ZXMD63C03X
30V双N沟道和P沟道增强型MOSFET
摘要
N沟道： V
（ BR ） DSS
=
30V ;
DS （ ON）
=
0.135 ; I
D
=
2.3A
P- CHANNEL ： V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
=0.185
;
I
D
=-2.0A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
N沟道
P沟道
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD63C03XTA
ZXMD63C03XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
12压花
12压花
QUANTITY
每卷
1,000
4,000
引脚输出
器件标识
ZXM63C03
顶视图
第2期 - 2007年9月
1
ZXMD63C03X
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲（ C） （D ）
连续源电流（体二极管） （B ） （D ）
脉冲源电流（体二极管） （三） （四）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
N沟道
30
20
-2.0
-1.6
-9.6
-1.4
-9.6
P沟道
-30
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第2期 - 2007年9月
2
ZXMD63C03X
N沟道
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1.0
30
1
100
V
μA
nA
V
0.135
Ω
0.200
Ω
1.9
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（ 3 ）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
8
1.2
2
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
（请参考测试电路）
V
DD
= 15V ，我
D
=1.7A
R
G
=6.1Ω, R
D
=8.7Ω
（请参考测试电路）
0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
ns
nC
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2007年9月
5
ZXMD63C03X
30V双N沟道和P沟道增强型MOSFET
摘要
N沟道： V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.135 ; I
D
=2.3A
P- CHANNEL ： V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
=0.185 ; I
D
=-2.0A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
N沟道
P沟道
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD63C03XTA
ZXMD63C03XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度（mm）
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
ZXM63C03
暂定发行A - 1999年6月
13
ZXMD63C03X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流（ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲（ C） （D ）
连续源电流（体二极管） （B ） （D ）
脉冲源电流（体二极管） （三） （四）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
N沟道
30
±
20
-2.0
-1.6
-9.6
-1.4
-9.6
P沟道
-30
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
暂定发行A - 1999年6月
14
ZXMD63C03X
N沟道
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
8
1.2
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
（参考试验
电路）
V
DD
= 15V ，我
D
=1.7A
R
G
=6.1, R
D
=8.7
（参考试验
电路）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
1.9
1.0
0.135
0.200
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 1999年6月
17
ZXMD63C03X
30V双N沟道和P沟道增强型MOSFET
摘要
N沟道： V
（ BR ） DSS
=
30V ;
DS （ ON）
=
0.135 ; I
D
=
2.3A
P- CHANNEL ： V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
=0.185
;
I
D
=-2.0A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
N沟道
P沟道
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD63C03XTA
ZXMD63C03XTC
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
12压花
12压花
QUANTITY
每卷
1,000
4,000
引脚输出
器件标识
ZXM63C03
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
ZXMD63C03X
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲（ C） （D ）
连续源电流（体二极管） （B ） （D ）
脉冲源电流（体二极管） （三） （四）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
N沟道
30
20
-2.0
-1.6
-9.6
-1.4
-9.6
P沟道
-30
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年10月
2
ZXMD63C03X
N沟道
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1.0
30
1
100
V
A
nA
V
0.135
0.200
1.9
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
静态漏源导通电阻（ 1 ）R
DS （ ON）
正向跨导（ 3 ）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
8
1.2
2
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
（请参考测试电路）
V
DD
= 15V ，我
D
=1.7A
R
G
=6.1, R
D
=8.7
（请参考测试电路）
0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
ns
nC
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
5
QQ：2880707522 复制
