ZXMP3A17DN8
双P沟道30V增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
订购信息
设备
ZXMP3A17DN8TA
ZXMP3A17DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMP
3A17D
顶视图
暂定发行A - 2002年8月
1
ZXMP3A17DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （B ） （D ）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70℃ （二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （一） （四）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-4.4
-3.6
-3.4
-16.2
-2.5
-16.2
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（二） （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
暂定发行A - 2002年8月
2
ZXMP3A17DN8
双P沟道30V增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
订购信息
设备
ZXMP3A17DN8TA
ZXMP3A17DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMP
3A17D
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
ZXMP3A17DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （B ） （D ）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70℃ （二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （一） （四）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-4.4
-3.6
-3.4
-16.2
-2.5
-16.2
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（二） （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
第1期 - 2005年10月
2
ZXMP3A17DN8
双P沟道30V增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -30V ;
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
订购信息
设备
ZXMP3A17DN8TA
ZXMP3A17DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMP
3A17D
顶视图
暂定发行A - 2002年8月
1
ZXMP3A17DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （B ） （D ）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70℃ （二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25℃ （一） （四）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
20
-4.4
-3.6
-3.4
-16.2
-2.5
-16.2
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（二） （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
暂定发行A - 2002年8月
2
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