ZXMN2A14F
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ，R
DS
(
on
)=0.06 ; I
D
=4.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
214
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZXMN2A14F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
4.1
3.3
3.4
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
19
1.7
19
1
8
1.5
12
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
82
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
ZXMN2A14F
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
30
1
100
0.7
0.060
0.110
9.4
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=10V,I
D
=3.4A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
544
132
85
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
4.0
5.3
16.6
9.5
6.6
1.2
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V,
I
D
=3.4A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
6.0
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
11.4
4.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=(3.3)A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=(1.7)A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2003年9月
半导体
4
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20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ，R
DS
(
on
)=0.06 ; I
D
= 4.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A14FTA
REEL
SIZE
7”
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
引脚
器件标识
214
第3期 - 2007年9月
1
半导体
ZXMN2A14F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
4.1
3.3
3.4
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
19
1.7
19
1
8
1.5
12
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
82
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第3期 - 2007年9月
半导体
2
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电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
20
1
100
0.7
0.060
0.110
9.4
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=10V,I
D
=3.4A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
544
132
85
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
4.0
5.3
16.6
9.5
6.6
1.2
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V,
I
D
=3.4A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
6.0
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
11.4
4.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=(3.3)A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=(1.7)A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第3期 - 2007年9月
半导体
4
ZXMN2A14F
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ，R
DS
(
on
)=0.06 ; I
D
=4.1A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A14FTA
ZXMN2A14FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
214
第2期 - 2003年9月
1
半导体
ZXMN2A14F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
4.1
3.3
3.4
单位
V
V
A
A
A
A
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W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
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T
j
, T
英镑
(c)
19
1.7
19
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1.5
12
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
82
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2003年9月
半导体
2
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电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
30
1
100
0.7
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9.4
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
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GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=10V,I
D
=3.4A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
544
132
85
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
4.0
5.3
16.6
9.5
6.6
1.2
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V,
I
D
=3.4A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
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R
G
6.0
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
11.4
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0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=(3.3)A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=(1.7)A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2003年9月
半导体
4
产品speci fi cation
ZXMN2A14F
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ，R
DS
(
on
)=0.06 ; I
D
= 4.1A
描述
这种新一代的TY沟槽MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A14FTA
REEL
SIZE
7”
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
引脚
器件标识
214
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
ZXMN2A14F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
4.1
3.3
3.4
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
19
1.7
19
1
8
1.5
12
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
125
82
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 3
产品speci fi cation
ZXMN2A14F
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
20
1
100
0.7
0.060
0.110
9.4
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.4A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=10V,I
D
=3.4A
S
544
132
85
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V,
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
4.0
5.3
16.6
9.5
6.6
1.2
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V,
I
D
=3.4A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
6.0
V
SD
t
rr
Q
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0.85
11.4
4.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=(3.3)A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=(1.7)A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 3
QQ：2880707522 复制
