ZXLD1100
订购信息
设备
ZXLD1100H6
设备描述
升压转换采用SC70-6
温度范围
-40至+ 85°C
零件标记
110
TAPING
选项
TA ， TC
ZXLD1100H6TA = 7 “ 3000卷的设备
10000设备ZXLD1100H6TC = 13 “卷轴
绝对最大额定值
（电压GND除非另有说明）
参数
输入电压
LX输出电压
开关输出电流
功耗
工作温度
储存温度
结温
符号
(V
IN
)
(V
LX
)
(I
LX
)
（PD）的
(T
OP
)
(T
ST
)
(T
j max的情况
)
极限
7
30
500
300
-40到85
-55到150
125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
第4期 - 2004年7月
半导体
2
ZXLD1100
电气特性
（在V
IN
= 3V ，T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
(1)
)
符号
V
IN
I
IN
参数
输入电压
电源电流
静
关闭
V
FB
I
FB
f
LX
T
关闭
T
ON
I
LXpk
R
LX
I
LX （泄漏）
V
OUT
FB引脚电压控制
FB引脚的输入电流
工作频率
LX输出“OFF”时
LX输出“ON”时
(2)
开关峰值电流限制
开关“开”阻力
开关漏电流
控制器的输出电压
V
LX
=20V
正常工作
VSENSE引脚
开路或
接地
VSENSE连接
VOUT
设备激活
器件在关断
V
EN
=0V
V
EN
=V
IN
V
EN
从切换
前高后低
10kHz的< F < 100kHz时，
V
ENH
=V
IN
20
4
f=30kHz
52.5
120
100
25
1.5
30
V
IN
0.4
-100
1
L = 10 H ，V
OUT
=10V,
I
OUT
=20mA
320
1.5
1
28
A
V
L = 10 H ，V
OUT
=10V,
I
OUT
=20mA
350
0.35
500
5
V
EN
= V
IN
, I
LX
= 0,
输出不切换
V
EN
= 0V
90.5
60
100
500
109.5
100
1
A
nA
mV
nA
兆赫
ns
s
mA
条件
分钟。
2.5
典型值。
MAX 。 UNIT
5.5
V
V
输出（最大）
控制器的输出电压与输出
开路
(3)
V
ENH
V
ENL
I
ENL
I
ENH
T
EN （保持）
T/T
f
LPF
A
LPF
EN引脚高电平输入电压
EN引脚低电平输入电压
EN引脚低电平输入电流
EN引脚高电平输入电流
EN引脚关断延迟
(4)
在“EN”输入PWM占空比范围
滤波PWM控制
(5)
内部PWM低通滤波器的截止
频率
滤波器衰减
V
V
V
nA
A
s
%
千赫
dB
注意事项：
（1 ）制备该装置的测试是在25℃下进行。该器件在-40°C的功能操作至+ 85 ° C的温度范围是
由设计，表征和过程控制保证。
（ 2 ） “关于”标称时间（T
ONnom
）由输入电压（所限定的V
IN
），线圈的电感（L）和峰电流（I
LXpkdc
）根据以下表达式：
T
ONnom
= {I
LX （ pkdc
）× L / V
IN
} + 200ns的。
（3 ）当使用开路保护功能，在正常操作下的最大输出电压应保持在低于
最小值规定，以防止电流控制环路的可能的干扰。
（ 4 ）这是该装置仍处于活动状态后， EN引脚被置为低电平的时间。这个延迟是必要的，以使输出为
DC PWM模式操作过程中保持不变。
（5）在这种操作模式下的最小的PWM信号的频率是确保该装置的PWM控制过程中保持活性。这
提供了一个连续的直流输出电流。对于较低频率，该装置将被选通“开启”和“关闭”的PWM控制期间。
（6）在这种操作模式下，最大的PWM信号的频率应保持尽可能低，以使误差最小，由于关断
该设备的延迟（见使能引脚关断延时） 。
第4期 - 2004年7月
3
半导体
ZXLD1100
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
名字
LX
GND
FB
EN
描述
NDMOS开关输出
地（ 0V ）
反馈引脚电流控制环路（连接电阻R1
此引脚与GND输出电流I = 100毫伏/ R1 ）
使能输入（高电平有效开启装置）
也可以用来调节输出电流的PWM信号。
连接到V
in
永久操作。
5
6
VSENSE
V
IN
输出电压感测（用于开路保护） 。
连接至GND ，如果不是必需的。
输入电压（ 2.5V至5.5V ） 。去耦电容有密切
到设备。
框图
第4期 - 2004年7月
半导体
4
ZXLD1100
设备描述
该装置是PFM反激式直流 - 直流升压变换器，
在非连续模式工作。
参照芯片方框图和典型
应用电路，该装置的操作是作为
如下所示：
控制回路
当“EN”为高时，控制电路被激活
和线圈（L1 ）的低压侧被切换到接地
通过NDMOS晶体管（ MN ） 。在L1中的电流是
可以建立一个内部定义级别
（标称320毫安） MN之前是关闭的。能源
存储在L1中，然后转移到输出电容器
（C2），通过肖特基二极管（D1） 。当C2上的电压
上述系列的阈值电压已上升
连接的LED ，电流将流过外部
检流电阻R1 。 R1两端产生的电压
感觉到脚' FB '和相比100mV的参考
电压（V
REF
） 。比较器检测时，
反馈电压是高于V
REF
并且其输出用于
控制输出开关的“关断”的时间。控制
环是自激振荡，产生高达5秒的脉冲
最大持续时间（ “上”开关），其频率
成比例地变化的LED电流。反馈
环路保持V的电压
REF
在FB引脚和
因此，定义了一个最大LED电流等于V
REF
由R1分。最小“关断”输出的时间
开关被固定在0.5秒的名义，以留出时间为
待耗散线圈的能量，开关是前
再次打开。这保持了稳定，高效的
运行在非连续模式。
开路保护
之间存在的一个内部雪崩二极管
V
SENSE
和FB管脚的装置。该二极管，一起
与相关的电阻器提供开路
保护时， V
SENSE
销被连接到
输出电压。在开路的情况下
状态时，输出电压将上升到高于
击穿电压的内部二极管的，这将
然后进行并覆盖从控制信号
电流检测电阻。这样可保持输出
电压在下面的击穿电压的电平
输出开关。在这种情况下电源电流将下降
到一个低的值作为控制回路仅提供偏压
当前的二极管。
滤波PWM操作
内部低通滤波器的输入端被切换到
V
REF
当EN引脚为高电平，并切换到地
当EN引脚为低电平。这种过滤器驱动输出
在控制回路中的比较器。连续
在EN为高电平状态，因此提供了一个滤波后的电压
值V
REF
到比较器。然而，通过改变
EN信号中的一个适当高频率占空比
（ f>10kHz ） ，控制回路将看到一个电压，即具有
的平均值等于占空比乘以
V
REF
。这提供了调整的输出的装置
为较低的值的电流。它也允许器件是
均导通，并与在所述单个信号调节
“EN”引脚。在这种操作模式下，输出将
是一个直流电流等于（Ⅴ
REF
/ R1 ）×占空比
门控PWM操作
该ZXLD1100的内部电路被关断
当没有信号出现在“EN”脚以上
120秒（标称值） 。施加到A的低频信号
EN引脚会因此栅极“导通”的设备，并在“关断”
选通频率和该信号的占空比可
变化，以提供一个“斩”的输出电流等于
到（Ⅴ
REF
/ R 1 ）×工作周期。为了获得最佳的精度，选通
频率应尽可能低（例如
低于1kHz ） ，使得芯片的关断延迟时间为
选通期间只有一小部分
设定输出电流的进一步细节在给出
在亮度控制应用部分。
第4期 - 2004年7月
5
半导体
ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
·
94 ％的效率
·
最小工作输入电压0.8V
·
最大工作输入电压8V
·
待机电流小于5μA
·
可编程输出电流
·
串联或并联的LED配置
·
低饱和电压开关晶体管
·
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
·
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
·
LED手电筒和火把
·
白光LED驱动
·
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
·
C310
暂定发行A - 2001年9月
1
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
更详细的信息可以在Zetex的发现
表面贴装产品数据手册或Zetex的网站上
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
AP PL IC的IO NS s ECT我对泽TEX ZHC S1 0 0 0 isthe
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，
更详细的信息可以Zetex的Web上找到
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
暂定发行A - 2001年9月
3
SOT23封装硅HIGH CURRENT
肖特基势垒二极管“ SuperBAT ”
ISSUE 1 1997年9月
产品特点：
低V
F
高电流能力
应用范围：
直流 - 直流转换器
移动telecomms
PCMCIA
PARTMARK详细信息： ZS5
7
1
ZHCS500
C
1
A
3
2
3
SOT23
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流（连续）
正向电压@ I
F
= 500毫安
平均峰值正向电流;直流= 50 ％
不重复正向电流t≤100μs
t≤10ms
在T功耗
AMB
= 25° C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
500
550
1000
6.75
3
330
-55到+ 150
125
单位
V
mA
mV
mA
A
A
mW
°C
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
典型值。
60
270
300
370
465
550
640
810
440
15
20
10
300
350
460
550
670
780
1050
40
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
条件。
I
R
= 200A
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
50mA*
100mA*
250mA*
500mA*
750mA*
1000mA*
1500mA*
500毫安，T
AMB
= 100° C*
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
V
R
= 30V
F = 1MHz时， V
R
= 25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS ;占空比
≤2%
.
ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
94 ％的效率
最小工作输入电压0.8V
最大工作输入电压8V
待机电流小于5μA
可编程输出电流
串联或并联的LED配置
低饱和电压开关晶体管
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
LED手电筒和火把
白光LED驱动
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5TA
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
C310
SOT23-5封装
第3期 - 2007年9月
1
半导体
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
米矿详细的I nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/fmmt618
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
应用部分Zetex的ZHCS1000是
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，更
详细的我nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/zhcs1000
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
第3期 - 2007年9月
3
半导体
SOT23封装硅HIGH CURRENT
肖特基势垒二极管“ SuperBAT ”
ISSUE 1 1997年9月
产品特点：
低V
F
高电流能力
应用范围：
直流 - 直流转换器
移动telecomms
PCMCIA
PARTMARK详细信息： ZS5
7
1
ZHCS500
C
1
A
3
2
3
SOT23
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流（连续）
正向电压@ I
F
= 500毫安
平均峰值正向电流;直流= 50 ％
不重复正向电流t≤100μs
t≤10ms
在T功耗
AMB
= 25° C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
500
550
1000
6.75
3
330
-55到+ 150
125
单位
V
mA
mV
mA
A
A
mW
°C
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
典型值。
60
270
300
370
465
550
640
810
440
15
20
10
300
350
460
550
670
780
1050
40
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
条件。
I
R
= 200A
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
50mA*
100mA*
250mA*
500mA*
750mA*
1000mA*
1500mA*
500毫安，T
AMB
= 100° C*
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
V
R
= 30V
F = 1MHz时， V
R
= 25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS ;占空比
≤2%
.
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