ZXMP2120FF
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
电源dissapation在T
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
SM
P
D
极限
-200
± 20
-137
-0.8
-0.8
1
8
1.5
12.3
-55到+150
单位
V
V
mA
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
125
81
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第1期 - 2007年1月
捷特科PLC 2007
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ZXMP2120FF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
-200
-10
-100
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
通态漏电流
(*)
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
-300
50
-1.5
20
-3.5
28
mA
mS
V
A
A
nA
V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= -200V, V
GS
=0V
V
DS
= -160V, V
GS
= 0V ， T = 125℃
()
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -150mA
V
DS
= -25V, V
GS
=-10V
V
DS
= -25V ，我
D
= -150mA
V
DS
= -25V, V
GS
=0V
f=1MHz
符号
分钟。
马克斯。
单位条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
正向跨导
(*) ()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
25
7
pF
pF
pF
7
15
12
15
ns
ns
ns
ns
V
DD
= -25V, V
GS
= -10V
I
D
= -150mA
R
来源
≈
50
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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ZXMP2120FF
典型特点酒色
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
V
GS =
-10V
- 8V
-7V
-6V
-0.4
-0.4
V
GS
=
-10V
- 8V
- 7V
-6V
-0.6
-0.3
- 5V
-0.2
-4.5V
-0.1
-4V
-3.5V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-5V
-0.2
-4.5V
- 4V
0
0
-20
-40
-60
-80
-3.5V
-100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
-20
V
DS-
漏源
电压（伏）
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
I
D=
-
300mA
V
DS =
-25V
-0.6
-0.4
-10V
-0.2
-200mA
-100mA
-50mA
-10
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
(Ω)
传输特性
100
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
e
eR
rc
u
So
n-
ai
Dr
e
nc
ta
SIS
n)
(o
DS
R
50
I
D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
V
GS =
-10V
I
D=-
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
门Thresh的
老电压
V
GS （ TH）
10
-1
-10
-20
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T-温度
(°C)
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
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绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
电源dissapation在T
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
SM
P
D
极限
-200
± 20
-137
-0.8
-0.8
1
8
1.5
12.3
-55到+150
单位
V
V
mA
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
125
81
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
-200
-10
-100
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
通态漏电流
(*)
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
-300
50
-1.5
20
-3.5
28
mA
mS
V
A
A
nA
V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
= -200V, V
GS
=0V
V
DS
= -160V, V
GS
= 0V ， T = 125℃
()
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -150mA
V
DS
= -25V, V
GS
=-10V
V
DS
= -25V ，我
D
= -150mA
V
DS
= -25V, V
GS
=0V
f=1MHz
符号
分钟。
马克斯。
单位条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
正向跨导
(*) ()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100
25
7
pF
pF
pF
7
15
12
15
ns
ns
ns
ns
V
DD
= -25V, V
GS
= -10V
I
D
= -150mA
R
来源
≈
50
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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典型特点酒色
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
V
GS =
-10V
- 8V
-7V
-6V
-0.4
-0.4
V
GS
=
-10V
- 8V
- 7V
-6V
-0.6
-0.3
- 5V
-0.2
-4.5V
-0.1
-4V
-3.5V
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-5V
-0.2
-4.5V
- 4V
0
0
-20
-40
-60
-80
-3.5V
-100
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
DS
- 漏源
电压（伏）
输出特性
饱和特性
I
D（上） -
通态漏电流（安培）
-20
V
DS-
漏源
电压（伏）
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
I
D=
-
300mA
V
DS =
-25V
-0.6
-0.4
-10V
-0.2
-200mA
-100mA
-50mA
-10
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS-
门源
电压（伏）
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
(Ω)
传输特性
100
2.6
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-40 -20
0
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n-
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(o
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R
50
I
D=
-300mA
-200mA
-I00mA
-50mA
V
GS =
-10V
I
D=-
0.1A
V
GS =
V
DS
I
D=
-1mA
门Thresh的
老电压
V
GS （ TH）
10
-1
-10
-20
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
-Gate源电压
（伏）
T-温度
(°C)
上的电阻与栅极 - 源极电压
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
第1期 - 2007年1月
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