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ZX5T851G
60V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 60V ，R
SAT
= 35米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和60V
NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
极低的等效导通电阻;
R
SAT
= 35mV ，在6A
6安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特征可达10安培
SOT223
应用
应急照明电路
电机驱动（包括直流风扇）
电磁阀，继电器和执行器的驱动程序
DC模块
背光逆变器
引脚
订购信息
设备
ZX5T851GTA
ZX5T851GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
器件标识
X5T851
第2期 - 2003年9月
1
顶视图
半导体
ZX5T851G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
150
60
7
6
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T851G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T851G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE （ SAT ）
20
45
50
100
210
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
55
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1000
940
200
200
105
40
130
31
42
760
300
1k
分钟。
150
150
60
7
典型值。
190
190
80
8.1
20
0.5
20
0.5
10
30
60
70
135
260
1100
1050
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 100mA时我
B
=5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=50mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 2A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10A ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T851G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
ZX5T851G
60V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 60V ，R
SAT
= 35米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和60V
NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
极低的等效导通电阻;
R
SAT
= 35mV ，在6A
6安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特征可达10安培
SOT223
应用
应急照明电路
电机驱动（包括直流风扇）
电磁阀，继电器和执行器的驱动程序
DC模块
背光逆变器
引脚
订购信息
设备
ZX5T851GTA
ZX5T851GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
器件标识
X5T851
第2期 - 2003年9月
1
顶视图
半导体
ZX5T851G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
150
60
7
6
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T851G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T851G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE （ SAT ）
20
45
50
100
210
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
55
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1000
940
200
200
105
40
130
31
42
760
300
1k
分钟。
150
150
60
7
典型值。
190
190
80
8.1
20
0.5
20
0.5
10
30
60
70
135
260
1100
1050
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 100mA时我
B
=5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=50mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 2A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10A ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T851G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
ZX5T851G
60V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 60V ，R
SAT
= 35米;我
C
= 6A
描述
打包在SOT223大纲新5
th
新一代低饱和60V
NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
极低的等效导通电阻;
R
SAT
= 35mV ，在6A
6安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特征可达10安培
SOT223
应用
应急照明电路
电机驱动（包括直流风扇）
电磁阀，继电器和执行器的驱动程序
DC模块
背光逆变器
引脚
订购信息
设备
ZX5T851GTA
ZX5T851GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
器件标识
X5T851
第2期 - 2003年9月
1
顶视图
半导体
ZX5T851G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
150
60
7
6
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
符号
R
JA
价值
42
单位
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZX5T851G
特征
第2期 - 2003年9月
3
半导体
ZX5T851G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
R
I
EBO
V
CE （ SAT ）
20
45
50
100
210
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
H
FE
100
100
55
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1000
940
200
200
105
40
130
31
42
760
300
1k
分钟。
150
150
60
7
典型值。
190
190
80
8.1
20
0.5
20
0.5
10
30
60
70
135
260
1100
1050
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
CB
=120V
V
CB
=120V,T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 100mA时我
B
=5mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=50mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 2A ，V
CE
=1V*
I
C
= 5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10A ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=I
B2
=100mA
300秒;占空比
2%.
第2期 - 2003年9月
半导体
4
ZX5T851G
典型特征
第2期 - 2003年9月
5
半导体
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Z0107SA5AL2
Z0103DA1AA2
ZRB500A02STZ
ZXT14N20DX
ZY1015A-T2
ZRT040N8B2
Z100UF
ZTX753DCSM
ZVN0124A
ZB6Y001
ZX5T951G
ZMY27
ZR36050PQC-27
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZX5T851G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
ZX5T851G
DIODES
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12600
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原装正品
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ZX5T851G
DIODES/美台
22+
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SOT223
原装代理现货，价格最优
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原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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联系人：陈泽强
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电话：13910052844（微信同步）
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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联系人：朱生
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17+
15000
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