ZXMN3A02N8
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.025
I
D
= 9.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A02N8TA
ZXMN3A02N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A02
顶视图
第3期 - 2003年8月
1
半导体
ZXMN3A02N8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
9.0
7.2
7.3
44
3.2
44
1.56
12.5
2.5
20
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
80
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第3期 - 2003年8月
半导体
2
ZXMN3A02N8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
符号
分钟。
30
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
100
A
nA
V
0.025
0.035
条件。
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 30V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 12A
V GS = 4.5V ， I D = 10.2A
V DS = 10V ， I D = 12A
1.0
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
国际空间站
OSS
RSS
克FS
22
1400
209
120
3.9
5.5
35.0
7.6
14.5
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
V DS = 25V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
V DD = 10V ， I D = 1A
R G
6.0,
V GS = 4.5V
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 5V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 10V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
Qg
Q GS
Q GD
V SD
吨RR
Q RR
26.8
4.7
4.7
0.85
17
8.3
0.95
nC
nC
nC
V
ns
nC
T J = 25° C， I S = 9A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 5.5A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度
≤300s.
占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第3期 - 2003年8月
半导体
4
ZXMN3A02N8
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.025
I
D
= 9.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A02N8TA
ZXMN3A02N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A02
顶视图
第3期 - 2003年8月
1
半导体
ZXMN3A02N8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
9.0
7.2
7.3
44
3.2
44
1.56
12.5
2.5
20
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
80
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第3期 - 2003年8月
半导体
2
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电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
符号
分钟。
30
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
100
A
nA
V
0.025
0.035
条件。
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 30V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 12A
V GS = 4.5V ， I D = 10.2A
V DS = 10V ， I D = 12A
1.0
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
国际空间站
OSS
RSS
克FS
22
1400
209
120
3.9
5.5
35.0
7.6
14.5
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
V DS = 25V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
V DD = 10V ， I D = 1A
R G
6.0,
V GS = 4.5V
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 5V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 10V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
Qg
Q GS
Q GD
V SD
吨RR
Q RR
26.8
4.7
4.7
0.85
17
8.3
0.95
nC
nC
nC
V
ns
nC
T J = 25° C， I S = 9A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 5.5A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度
≤300s.
占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第3期 - 2003年8月
半导体
4
ZXMN3A02N8
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.025
I
D
= 9.0A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A02N8TA
ZXMN3A02N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A02
顶视图
第4期 - 2005年1月
1
半导体
ZXMN3A02N8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= -10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
9.0
7.2
7.3
44
3.2
44
1.56
12.5
2.5
20
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
80
50
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第4期 - 2005年1月
半导体
2
ZXMN3A02N8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
符号
分钟。
30
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1
100
A
nA
V
0.025
0.035
条件。
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 30V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 12A
V GS = 4.5V ， I D = 10.2A
V DS = 10V ， I D = 12A
1.0
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
国际空间站
OSS
RSS
克FS
22
1400
209
120
3.9
5.5
35.0
7.6
14.5
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
V DS = 25V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
V DD = 10V ， I D = 1A
R G
6.0,
V GS = 4.5V
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 5V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
V DS = 15V ，V GS = 10V ，
I D = 5.5A
（请参考测试电路）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
Qg
Q GS
Q GD
V SD
吨RR
Q RR
26.8
4.7
4.7
0.85
17
8.3
0.95
nC
nC
nC
V
ns
nC
T J = 25° C， I S = 9A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 5.5A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度
≤300s.
占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第4期 - 2005年1月
半导体
4
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