对产品线
Diodes公司
ZXMN2AMC
20V双N沟道增强型MOSFET
产品概述
I
D
最大
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
T
A
= 25°C
（注4 & 7 ）
特点和优点
薄型封装，薄应用
低Rthj -A和高热效率的封装
2
6毫米足迹，比TSOP6和SOT23-6小50 ％
低导通电阻
开关速度快
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
120m @ V
GS
= 4.5V
20V
300MΩ @ V
GS
= 2.5V
3.7A
2.3A
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
便携式应用
机械数据
案例： DFN3020B - 8
终端：预镀镍钯金引线框架
标称封装高度： 0.8毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.013克（近似值）
DFN3020B-8
D2
D2
D1
D1
D1
D2
D2
D1
G1
S1
销1
G2
S1
等效电路
G2
顶视图
底部视图
S2
G1
S2
底部视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品型号
ZXMN2AMCTA
注意事项：
记号
脱氧核糖核酸
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
脱氧核糖核酸
DNA =产品型号标识代码
俯视图，点表示引脚1
ZXMN2AMC
文件编号： DS35089修订版1 - 2
1第8
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2010年12月
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ZXMN2AMC
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 4.5V
（注4 & 7 ）
T
A
= 70 ° C（注4 & 7 ）
（注3 & 7 ）
（注6 & 7 ）
（注4 & 7 ）
（注6 & 7 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
20
±12
3.7
3.0
2.9
13
3.0
13
单位
V
漏电流脉冲
V
GS
= 4.5V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3 & 7 ）
功耗
线性降额因子
（注4 & 7 ）
P
D
（注5 & 7 ）
（注5 & 8 ）
（注3 & 7 ）
（注4 & 7 ）
（注5 & 7 ）
（注5 & 8 ）
（注7 & 9 ）
符号
价值
1.50
12
2.45
19.6
1.13
9
1.70
13.6
83.3
51.0
111
73.5
17.1
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
R
θJA
R
θJL
T
J
,
T
英镑
° C / W
°C
3.对于设备的表面安装在28毫米X 28毫米（ 8平方厘米）的FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。散热片被分割为一半与连接到每个半露出漏焊盘。
4.同注（ 3 ）除设备测量在t < 5秒。
5.同注（ 3 ） ，除了设备的表面安装在31毫米X 31毫米（ 10平方厘米）的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜。
6.同注（3 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉宽300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
7.对于与主动裸芯片的双设备。
8.对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
从结点到焊接点9，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
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2010年12月
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注10 ）
正向跨导（注10 & 11 ）
二极管的正向电压（注10 ）
反向恢复时间（注11 ）
反向恢复电荷（注11 ）
动态特性（注11 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注12 ）
总栅极电荷（注12 ）
门源费（注12 ）
栅 - 漏极电荷（注12 ）
导通延迟时间（注12 ）
导通上升时间（注12 ）
关断延迟时间（注12 ）
关断下降时间（注12 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
20
-
-
0.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
0.085
0.140
6.2
0.9
23
5.7
299
60
33
0.8
3.1
0.7
1.0
2.3
2.6
1.6
1.3
最大
-
1
±100
3.0
0.120
0.300
-
0.95
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 1.5A
V
DS
= 10V ，我
D
= 4A
I
S
= 3.2A ，V
GS
= 0V
I
S
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
V
DS
= 10V
I
D
= 4A
V
DS
= 10V ，我
D
= 4A
V
GS
= 5V ，R
G
= 6
脉冲条件下测得10分。宽度
≤
300μS 。占空比
≤
2%.
11.辅助设计只，不受生产测试。
12.开关特性是独立的工作结温。
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