添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第38页 > ZX5T849GTA
ZX5T849G
30V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 30V ，R
SAT
= 28米;我
C
= 7A
描述
打包在SOT223概述这一新的第五代低饱和30V
NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在6.5A 28米
7安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特点高达20A
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZX5T849GTA
ZX5T849GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T849
顶视图
第1期 - 2003年11月
1
半导体
ZX5T849G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
80
30
7
7
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2003年11月
半导体
2
ZX5T849G
特征
第1期 - 2003年11月
3
半导体
ZX5T849G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
35
50
100
185
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
100
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1025
920
175
200
150
30
140
48
37
425
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
80
80
30
7
典型值。
125
125
40
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
50
65
125
220
1130
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA*
I
C
= 2A ，我
B
=20mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 7A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=-I
B2
=100mA
第1期 - 2003年11月
半导体
4
ZX5T849G
典型特征
第1期 - 2003年11月
5
半导体
ZX5T849G
30V NPN型中功率低饱和晶体管采用SOT223
摘要
BV
首席执行官
= 30V ，R
SAT
= 28米;我
C
= 7A
描述
打包在SOT223概述这一新的第五代低饱和30V
NPN晶体管提供极低的导通损耗，非常适合用在
的DC-DC电路和各种驱动和电源管理功能。
特点
导通电阻烹饪极具低等效;
R
SAT
=在6.5A 28米
7安培连续电流
高达20A的峰值电流
极低的饱和电压
优秀
FE
特点高达20A
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZX5T849GTA
ZX5T849GTC
REEL
SIZE
7”
13"
TAPE
宽度
12mm
压花
单位数量
REEL
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
X5T849
顶视图
第1期 - 2003年11月
1
半导体
ZX5T849G
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(a)
峰值脉冲电流
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(b)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
P
D
P
D
极限
80
30
7
7
20
3.0
24
1.6
12.8
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
42
78
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在52毫米X 52毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（二）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2003年11月
半导体
2
ZX5T849G
特征
第1期 - 2003年11月
3
半导体
ZX5T849G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
1K
I
EBO
V
CE （ SAT ）
25
35
50
100
185
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
100
100
100
20
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
1025
920
175
200
150
30
140
48
37
425
300秒;占空比
2%.
300
分钟。
80
80
30
7
典型值。
125
125
40
8.1
20
0.5
20
0.5
10
35
50
65
125
220
1130
1000
MAX 。单位条件
V
V
V
V
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=100 A
I
C
= 1 A， RB 1K
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
CB
=70V
V
CB
= 70V ，T
AMB
=100 C
V
EB
=6V
I
C
= 0.5A ，我
B
=20mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，我
B
=20mA*
I
C
= 2A ，我
B
=20mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，我
B
=300mA*
I
C
= 6.5A ，V
CE
=1V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
= 7A ，V
CE
=1V*
I
C
= 20A ，V
CE
=1V*
兆赫我
C
= 100mA时V
CE
=10V
f=50MHz
pF
ns
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的*
I
C
= 1A ，V
CC
=10V,
I
B1
=-I
B2
=100mA
第1期 - 2003年11月
半导体
4
ZX5T849G
典型特征
第1期 - 2003年11月
5
半导体
查看更多ZX5T849GTAPDF信息
推荐型号
ZB2BY2304
Z0803606LSD
ZY33
ZMD5.1
ZMD31012AECS
ZPSD411A1-C-70L
Z4C471-RF-10
Z8631804PSC
ZL50234QCG1
ZXMP6A16DN8TC
ZPSD211R-B-15L
ZUY56W-1
ZXTDBM832TA
Z86L87
Z10L101
ZRO0690B2LF
ZL30117
ZTE3.3
ZFM-150
ZB2BY2330
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZX5T849GTA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳诚思涵科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ：2748708193 复制
电话：0755-83015506-23947236
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
ZX5T849GTA
DIODES/美台
24+
5000
SOT223
100%原装正品，可长期订货
深圳市金镇发科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：183166527 复制 点击这里给我发消息 QQ：3404987807 复制
电话：0755-83515980
联系人：陈先生
地址：深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
ZX5T849GTA
DIODES/美台
21+
3000
NA
原装正品
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZX5T849GTA
DIODES/美台
2024
20918
SOT-223
原装现货上海库存，欢迎咨询
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZX5T849GTA
DIODES/美台
2024
20918
SOT-223
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
源辰芯科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ：173779730 复制
电话：0755-82170267
联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
ZX5T849GTA
DIODES/美台
20+
47339
SSOP16
有挂就有货 支持订货.备货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
ZX5T849GTA
DIODES/美台
24+
12300
SOT223
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科雨电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：97671959 复制

电话：171-4729-9698（微信同号）
联系人：周小姐，171-4729-9698，无线联通更快捷！
地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
ZX5T849GTA
DIODES
24+
3675
SOT-223
10￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:10元
深圳山琅电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1210757800 复制
电话：755-83229865
联系人：刘红样
地址：深圳市福田区红荔路301号上步工业区23栋上航大厦东座4楼
ZX5T849GTA
DIODES(美台)
23+
5000
SOT-223-3
公司宗旨:只做原装
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZX5T849GTA
DIODES
21+
13410
SOT223
全新原装正品/质量有保证
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
ZX5T849GTA
Diodes
2025+
26820
TO-261-4
【原装优势★★★绝对有货】
查询更多ZX5T849GTA供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！