ZXSC100
绝对最大额定值
电源电压
最大电压其他引脚
功耗
MSOP8
SO8
0.3 3.5V
0.3 V
CC
+0.3V
500mW
780mW
工作温度
储存温度
结温
0至70℃
-55到125°C
150°C
电气特性测试条件（除非另有说明）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
I
CC
I
DRIVE
V
DRIVE
V
FB
V
ISENSE
T
CVISENSE
V
DREF
T
CVDREF
V
CC （SRT）
V
CC（分钟）
V
CC （ HYS ）
I
FB
I
ISENSE
V
O（分钟）
V
O（最大值）
参数
静态电流
基极驱动电流
V
DRIVE
O / P电压
反馈电压
输出电流
参考电压
I
SENSE
电压温度合作。
驱动电流参考
电压
V
DREF
临时合作。
启动电压
最小工作
输入电压
供给开始到
关机迟滞
反馈输入电流
I
SENSE
输入电流
最小输出
电压
最大输出
电压
ZXT14N20DX为合格
元素
1
V
ISENSE
= 0V
3
V
CC
20
任何输出负载
1.01
0.926
测得的尊重
到V
CC
20
条件
不转换
V
RE
= V
CC
V
RE
= V
CC
, I
DRIVE
= 5毫安
5
V
CC
- 0.17
708
12
730
17.5
0.4
30
1
1.06
0.98
80
100
4
200
5.5
1.1
1
40
752
24
民
典型值
150
最大
200
10
单位
A
mA
V
mV
mV
%/°C
mV
%/°C
V
V
mV
nA
A
V
V
1
要看通器件的击穿电压。见ZXT14N20DX数据表
第1期 - 2001年1月
2
ZXSC100
电气特性： AC参数
2
测试条件（除特别注明外） ）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
T
关闭
F
OSC
2
3
参数
放电脉冲宽度
推荐工作
频率
3
条件
民
1.7
3
典型值
4
最大
单位
s
千赫
200
这些参数由设计保证
工作频率为应用电路依赖。请参阅应用章节
ZXT14N20DX
在应用部分中描述的电路， Zetex的ZXT14N20DX是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据， ZXT ，更详细的信息可以在Zetex的SuperSOT4被发现
数据手册或www.zetex.com
电气特性（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
分钟。
20
典型值。
30
4.5
30
75
6
45
95
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
条件。
I
C
=10mA*
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 4A ，我
B
=40mA*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
ZHCS2000
在应用部分Zetex的ZHCS2000描述的电路是推荐的肖特基二极管。该
下面表示的轮廓数据， ZHCS ，更详细的信息在www.zetex.com可用
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
正向电压
反向电流
反向恢复
时间
符号
V
F
I
R
t
rr
5.5
分钟。
典型值。
马克斯。
385
500
300
单位
mV
mV
A
ns
条件。
I
F
=1A
I
F
=2A
V
R
=30V
从我切换
F
=
500mA至我
R
= 500mA的电流。
测量我
R
=50mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2001年1月
3
ZXSC100
设备描述
该ZXSC100是非同步的PFM ，直流 - 直流
控制器IC ，当具有高结合
性能外部晶体管，使
生产效率高的升压转换器中使用的
在单个小区的应用程序。原理框图如图
对于图1中的ZXSC100 。
驱动电路提供的外部开关
晶体管具有限定的电流，这是
通过连接一个外部电阻编程
之间的RE引脚和V
CC
。内参
电压的电路是25mV的低于V
CC
。为了最大限度地提高
效率的外部晶体管的快速切换，
通常被20ns的范围内强制关闭。
在高功率应用中更大的电流可
通过利用进一步提供给开关晶体管
外部组件。在IC中的激励晶体管可以
被旁路通过加入离散的PNP 。更多
在此电路结构信息可
在应用部分。
图1
ZXSC100框图
关断电路接通或关闭设备在V
CC
=1V
与通常80mV的的滞后。在启动时，
比较器Comp1接通驱动器电路和
因此，在外部开关晶体管。这
电路将保持有效，直到反馈电压
引脚FB上升超过V
REF
，它被设置为730mV 。一
在FB引脚上的外部电阻分压器设定输出
电压电平。
比较器Comp2强制驱动电路和所述
外部开关晶体管截止，如果在电压
I
SENSE
超过25mV的。在我的电压
SENSE
取
从电流检测电阻串联连接
在开关晶体管的发射极。
下面器Comp2的输出单稳态扩展
输出级由一个最小的关断时间
2us的。这保证了有足够的时间来
出院前的下一个周期上的电感线圈。
单稳态和器Comp1之间的AND门
输出保证了开关晶体管始终
一直保持到我
SENSE
达到阈值和
的最小放电期间总是
断言。的脉冲宽度是恒定的，所述脉冲
频率随输出负载。
第1期 - 2001年1月
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ZXT14N20DX
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流（ C）
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
50
20
7.5
30
7
500
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
第1期 - 2000年3月
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ZXT14N20DX
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
4.5
30
75
115
90
分钟。
50
20
7.5
典型值。
100
30
8.5
100
100
100
6
45
95
140
115
0.9
0.85
250
300
250
125
400
500
400
250
180
110
150
345
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=40V
V
EB
=6V
V
CES
=40V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 4A ，我
B
=40mA*
I
C
= 7A ，我
B
=70mA*
I
C
= 7A ，我
B
=350mA*
I
C
= 7A ，我
B
=70mA*
I
C
= 7A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 7A ，V
CE
=2V*
I
C
= 15A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 300毫安，V
CE
=10V
f=30MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=7A
I
B1
=I
B2
=175mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年3月
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