ZXM64P035L3
35V P沟道增强型MOSFET
摘要
V（ BR ） DSS = -35V ： RDS （ ON） = 0.075 ： ID = -12A
描述
这种新一代的从Zetex的高细胞密度的平面MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
·
低导通电阻
·
开关速度快
·
低门槛
·
低栅极驱动器
·
TO220封装
应用
·
100W的D类音频输出级
·
电机控制
订购信息
设备
ZXM64P035L3
倍数
1000
器件标识
·
ZXM6
4P035
前视图
暂定发行A - 2002年1月
1
ZXM64P035L3
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
-35
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.075
0.105
2.3
S
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-35V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件。
D
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
30.2
27.8
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.4
6.2
40
29.2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
825
250
80
g
fs
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.2A
V
DS
=-10V,I
D
=-1.2A
pF
pF
pF
V
DS
=-25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
46
9
11.5
nC
nC
nC
V
DS
=-24V,V
GS
=-10V,
I
D
=-2.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-2.4A
R
G
=6.0
,
V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=-2.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-2.4A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300秒。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 2002年1月
3
ZXM64P035L3
包装外形
包装尺寸
暗淡
单位为毫米
民
A
b
b1
c1
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
P
Q
3.54
2.54
3.56
0.38
1.15
0.41
14.23
9.66
2.29
4.83
0.51
5.58
2.04
12.70
最大
4.82
1.01
1.77
0.50
16.51
10.66
2.79
5.33
1.39
6.85
2.92
14.73
6.35
4.08
3.42
0.139
0.100
英寸
民
0.140
0.015
0.045
0.016
0.560
0.380
0.090
0.190
0.20
0.230
0.080
0.500
最大
0.189
0.040
0.070
0.020
0.650
0.419
0.110
0.210
0.055
0.270
0.115
0.580
0.250
0.160
0.134
Zetex的PLC 2001年
Zetex的PLC
田新路
Chadderton
奥尔德姆， OL9 8NP
英国
电话（ 44 ） 161 622 4422
传真： （ 44 ） 161 622 4420
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的， NY11788
美国
电话： （ 631 ） 360 2222
传真： （ 631 ） 360 8222
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路
葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
由代理商和分销商的主要国家世界范围内的这些办事处的支持。
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，应用或转载
任何顺序或合同或任何目的或形式的部分被视为与相关的产品或服务的表示。公司
保留不另行通知，以更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件的权利。
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www.zetex.com
暂定发行A - 2002年1月
4
ZXM64P035L3
35V P沟道增强型MOSFET
摘要
V（ BR ） DSS = -35V ： RDS （ ON） = 0.075 ： ID = -12A
描述
这种新一代的从Zetex的高细胞密度的平面MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
·
低导通电阻
·
开关速度快
·
低门槛
·
低栅极驱动器
·
TO220封装
应用
·
100W的D类音频输出级
·
电机控制
订购信息
设备
ZXM64P035L3
倍数
1000
器件标识
·
ZXM6
4P035
前视图
暂定发行A - 2002年1月
1
ZXM64P035L3
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
-35
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.075
0.105
2.3
S
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-35V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件。
D
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
30.2
27.8
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
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4.4
6.2
40
29.2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
825
250
80
g
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V
GS
= -10V ，我
D
=-2.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.2A
V
DS
=-10V,I
D
=-1.2A
pF
pF
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V
DS
=-25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
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46
9
11.5
nC
nC
nC
V
DS
=-24V,V
GS
=-10V,
I
D
=-2.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-2.4A
R
G
=6.0
,
V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=-2.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-2.4A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300秒。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 2002年1月
3
ZXM64P035L3
包装外形
包装尺寸
暗淡
单位为毫米
民
A
b
b1
c1
D
E
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H1
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3.54
2.54
3.56
0.38
1.15
0.41
14.23
9.66
2.29
4.83
0.51
5.58
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12.70
最大
4.82
1.01
1.77
0.50
16.51
10.66
2.79
5.33
1.39
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6.35
4.08
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0.100
英寸
民
0.140
0.015
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最大
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0.020
0.650
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0.210
0.055
0.270
0.115
0.580
0.250
0.160
0.134
Zetex的PLC 2001年
Zetex的PLC
田新路
Chadderton
奥尔德姆， OL9 8NP
英国
电话（ 44 ） 161 622 4422
传真： （ 44 ） 161 622 4420
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的， NY11788
美国
电话： （ 631 ） 360 2222
传真： （ 631 ） 360 8222
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葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
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