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PNP硅平面
中功率晶体管
第2期? JULY 94
特点
* 60伏V
首席执行官
* 2安培连续电流
*低饱和电压
* P
合计
= 1瓦
ZTX750
ZTX751
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗:在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
ZTX750
MIN 。 TYP 。
-60
-45
-5
-0.1
-10
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
ZTX751
MAX 。 MIN 。 TYP 。
-80
-60
-5
马克斯。
ZTX750
-60
-45
-5
-6
-2
1
5.7
电子线
TO92兼容
ZTX751
-80
-60
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 基
击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿
电压
发射极 - 基
击穿
电压
集电极截止
当前
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
单位条件。
V
V
V
A
A
A
A
A
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-45V
V
CB
=-60V
V
CB
=-45V,
T
AMB
=100°C
V
CB
=-60V,
T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
-0.1
-10
-0.1
-0.15 -0.3
-0.28 -0.5
-0.9
发射极截止
当前
I
EBO
-0.1
-0.15 -0.3
-0.28 -0.5
-0.9
-1.25
集电极 - 发射极
V
CE ( SAT )
饱和电压
基射
V
BE ( SAT )
饱和电压
V
V
-1.25 V
3-257
ZTX750
ZTX751
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
符号
ZTX750
MIN 。 TYP 。
100
140
40
450
30
ZTX751
MAX 。 MIN 。 TYP 。
100
140
40
450
30
马克斯。
单位条件。
过渡
频率
开关时间
f
T
t
on
t
关闭
兆赫
ns
ns
pF
I
C
= -100mA ,V
CE
=-5V
f=100MHz
I
C
= -500mA ,V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
V
CB
= 10V F = 1MHz的
产量
电容
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
2%
热特性
参数
热阻:结到环境
1
结到环境
2
结到外壳
符号
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
号(j -情况下)
马克斯。
175
116
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
??设备安装在P.C.B.用铜等于1平方英寸的最小值。
2.5
200
最大功率耗散 - (瓦特)
热阻( ° C / W)
D = 1 (直流)
2.0
t
1
D =吨
1
/t
P
t
P
C
1.5
as
e
te
m
pe
1.0
Am
ra
100
D=0.5
BIE
tu
NT吨
re
em
0.5
0
在ü
re
D=0.2
D=0.1
单脉冲
-40 -20
0
20 40
60 80 100 120 140 160 180 200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
牛逼 - 温度
(°C)
脉冲宽度(秒)
降额曲线
最大瞬态热阻抗
3-258
ZTX750
ZTX751
典型特征
0.6
0.5
td
tr
tf
ns
140
I
B1
=I
B2
=I
C
/10
ts
ns
700
600
500
400
300
200
100
0
0.1
1
ts
td
tf
tr
V
CE ( SAT )
- (伏)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
C
/I
B
=10
120
开关时间
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
80
60
40
20
0
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE ( SAT )
V I
C
转换速度
1.4
225
175
V
CE
=2V
125
1.2
V
BE ( SAT )
- (伏)
h
FE
- 增益
1.0
I
C
/I
B
=10
0.8
75
0
0.01
0.1
1
10
0.6
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流(安培)
I
C
-
集电极电流(安培)
h
FE
V I
C
10
1.2
V
BE ( SAT )
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
V
BE
- (伏)
1.0
V
CE
=2V
0.8
I
C
- 集电极电流(安培)
1
0.6
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
100s
0.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
ZTX750
ZTX751
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流(安培)
V
CE
-
集电极电压(伏特)
V
BE(上)
V I
C
安全工作区
3-259
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZTX751STOA
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    -
    -
    -
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电话:755-83349415/83229300
联系人:侯先生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园2栋中809室.
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进口原装假一赔十
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ZTX751STOA
zetex
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进口原装假一赔十
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联系人:夏先生 朱小姐
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