ZXMP3A13F
30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.21
I
D
= -1.6A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
313
顶视图
第1期 - 2007年5月
1
ZXMP3A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-1.6
-1.3
-1.4
-6
-1.2
-6
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2007年5月
2
ZXMP3A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.210
0.330
2.4
S
-30
-0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.1A
V
DS
=-15V,I
D
=-1.4A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
15.6
9.6
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.5
3.0
11.1
7.6
3.8
6.4
0.69
2.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
206
59.3
49.2
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.4A
V
DS
=-15V,V
GS
=-5V,
I
D
=-1.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-1A
R
G
=6.0 , V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-1.1A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.95A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2007年5月
4
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30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.21
I
D
= -1.6A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
313
顶视图
第1期 - 2007年5月
1
ZXMP3A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-1.6
-1.3
-1.4
-6
-1.2
-6
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
第1期 - 2007年5月
2
ZXMP3A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.210
0.330
2.4
S
-30
-0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.1A
V
DS
=-15V,I
D
=-1.4A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
15.6
9.6
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.5
3.0
11.1
7.6
3.8
6.4
0.69
2.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
206
59.3
49.2
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.4A
V
DS
=-15V,V
GS
=-5V,
I
D
=-1.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-1A
R
G
=6.0 , V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-1.1A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.95A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2007年5月
4
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30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.21
I
D
= -1.6A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
313
顶视图
临时版本C - 2004年7月
1
ZXMP3A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-1.6
-1.3
-1.4
-6
-1.2
-6
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
临时版本C - 2004年7月
2
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电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.210
0.330
2.48
S
-30
-0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
V
GS
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D
=-1.1A
V
DS
=-15V,I
D
=-1.4A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
18.6
14.8
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.5
2.8
11.3
7.5
2.58
5.15
0.65
0.92
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
204
39.8
25.8
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.4A
V
DS
=-15V,V
GS
=-5V,
I
D
=-1.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-1A
R
G
=6.0 , V
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=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-1.1A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.95A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
临时版本C - 2004年7月
4
ZXMP3A13F
30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.21
I
D
= -1.6A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
313
顶视图
临时版本C - 2004年7月
1
ZXMP3A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-1.6
-1.3
-1.4
-6
-1.2
-6
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
临时版本C - 2004年7月
2
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电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.210
0.330
2.48
S
-30
-0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
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V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.1A
V
DS
=-15V,I
D
=-1.4A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
18.6
14.8
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D（上）
t
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D（关闭）
t
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Q
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Q
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1.5
2.8
11.3
7.5
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C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
204
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g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
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ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.4A
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DS
=-15V,V
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=-5V,
I
D
=-1.4A
V
DD
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D
=-1A
R
G
=6.0 , V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-1.1A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.95A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
临时版本C - 2004年7月
4
产品speci fi cation
ZXMP3A13F
30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.21
I
D
= -1.6A
描述
这种新一代的TY沟槽MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP3A13FTA
ZXMP3A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
313
顶视图
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1第3
产品speci fi cation
ZXMP3A13F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-1.6
-1.3
-1.4
-6
-1.2
-6
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
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产品speci fi cation
ZXMP3A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.210
0.330
2.4
S
-30
-0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.1A
V
DS
=-15V,I
D
=-1.4A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
15.6
9.6
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.5
3.0
11.1
7.6
3.8
6.4
0.69
2.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
206
59.3
49.2
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-15V,V
GS
=-10V,
I
D
=-1.4A
V
DS
=-15V,V
GS
=-5V,
I
D
=-1.4A
V
DD
= -15V ，我
D
=-1A
R
G
=6.0 , V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-1.1A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.95A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
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