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对产品线
Diodes公司
ZXMP6A17K
60V P沟道增强型MOSFET
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产品概述
V
( BR ) DSS
R
DS ( ON)
125mΩ @ V
GS
= -10V
-60V
190m @ V
GS
= -4.5V
-5.3A
I
D
T
A
= 25°C
-6.6A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分,并符合RoHS标准(注1 )
机械数据
案例: TO252-3L
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 (注1 )
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
终端连接:见图
终端:雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.33克(近似值)
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计,以减少导通
态电阻(R
DS ( ON)
),并同时保持出色的开关
性能,使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
D
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT机顶视图
订购信息
产品
ZXMP6A17KTC
注意:
(注1 )
记号
见下文
卷尺寸(英寸)
13
胶带宽度(mm)
16
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些有欧盟RoHS标准,不含卤素和锑化合物;更多信息
关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息,请访问我们的网站。
标识信息
ZXMP
6A17
YYWW
ZXMP =产品型号标识代码, 1号线
6A17 =产品型号标识代码, 2号线
YYWW =日期代码标
YY =年(例如: 09 = 2009)
WW =周( 01-52 )
ZXMP6A17K
文件版本: 2
1第8
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2009年7月
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对产品线
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ZXMP6A17K
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
(注3)
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
T
A
= 70 ℃(注3)
(注2 )
(注4 )
(注3)
(注4 )
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
-60
±20
6.6
5.3
4.4
20.3
9.3
20.3
A
A
A
A
单位
V
V
特征
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
(注2 )
功耗
线性降额因子
(注3)
(注5 )
(注2 )
(注3)
(注5 )
(注6 )
P
D
符号
价值
4.17
33.3
9.25
74.0
2.11
16.8
30.0
13.5
59.1
2.41
-55到150
°C
单位
W
毫瓦/°C的
热阻,结到环境
热阻,结领导
工作和存储温度范围
注意事项:
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
° C / W
2.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注2,除了设备测量在t
10秒。
4.同注2,除了设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
从结点到焊接点6.热敏电阻(在漏极引线的端部) 。
ZXMP6A17K
文件版本: 2
2第8
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ZXMP6A17K
热特性
-I
D
漏电流( A)
1
DC
1s
100ms
T
AMB
=25°C
10ms
1ms
100s
-I
D
漏电流( A)
10
极限
R
DS ( ON)
10
R
DS ( ON)
极限
1
DC
1s
100ms
10ms
T
AMB
=25°C
1ms
100s
50毫米×50毫米
2盎司FR4
100m
100m
10m
25毫米x 25mm的
1盎司FR4
10m
1
10
1
10
-V
DS
漏源极电压( V)
安全工作区
35
T
AMB
=25°C
25毫米x 25mm的
1盎司FR4
D=0.5
安全工作区
-V
DS
漏源极电压( V)
热阻( ° C / W)
热阻( ° C / W)
60
50
40
30
20
10
0
100
30
25
20
15
10
5
0
100
T
AMB
=25°C
50毫米×50毫米
2盎司FR4
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
D=0.2
D=0.1
D=0.05
单脉冲
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲宽度(S )
瞬态热阻抗
瞬态热阻抗
4.5
最大功耗( W)
最大功耗( W)
100
单脉冲
T
AMB
=25°C
50毫米×50毫米
2盎司FR4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
50毫米×50毫米
2盎司FR4
25毫米x 25mm的
1盎司FR4
10
25毫米x 25mm的
1盎司FR4
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
温度(℃)
脉冲功率耗散
降额曲线
ZXMP6A17K
文件版本: 2
3 8
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻(注7 )
正向跨导(注7 & 8 )
二极管的正向电压(注7 )
反向恢复时间(注8)
反向恢复电荷(注8)
动态特性(
注8
)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间(注9 )
导通上升时间(注9 )
关断延迟时间(注9 )
关断下降时间(注9 )
注意事项:
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
-60
-1.0
典型值
4.7
-0.85
25.1
27.2
637
70
53
9.0
17.7
1.6
4.4
2.6
3.4
26.2
11.3
最大
-0.5
±100
0.125
0.190
-0.95
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= -250μA ,V
GS
= 0V
V
DS
= -60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= -250μA ,V
DS
= V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
= -2.3A
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -1.9A
V
DS
= -15V ,我
D
= -2.2A
I
S
= -2A ,V
GS
= 0V
I
S
= -1.7A ,的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
V
DS
= -30V
I
D
= -2.2A
V
DD
= -30V, V
GS
= -10V
I
D
= -1A ,R
G
6.0Ω
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
8.对于设计辅助工具而已,不受生产测试。
9.开关特性是独立的工作结点温度。
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典型特征
中T = 25℃
10V
5V
T = 150℃
10V
5V
4.5V
3.5V
3V
2.5V
2V
-I
D
漏电流( A)
1
2.5V
-I
D
漏电流( A)
10
4V
3.5V
3V
10
1
-V
GS
0.1
2V
-V
GS
0.1
1.5V
0.01
0.1
0.01
-V
DS
漏源极电压( V)
1
10
0.1
-V
DS
漏源极电压( V)
1
10
输出特性
1.8
归一化
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
10
输出特性
V
GS
= -10V
-I
D
漏电流( A)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
0
V
GS
= V
DS
I
D
= -250uA
I
D
= - 2.3A
R
DS ( ON)
T = 150℃
1
中T = 25℃
0.1
-V
DS
= 10V
V
GS ( TH)
1
2
3
4
50
100
150
-V
GS
栅源电压( V)
TJ结温( ° C)
典型的传输特性
R
DS ( ON)
漏源导通电阻
(Ω)
100
2V
归一化曲线V温度
10
-V
GS
2.5V
3V
10
-I
SD
反向漏电流( A)
中T = 25℃
T = 150℃
3.5V
1
1
4V
5V
中T = 25℃
0.1
0.1
10V
0.01
0.1
1
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
导通电阻V漏极电流
-I
D
漏电流( A)
-V
SD
源极 - 漏极电压( V)
源极 - 漏极二极管正向电压
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