ZXMN2AM832
MPPS 微型封装电源解决方案
双20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.12 ; I
D
= 3A
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP （微型引线封装）
概括这种双20V N沟道沟槽MOSFET采用了独特的结构
相结合的低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压电源管理
应用程序。用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
减少元件数量
双3x2mm MLP模具
特点
低开 - 电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
采用3mm x 2毫米MLP
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
断开开关
电机控制
引脚
7
订购信息
设备
ZXMN2AM832TA
ZXMN2AM832TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
脱氧核糖核酸
第3期 - 2005年1月
1
半导体
ZXMN2AM832
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70 C
（B ） （F ）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
漏电流脉冲
连续源电流（体二极管）
（B ） （F ）
脉冲源电流（体二极管）
在TA功耗= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（B ） （F ）
（一）（六）
（B ） （F ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道
20
12
3.7
3.0
2.9
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
13
3.0
13
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
（ C） （F ）
在TA功耗= 25°C （
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
D） （F ）
（D ） （G ）
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第3期 - 2005年1月
半导体
2
ZXMN2AM832
MPPS 微型封装电源解决方案
双20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.12 ; I
D
= 3A
描述
封装在新的创新的3mm x 2毫米MLP （微型引线封装）
概括这种双20V N沟道沟槽MOSFET采用了独特的结构
相结合的低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压电源管理
应用程序。用户也将获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
减少元件数量
双3x2mm MLP模具
特点
低开 - 电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
采用3mm x 2毫米MLP
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
断开开关
电机控制
引脚
7
订购信息
设备
ZXMN2AM832TA
ZXMN2AM832TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
采用3mm x 2毫米双MLP
仰视图
器件标识
脱氧核糖核酸
第3期 - 2005年1月
1
半导体
ZXMN2AM832
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70 C
（B ） （F ）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
漏电流脉冲
连续源电流（体二极管）
（B ） （F ）
脉冲源电流（体二极管）
在TA功耗= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（B ） （F ）
（一）（六）
（B ） （F ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道
20
12
3.7
3.0
2.9
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
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毫瓦/°C的
°C
I
DM
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P
D
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D
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英镑
13
3.0
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9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
（ C） （F ）
在TA功耗= 25°C （
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
D） （F ）
（D ） （G ）
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第3期 - 2005年1月
半导体
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