ZXMHC3A01T8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
N沟道
30
±20
3.1
2.5
2.7
14.5
2.3
14.5
1.3
10.4
1.7
13.6
P沟道
-30
±20
-2.3
-1.8
-2.0
-10.8
-2.2
-10.8
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
D
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
价值
96
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评级50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 ， D = 0.02 ，脉冲宽度300的S - 脉冲宽度有限的最高结温。参考
到瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
草案问题E - 2004年4月
半导体
2
ZXMHC3A01T8
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
30
1.0
100
1.0
3.0
0.12
0.18
3.5
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
DS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.7
2.3
6.6
2.9
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 2.5A
R
G
6.0, V
GS
= 10V
0.95
17.7
13.0
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
草案问题E - 2004年4月
半导体
4
ZXMHC3A01T8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
N沟道
30
±20
3.1
2.5
2.7
14.5
2.3
14.5
1.3
10.4
1.7
13.6
P沟道
-30
±20
-2.3
-1.8
-2.0
-10.8
-2.2
-10.8
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
D
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
价值
96
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评级50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 ， D = 0.02 ，脉冲宽度300的S - 脉冲宽度有限的最高结温。参考
到瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
草案问题E - 2004年4月
半导体
2
ZXMHC3A01T8
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
30
1.0
100
1.0
3.0
0.12
0.18
3.5
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
DS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.7
2.3
6.6
2.9
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 2.5A
R
G
6.0, V
GS
= 10V
0.95
17.7
13.0
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
草案问题E - 2004年4月
半导体
4
ZXMHC3A01T8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
N沟道
30
±20
3.1
2.5
2.7
14.5
2.3
14.5
1.3
10.4
1.7
13.6
P沟道
-30
±20
-2.3
-1.8
-2.0
-10.8
-2.2
-10.8
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
I
D
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
价值
96
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评级50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 ， D = 0.02 ，脉冲宽度300的S - 脉冲宽度有限的最高结温。参考
到瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
草案问题E - 2004年4月
半导体
2
ZXMHC3A01T8
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
动态
(3)
(1) (3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
30
1.0
100
1.0
3.0
0.12
0.18
3.5
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2.0A
V
DS
= 4.5V ，我
D
= 2.5A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
1.7
2.3
6.6
2.9
3.9
0.6
0.9
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 2.5A
R
G
6.0, V
GS
= 10V
0.95
17.7
13.0
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
草案问题E - 2004年4月
半导体
4
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