ZXT10P40DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
-40
-40
-5
-4
-2
-500
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 2000年9月
2
ZXT10P40DE6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-150
-195
-210
-0.95
-0.85
300
300
180
60
12
150
480
450
290
130
22
190
19
40
435
25
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
-40
-40
-5
典型值。
-80
-70
-8.8
-100
-100
-100
-40
-220
-300
-300
-1.00
-0.95
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-35V
V
EB
=-4V
V
CES
=-35V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -15V ，我
C
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年9月
4
ZXT10P40DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
-40
-40
-5
-4
-2
-500
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 2000年9月
2
ZXT10P40DE6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-150
-195
-210
-0.95
-0.85
300
300
180
60
12
150
480
450
290
130
22
190
19
40
435
25
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
-40
-40
-5
典型值。
-80
-70
-8.8
-100
-100
-100
-40
-220
-300
-300
-1.00
-0.95
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-35V
V
EB
=-4V
V
CES
=-35V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -15V ，我
C
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年9月
4
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