SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期？ 1995年10月
7
特点
* 6A脉冲漏极电流
*开关速度快
ZVN2110G
D
S
PARTMARKING详细信息 -
互补式 -
ZVN2110
ZVP2110G
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
100
500
6
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导（1）（ 2）
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容（ 2 ）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
250
1.5
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
100
0.8
2.4
V
V
nA
A
A
A
4
mS
75
25
8
7
8
13
13
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=1A
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
条件。
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
= 0V ，T = 125 ℃（2 ）
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
V
DS
= 25V ，我
D
=1A
0.1
20
1
100
2
350
59
16
4
4
4
8
8
漏源二极管的特性
参数
符号
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
0.82
112
条件。
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间
V
SD
T
RR
V
ns
I
S
= 0.32A ，V
GS
=0
I
F
= 0.32A ，V
GS
=0, I
R
=0.1A
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
3 - 387
ZVN2110G
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
2.0
V
GS =
10V
9V
2.0
1.6
1.2
5V
0.8
4V
0.4
3V
0
2
4
6
8
10
V
GS =
10V
9V
8V
7V
6V
1.6
1.2
8V
7V
6V
0.8
5V
0.4
4V
3V
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
饱和特性
V
DS-
漏源
电压（伏）
10
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
25V
V
DS =
10V
8
6
4
I
D=
1A
500mA
100mA
2
0
0
2
4
6
8
10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
传输特性
的RDS（on ） - 漏源电阻
()
10
2.4
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
r
ou
-S
in
a
Dr
a
IST
es
eR
c
5
I
D
=
1A
500mA
100mA
eR
nc
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
1 A
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS （ TH）
1
1
10
100
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS-
门源电压
（伏）
T
j
-Junction温度（℃ ）
导通电阻的V栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
3 - 388
ZVN2110G
典型特征
500
500
g
fs
-Transconductance （MS ）
g
fs
-Transconductance （MS ）
400
300
200
100
V
DS =
25V
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
25V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D（上）
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
16
100
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D=
1A
V
DS
=
20V
50V
80V
C-电容（pF ）
80
60
40
20
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
C
国际空间站
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 389
SOT223 N沟道增强
模式垂直DMOS FET
第3期？ 1995年10月
7
特点
* 6A脉冲漏极电流
*开关速度快
ZVN2110G
D
S
PARTMARKING详细信息 -
互补式 -
ZVN2110
ZVP2110G
D
G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
100
500
6
±
20
2
-55到+150
单位
V
mA
A
V
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流（ 1 ）
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导（1）（ 2）
输入电容（ 2 ）
共源输出
电容（2）
反向传输电容（ 2 ）
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
上升时间（ 2 ）（3）
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ）
下降时间（2）（ 3）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
250
1.5
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
100
0.8
2.4
V
V
nA
A
A
A
4
mS
75
25
8
7
8
13
13
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DD
≈25V,
I
D
=1A
V
DS
=25 V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
条件。
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
I
D
= 1mA时， V
DS
= V
GS
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0
V
DS
=80V, V
GS
= 0V ，T = 125 ℃（2 ）
V
DS
=25V, V
GS
=10V
V
GS
= 10V ，我
D
=1A
V
DS
= 25V ，我
D
=1A
0.1
20
1
100
2
350
59
16
4
4
4
8
8
漏源二极管的特性
参数
符号
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
0.82
112
条件。
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间
V
SD
T
RR
V
ns
I
S
= 0.32A ，V
GS
=0
I
F
= 0.32A ，V
GS
=0, I
R
=0.1A
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
（ 2 ）样品测试。
（ 3 ）开关时间测量50Ω源阻抗和＆lt; 5ns的上升时间的脉冲发生器
3 - 387
ZVN2110G
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
2.0
V
GS =
10V
9V
2.0
1.6
1.2
5V
0.8
4V
0.4
3V
0
2
4
6
8
10
V
GS =
10V
9V
8V
7V
6V
1.6
1.2
8V
7V
6V
0.8
5V
0.4
4V
3V
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
饱和特性
V
DS-
漏源
电压（伏）
10
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
25V
V
DS =
10V
8
6
4
I
D=
1A
500mA
100mA
2
0
0
2
4
6
8
10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
传输特性
的RDS（on ） - 漏源电阻
()
10
2.4
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
r
ou
-S
in
a
Dr
a
IST
es
eR
c
5
I
D
=
1A
500mA
100mA
eR
nc
n)
(o
DS
V
GS =
10V
I
D=
1 A
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
栅极阈值电压V
GS （ TH）
1
1
10
100
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS-
门源电压
（伏）
T
j
-Junction温度（℃ ）
导通电阻的V栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
V温度
3 - 388
ZVN2110G
典型特征
500
500
g
fs
-Transconductance （MS ）
g
fs
-Transconductance （MS ）
400
300
200
100
V
DS =
25V
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
V
DS =
25V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
D（上）
- 漏电流（安培）
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
跨导V漏电流
跨导V栅源电压
16
100
V
GS
-Gate源极电压（伏特）
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D=
1A
V
DS
=
20V
50V
80V
C-电容（pF ）
80
60
40
20
C
OSS
C
RSS
0
10
20
30
40
50
C
国际空间站
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
V
DS
- 漏源极电压（伏特）
Q-费（ NC ）
电容V漏源电压
栅极电荷V栅源电压
3 - 389
QQ：2880707522 复制
