ZXSDS2M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双60V ， 1.65A肖特基二极管的组合
摘要
肖特基二极管 - V
R
= 60V; V
F
=在600mV （ @ 1A ） ; IC = 1.65A
描述
封装在新的创新3x2的MLP （微型引线封装）的轮廓，这
双组合包括2 60V 0.9A肖特基势垒二极管。这个优秀
组合为用户提供了在应用程序中高效性能
包括DC- DC转换器和充电电路。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
MLP832
特点
超低V
F
，快速开关肖特基
I
F
= 1.65A连续正向电流
采用3mm x 2毫米MLP
应用
DC- DC转换器
直流 - 直流模块
MOSFET栅极驱动电路
充电电路
手机
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXSDS2M832TA
ZXSDS2M832TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
底部视图
器件标识
DS2
ISSUE 2003年6月2日
1
半导体
ZXSDS2M832
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电压@ I
F
=千毫安
正向电流
平均正向电流D = 50 ％ ， t< 300US =
不重复正向电流t< = 100us的
不重复正向电流t< = 10ms的
在TA功耗= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
储存温度，范围
操作&储存温度，范围
TSTG
Tj
P
D
P
D
P
D
（ C） （F ）
（B ） （F ）
符号
V
R
V
F
I
F
I
FAV
I
FSM
P
D
P
D
P
D
极限
60
600
1.65
1.24
16.8
5.63
1.2
12
2
20
0.8
8
0.9
9
1.36
13.6
2.4
24
-55到+ 150
-55 + 125
单位
V
mV
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热阻
参数
结到环境
（一）（六）
符号
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到环境
（B ） （F ）
结到环境
（ C） （F ）
结到环境
（D ） （F ）
结到环境
结到环境
（D ） （G ）
（ E） （G ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在8平方的FR4 PCB ，厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于双通道器件表面安装在8平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1oz覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于安装在85平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于双通道器件具有一个活跃的模具。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中
包装尺寸数据。用1盎司的铜最低的双设备安装在1.5mm厚的FR4电路板的热阻
重量， 1mm宽轨和一半的设备活跃的是的Rth = 250 ° C / W给予的P合计= 400mW的额定功率。
ISSUE 2003年6月2日
半导体
2
ZXSDS2M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双60V ， 1.65A肖特基二极管的组合
摘要
肖特基二极管 - V
R
= 60V; V
F
=在600mV （ @ 1A ） ; IC = 1.65A
描述
封装在新的创新3x2的MLP （微型引线封装）的轮廓，这
双组合包括2 60V 0.9A肖特基势垒二极管。这个优秀
组合为用户提供了在应用程序中高效性能
包括DC- DC转换器和充电电路。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
MLP832
特点
超低V
F
，快速开关肖特基
I
F
= 1.65A连续正向电流
采用3mm x 2毫米MLP
应用
DC- DC转换器
直流 - 直流模块
MOSFET栅极驱动电路
充电电路
手机
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXSDS2M832TA
ZXSDS2M832TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
底部视图
器件标识
DS2
ISSUE 2003年6月2日
1
半导体
ZXSDS2M832
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电压@ I
F
=千毫安
正向电流
平均正向电流D = 50 ％ ， t< 300US =
不重复正向电流t< = 100us的
不重复正向电流t< = 10ms的
在TA功耗= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
储存温度，范围
操作&储存温度，范围
TSTG
Tj
P
D
P
D
P
D
（ C） （F ）
（B ） （F ）
符号
V
R
V
F
I
F
I
FAV
I
FSM
P
D
P
D
P
D
极限
60
600
1.65
1.24
16.8
5.63
1.2
12
2
20
0.8
8
0.9
9
1.36
13.6
2.4
24
-55到+ 150
-55 + 125
单位
V
mV
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热阻
参数
结到环境
（一）（六）
符号
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
RJ-A
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
结到环境
（B ） （F ）
结到环境
（ C） （F ）
结到环境
（D ） （F ）
结到环境
结到环境
（D ） （G ）
（ E） （G ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在8平方的FR4 PCB ，厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于双通道器件表面安装在8平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1oz覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于安装在85平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于双通道器件具有一个活跃的模具。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中
包装尺寸数据。用1盎司的铜最低的双设备安装在1.5mm厚的FR4电路板的热阻
重量， 1mm宽轨和一半的设备活跃的是的Rth = 250 ° C / W给予的P合计= 400mW的额定功率。
ISSUE 2003年6月2日
半导体
2
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