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ZXMS6005DG
60V N沟道自我保护的增强型
IntelliFET
MOSFET
摘要
连续漏源电压60 V
导通状态电阻
额定负载电流（V
IN
= 5V)
钳位能源
200 mΩ
2A
490兆焦耳
SOT223封装
描述
该ZXMS6005DG是一种自我保护的低边MOSFET与逻辑
电平输入。它集成了过温，过电流，过电压
（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平的功能。该
ZXMS6005DG是一个理想的通用开关在3.3V驱动
在恶劣的环境中，标准或5V的微控制器
MOSFET是不够耐用。
S
D
D
IN
特点
紧凑型高功率耗散封装
低输入电流
逻辑电平输入（ 3.3V和5V ）
短路保护，自动重启
过电压保护器（有源钳位）
自动重启热关断
过电流保护
输入保护（ ESD ）
高持续电流额定值
订购信息
设备
部分
标志
带尺寸
（英寸）
胶带宽度
(mm)
单位数量
REEL
ZXMS6005DGTA
ZXMS
6005D
7
12压花
1000台
ZXMS6005DG
文件编号DS32247修订版1 - 2
1 9
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2010年6月
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绝对最大额定值
参数
连续漏极 - 源极电压
漏源电压短路保护
连续输入电压
连续输入电流
-0.2V≤V
IN
≤6V
V
IN
<-0.2V或V
IN
>6V
工作温度范围
存储温度范围
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
脉冲漏极电流@ V
IN
=3.3V
脉冲漏极电流@ V
IN
=5V
连续源电流（体二极管） （一）
脉冲源电流（体二极管）
松开单脉冲电感能量， TJ = 25 ° C，
I
D
= 0.5A ，V
DD
=24V
静电放电（人体模型）
带电器件模型
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
结到外壳（C ）
笔记
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm× 15毫米单面1盎司重量的铜对1.6毫米FR4板，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米单面2盎司重量的铜对1.6毫米FR4板，在
静止空气条件。
（三）从结点到的漏针的安装表面的热阻。
符号
V
DS
V
DS （ SC ）
V
IN
I
IN
极限
60
24
-0.5 ... +6
单位
V
V
V
mA
无极限
│I
IN
│≤2
T
j
,
T
英镑
P
D
-40到+150
-55到+150
1.3
10.4
P
D
3.0
24
I
DM
I
DM
I
S
I
SM
E
AS
V
ESD
V
清洁发展机制
5
6
2.5
10
490
4000
1000
°C
°C
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
A
A
A
A
mJ
V
V
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
价值
96
42
12
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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推荐工作条件
该ZXMS6005DG进行了优化，与μC从3.3V和5V电源供电使用。
符号
V
IN
T
A
V
IH
V
IL
V
P
描述
输入电压范围
环境温度范围
高电平输入电压的MOSFET要上
低电平输入电压MOSFET处于关闭状态
外围供电电压（电压至该负载被称为）
民
0
-40
3
0
0
最大
5.5
125
5.5
0.7
24
单位
V
°C
V
V
V
特征
过电流保护限制
有限
由R
DS （ ON）
1ms
DC
1s
100ms
单脉冲
T
AMB
=25°C
请参见注释（一）
10ms
S / C的保护限制
最大功耗（ W）
10
3.0
2.5
见注（ B）
I
D
漏电流（ A）
1
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
请参见注释（一）
100m
10m
1
10
V
DS
漏源极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
100
T
AMB
=25°C
90
80
请参见注释（一）
70
60
D=0.5
50
40
30
D=0.2
单脉冲
20
D=0.05
10
D=0.1
0
100 1m 10m 100m 1
10
100
1k
降额曲线
单脉冲
T
AMB
=25°C
请参见注释（一）
热阻（ ° C / W）
最大功率（W）的
100
10
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
静态特性
符号
民
典型值
最大
单位
条件
漏源电压钳
关机状态下漏电流
关机状态下漏电流
输入阈值电压
输入电流
输入电流
输入电流，同时在
温活跃
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
连续漏电流（ A）
连续漏电流（ A）
连续漏电流（ B）
连续漏电流（ B）
电流限制（D ）
电流限制（D ）
动态特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
注意事项：
V
DS （ AZ ）
I
DSS
I
DSS
V
IN（日）
I
IN
I
IN
60
65
70
1
2
V
A
uA
V
μA
μA
μA
mΩ
I
D
=10mA
V
DS
=12V, V
IN
=0V
V
DS
=36V, V
IN
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
IN
=+3V
V
IN
=+5V
V
IN
=+5V
V
IN
= + 3V ，我
D
=1A
0.7
1
60
120
1.5
100
200
300
R
DS （ ON）
170
250
R
DS （ ON）
150
200
mΩ
V
IN
= + 5V ，我
D
=1A
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D（ LIM ）
I
D（ LIM ）
1.4
1.6
1.9
2.0
2.2
3.3
5
7
A
A
A
A
A
A
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
=+3V,
V
IN
=+5V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
f
f
6
14
34
19
μs
μs
μs
μs
V
DD
= 12V，我
D
=1A,
V
GS
=5V
（四）漏极电流只限于当器件处于饱和状态（见图'典型输出
特性'） 。这使得在所使用的设备的完全打开状态，而不从所述干扰
电流限制。该设备得到充分的保护在所有的漏极电流，作为低功耗
外界产生饱和，使电流限制是不必要的。
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QQ：2881677436 复制
