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TO
-9
Z0103MA0
4Q双向可控硅
版本01 - 2011年1月3日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面钝化敏感栅四象限三端双向可控硅在SOT54 ( TO- 92 )塑料封装
旨在用于需要增强抗噪声能力和直接连接的应用
逻辑IC和低功耗的栅极驱动器。
2
1.2特点和优点
直接连接到逻辑电平集成电路
增强的电流浪涌能力
增强的抗噪性
高阻断电压能力
敏感栅触发在所有四个
象限
1.3应用
通用低功耗电机
控制
家电
工业过程控制
低功率AC风扇控制器
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DRM
I
TSM
快速参考数据
参数
重复峰值断态
电压
非重复性峰值
通态电流
RMS通态电流
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25 °C;
t
p
= 20毫秒;看
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
领导
38 °C;
SEE
图3 ;
SEE
图1 ;
SEE
图2
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G + ;
T
j
= 25°C ;看
图7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2 + G- ;
T
j
= 25°C ;看
图7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G- ;
T
j
= 25°C ;看
图7
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A; T2- G + ;
T
j
= 25°C ;看
图7
条件
-
-
典型值
-
-
最大单位
600
V
12.5 A
I
T( RMS )
-
-
1
A
静态特性
I
GT
门极触发电流
0.2
0.2
0.2
0.2
-
-
-
-
3
3
3
5
mA
mA
mA
mA
恩智浦半导体
Z0103MA0
4Q双向可控硅
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
管脚信息
符号说明
T2
G
T1
主终端2
主终端1
T2
sym051
简化的轮廓
图形符号
T1
G
321
SOT54 ( TO-92 )
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
Z0103MA0
TO-92
描述
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
VERSION
SOT54
类型编号
4.极限值
表4 。
符号
V
DRM
I
T( RMS )
I
TSM
极限值
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
I
2
吨融合
率通态电流上升
全正弦波;牛逼
领导
38 ℃;看
图3 ;
SEE
图1 ;
SEE
图2
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;吨
p
= 20毫秒;
SEE
图4 ;
SEE
图5
全正弦波;牛逼
J(下INIT )
= 25°C ;吨
p
= 16.7毫秒
I
2
t
dI
T
/ DT
t
p
= 10毫秒;正弦波脉冲
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G +
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2 + G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G-
I
T
= 1 ;我
G
能力= 20 mA ;的dI
G
/ DT = 100毫安/微秒;
T2- G +
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
结温
在任何20毫秒期
条件
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
最大
600
1
12.5
13.8
0.78
50
50
50
20
1
2
0.1
150
125
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
W
W
°C
°C
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
Z0103MA0
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产品数据表
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2 13
恩智浦半导体
Z0103MA0
4Q双向可控硅
16
I
T( RMS )
(A)
12
003aac263
1.2
I
T( RMS )
(A)
003aac264
0.8
8
0.4
4
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间( S)
0
50
0
50
100
150
T
领导
(°C)
图1 。
RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
2.0
图2 。
RMS通态电流引线的功能
温度;最大值
003aac259
P
合计
(W)
1.6
传导
(度)
30
60
90
120
180
形式
因素
a
4
2.8
2.2
1.9
1.57
α
= 180°
α
120°
90°
60°
1.2
0.8
30°
0.4
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
T( RMS )
(A)
1.2
图3 。
总功耗为通态电流有效值的功能;最大值
Z0103MA0
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恩智浦半导体
Z0103MA0
4Q双向可控硅
16
I
TSM
(A)
12
003aaf449
8
I
T
4
1/f
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
0
1
10
10
2
周期数
10
3
I
TSM
t
图4 。
非重复峰值通态电流为正弦电流循环的数量的函数;最大
10
3
003aaf490
I
TSM
(A)
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J(下INIT )
= 25
°C
最大
10
2
(1)
(2)
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
p
(s)
图5 。
非重复性峰值通态电流为脉冲宽度的功能;最大值
Z0103MA0
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恩智浦半导体
Z0103MA0
4Q双向可控硅
5.热特性
表5 。
符号
R
日( J形引脚)
R
号(j -a)的
热特性
参数
从热阻
交界处领导
从热阻
结到环境
条件
全周期
全周期;印刷电路板安装;
铅长度为4毫米;看
图6
-
-
典型值
-
150
最大
60
-
单位
K / W
K / W
10
2
Z
日( J形引脚)
(K / W)
10
003aac206
1
P
10
1
t
p
t
10
2
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
图6 。
从结瞬态热阻抗导致的脉冲宽度的函数
Z0103MA0
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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