ZXMP6A13F
60V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.400
I
D
=-1.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMP6A13FTA
ZXMP6A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
7P6
顶视图
第2期 - 2004年7月
1
ZXMP6A13F
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-60
20
-1.1
-0.8
-0.9
-4.0
-1.2
-4.0
625
5
806
6.5
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
≤5
秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2004年7月
2
ZXMP6A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
22.6
23.2
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-0.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.9A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.6
2.3
13
5.8
2.4
5.1
0.7
0.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-30V,V
GS
=-10V,
I
D
=-0.9A
V
DS
=-30V,V
GS
=-5V,
I
D
=-0.9A
V
DD
= -30V ，我
D
=-1A
R
G
6.0 , V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
233
17.4
9.6
pF
pF
pF
V
DS
=-30V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
1.8
-1.0
0.400
0.600
S
-60
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-0.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-0.8A
V
DS
=-15V,I
D
=-0.9A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2004年7月
4
ZXMP6A13F
60V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.400
I
D
=-1.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMP6A13FTA
ZXMP6A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
7P6
顶视图
第3期 - 2007年5月
1
ZXMP6A13F
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-60
20
-1.1
-0.8
-0.9
-4.0
-1.2
-4.0
625
5
806
6.5
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
≤5
秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
第3期 - 2007年5月
2
ZXMP6A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-1.0
0.400
0.600
1.8
S
-60
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-0.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-0.8A
V
DS
=-15V,I
D
=-0.9A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
静态漏源导通电阻
(1)
R
DS （ ON）
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
21.1
19.3
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.6
2.2
11.2
5.7
3.2
5.9
0.74
1.5
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
219
25.7
20.5
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=-30V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-30V,V
GS
=-10V,
I
D
=-0.9A
V
DS
=-30V,V
GS
=-5V,
I
D
=-0.9A
V
DD
= -30V ，我
D
=-1A
R
G
6.0
, V
GS
=-10V
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-0.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.9A,
的di / dt = 100A / μs的
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第3期 - 2007年5月
4
对产品线
Diodes公司
ZXMP6A13F
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注2 ）
T
A
= 70℃ （注2）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
-60
±20
-1.1
-0.8
-0.9
-4.0
-1.2
-4.0
单位
V
V
A
A
A
A
漏电流脉冲（注3 ）
连续源电流（体二极管） （注2 ）
脉冲源电流（体二极管） （注3 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注1 ）
线性降额因子
功率耗散（注2 ）
线性降额因子
热阻，结到环境（注1 ）
热阻，结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
P
D
R
θJA
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
625
5
806
6.5
200
155
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
1.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
2.对于安装在FR4 PCB设备表面测量在t
≤5
秒。
3.重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲电流限制的最高结温。
ZXMP6A13F
文件编号DS32014版本4 - 2
2第8
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMP6A13F
电气特性
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
民
典型值
最大
-0.5
±100
0.400
0.600
-0.95
单位
测试条件
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
-60
-1.0
V
μ
A
nA
V
S
V
ns
nC
I
D
= -250
μ
A，V
GS
= 0V
V
DS
= -60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
I
D
= -250
μ
A，V
DS
= V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -0.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.8A
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.9A
T
J
= 25 ° C，I
S
= -0.8A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -0.9A,
的di / dt = 100A /
μ
s
静态漏源导通电阻（注4 ）
正向跨导（注4,6 ）
二极管的正向电压（注4 ）
反向恢复时间（注6 ）
反向恢复电荷（注6 ）
动态特性
（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间（注5 ）
导通上升时间（注5 ）
关断延迟时间（注5 ）
关断下降时间（注5 ）
总栅极电荷（注5 ）
总栅极电荷（注5 ）
门源费（注5 ）
栅 - 漏极电荷（注5 ）
注意事项：
1.8
-0.85
21.1
19.3
219
25.7
20.5
1.6
2.2
11.2
5.7
2.9
5.9
0.74
1.5
pF
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
ns
V
DD
= -30V ，我
D
= -1A,
R
G
6.0
Ω,
V
GS
= -10V
V
DS
= -30V, V
GS
= -4.5V,
I
D
= -0.9A
V
DS
= -30V, V
GS
= -10V,
I
D
= -0.9A
nC
nC
脉冲条件下测得的4 。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
5.开关特性是独立的工作结温。
6.辅助设计只，不受生产测试。
ZXMP6A13F
文件编号DS32014版本4 - 2
4 8
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
ZXMP6A13F
60V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.400
I
D
=-1.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMP6A13FTA
ZXMP6A13FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
7P6
顶视图
第2期 - 2004年7月
1
ZXMP6A13F
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-60
20
-1.1
-0.8
-0.9
-4.0
-1.2
-4.0
625
5
806
6.5
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
≤5
秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2004年7月
2
ZXMP6A13F
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
22.6
23.2
-0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=-0.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=-0.9A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.6
2.3
13
5.8
2.4
5.1
0.7
0.7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-30V,V
GS
=-10V,
I
D
=-0.9A
V
DS
=-30V,V
GS
=-5V,
I
D
=-0.9A
V
DD
= -30V ，我
D
=-1A
R
G
6.0 , V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
233
17.4
9.6
pF
pF
pF
V
DS
=-30V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
1.8
-1.0
0.400
0.600
S
-60
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
=-60V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= -10V ，我
D
=-0.9A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-0.8A
V
DS
=-15V,I
D
=-0.9A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2004年7月
4
QQ：2881677436 复制
