体
SOT323 PNP硅平面
高性能晶体管
规范草案问题上 - 十月94
特点
*极低的饱和电压
* 500mW的功耗
* 1安培的连续集电极电流（I
C
)
应用
非常适合空间/体重的关键应用
ZUMT591
C
B
SOT323
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
-80
-60
-5
-2
-1
-200
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
关闭电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
分钟。
-80
-60
-5
-100
-100
-100
-0.3
-0.6
-1.2
-1.0
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
条件。
I
C
= -100μA ，我
E
=-0
I
C
= -10mA * ，我
B
=-0
I
E
= -100μA ，我
C
=-0
V
CB
=-60V
VCE=-60V
V
EB
= -4V ，我
C
=-0
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
IC = -1A ，V
CE
=-5V*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。值班cycle2 ％
ZUMT591
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
静态正向电流
传输比
符号
h
FE
分钟。
100
100
80
15
150
10
典型值。
马克斯。
300
单位
条件。
I
C
= -1mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-5V*
兆赫
pF
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V*
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
跃迁频率
输出继电器容量
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。值班cycle2 ％
记
这个数据被从显影材料衍生的，并不一定意味着该装置将
投产
捷特科股份有限公司2005
欧洲
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
美洲
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的，纽约州11788
美国
电话： （ 1 ） 631 360 2222
传真：（1） 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
亚太地区
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
asia.sales@zetex.com
公司总部
捷特科PLC
Zetex的科技园
Chadderton ，奥尔德姆， OL9 9LL
英国
电话（ 44 ） 161 622 4444
传真： （ 44 ） 161 622 4446
hq@zetex.com
由代理商和分销商的主要国家世界范围内的这些办事处的支持。
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非书面约定由本公司）不得使用，
施加的或重放的任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与该产品的表示
或有关服务。本公司保留不另行通知的规范来改变的权利，
设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
有关最新的产品信息，请登录
www.zetex.com
半导体
QQ：2881677436 复制
