ZXTD09N50DE6
E6
SuperSOT
双50V NPN硅低饱和开关晶体管
摘要
V
首席执行官
= 50V ;
SAT
= 160米;我
C
= 1A
描述
包含在一个6领先的双NPN低饱和晶体管组合
SOT23封装。每个晶体管的等效ZUMT619设备。
特点
订购信息
设备
ZXTD09N50DE6TA
ZXTD09N50DE6TC
SOT23-6
低等效导通电阻
低饱和电压
I
C
= 1A的连续集电极电流
SOT23-6封装
B1
B2
C1
C2
应用
LCD背光逆变器电路
在DC-DC变换器升压功能
E1
E2
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
C1
E1
C2
顶视图
B1
E2
B2
器件标识
D619
第2期 - 2001年6月
1
ZXTD09N50DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
50
50
5
2
1.0
200
0.90
7.2
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
139
73
113
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第2期 - 2001年6月
2
ZXTD09N50DE6
E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
分钟。
50
50
5
10
10
10
24
60
120
160
940
850
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
215
10
150
425
兆赫
pF
ns
ns
35
80
200
270
1100
1100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
V
CES = 40V
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
集电极 - 发射极截止点我
CES
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
100mA时我
B
= 10毫安*
250毫安，我
B
= 10毫安*
500毫安，我
B
= 10毫安*
1A ，我
B
= 50毫安*
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
转让
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2 V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2 V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10 V，I
C
= 1A
I
B1
=I
B2
=100mA
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年6月
3
ZXTD09N50DE6
E6
SuperSOT
双50V NPN硅低饱和开关晶体管
摘要
V
首席执行官
= 50V ;
SAT
= 160米;我
C
= 1A
描述
包含在一个6领先的双NPN低饱和晶体管组合
SOT23封装。每个晶体管的等效ZUMT619设备。
特点
订购信息
设备
ZXTD09N50DE6TA
ZXTD09N50DE6TC
SOT23-6
低等效导通电阻
低饱和电压
I
C
= 1A的连续集电极电流
SOT23-6封装
B1
B2
C1
C2
应用
LCD背光逆变器电路
在DC-DC变换器升压功能
E1
E2
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
C1
E1
C2
顶视图
B1
E2
B2
器件标识
D619
第2期 - 2001年6月
1
ZXTD09N50DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
50
50
5
2
1.0
200
0.90
7.2
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
139
73
113
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第2期 - 2001年6月
2
ZXTD09N50DE6
E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
分钟。
50
50
5
10
10
10
24
60
120
160
940
850
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
215
10
150
425
兆赫
pF
ns
ns
35
80
200
270
1100
1100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
V
CES = 40V
发射极 - 基极击穿V
（ BR ） EBO
电压
集电极截止电流I
CBO
发射极截止电流
I
EBO
集电极 - 发射极截止点我
CES
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
100mA时我
B
= 10毫安*
250毫安，我
B
= 10毫安*
500毫安，我
B
= 10毫安*
1A ，我
B
= 50毫安*
基射
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
转让
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2 V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2 V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10 V，I
C
= 1A
I
B1
=I
B2
=100mA
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第2期 - 2001年6月
3
QQ：2880707522 复制
