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ZXMP6A16DN8
双P沟道60V增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= -60V ;
DS ( ON)
= 0.085 ; I
D
= -3.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率,低电压,电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP6A16DN8TA
ZXMP6A16DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMP
6A16D
顶视图
第3期 - 2005年5月
1
ZXMP6A16DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70 C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
(一) (四)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在TA功耗= 25°C
(一) (四)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(一) (五)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(二) (四)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-60
20
-3.9
-3.1
-2.9
-18.3
-3.2
-18.3
1.25
10
1.81
14.5
2.15
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
(一) (四)
结到环境
(二) (五)
结到环境
(二) (四)
笔记
(一)对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
( b)对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.05脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。
( d)对于以一种活性模具的双设备。
(五)对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
第3期 - 2005年5月
2
ZXMP6A16DN8
特征
第3期 - 2005年5月
3
ZXMP6A16DN8
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
笔记
(1)脉冲条件下进行测定。宽度
≤300s.
占空比
2% .
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
-60
-1.0
100
-1.0
0.085
0.125
7.2
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A,V
DS
= V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
=-2.9A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.4A
S
V
DS
=-15V,I
D
=-2.9A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1021
83.1
56.4
pF
pF
pF
V
DS
=-30 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.5
4.1
35
10
12.1
24.2
2.5
3.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-30V,V
GS
=-10V,
I
D
=-2.9A
V
DS
=-30V,V
GS
=-5V,
I
D
=-2.9A
V
DD
= -30V ,我
D
=-1A
R
G
6.0,
V
GS
=-10V
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
29.2
39.6
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C,I
S
=-3.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=-2A,
的di / dt = 100A / μs的
第3期 - 2005年5月
4
ZXMP6A16DN8
典型特征
第3期 - 2005年5月
5
ZXMP6A16DN8
双P沟道60V增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= -60V ;
DS ( ON)
= 0.085 ; I
D
= -3.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率,低电压,电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMP6A16DN8TA
ZXMP6A16DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMP
6A16D
顶视图
第3期 - 2005年5月
1
ZXMP6A16DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70 C
(二) (四)
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
(一) (四)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在TA功耗= 25°C
(一) (四)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(一) (五)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(二) (四)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-60
20
-3.9
-3.1
-2.9
-18.3
-3.2
-18.3
1.25
10
1.81
14.5
2.15
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
(一) (四)
结到环境
(二) (五)
结到环境
(二) (四)
笔记
(一)对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
( b)对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB , D = 0.05脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。
( d)对于以一种活性模具的双设备。
(五)对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
第3期 - 2005年5月
2
ZXMP6A16DN8
特征
第3期 - 2005年5月
3
ZXMP6A16DN8
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
笔记
(1)脉冲条件下进行测定。宽度
≤300s.
占空比
2% .
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
-60
-1.0
100
-1.0
0.085
0.125
7.2
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A,V
DS
= V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
=-2.9A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.4A
S
V
DS
=-15V,I
D
=-2.9A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1021
83.1
56.4
pF
pF
pF
V
DS
=-30 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.5
4.1
35
10
12.1
24.2
2.5
3.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-30V,V
GS
=-10V,
I
D
=-2.9A
V
DS
=-30V,V
GS
=-5V,
I
D
=-2.9A
V
DD
= -30V ,我
D
=-1A
R
G
6.0,
V
GS
=-10V
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
29.2
39.6
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C,I
S
=-3.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=-2A,
的di / dt = 100A / μs的
第3期 - 2005年5月
4
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典型特征
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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2018+
82000
SOP-8
全新原装15818663367
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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10000
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原厂一级代理,原装现货
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2443+
23000
SOP8L
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+22+
62710
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18530
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