ZL60212
880纳米高性能单芯片
复式
数据表
2004年5月
订购信息
ZL60212TBD TO- 46封装带透镜
ZL60212TDD ST房屋
ZL60212TGD SMA房
-55 ° C至+ 125°C
描述
该单芯片器件既可作为发射极
和检测器，并通过在单根光纤传输数据
半双工模式;因此，降低了光纤和
与传统相比，组件成本
的方法。
特点
半双工在单根光纤
单芯片解决方案
高速
工业温度范围
120 μW的典型额定光纤功率耦合
4.7
1.5
0.6
3.7
应用
工业控制系统
长距离RS232
安全系统
单光纤数据通信
0.4
例
14
阴极
阳极
2.5
5.4
底部视图
尺寸：mm 。
二极管芯片从壳体分离。
TO- 46封装，镜头
1
卓联半导体公司
卓联， ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2003-2004卓联半导体公司保留所有权利。
ZL60212
光学和电学特性 - 外壳温度25℃
参数
光纤耦合功率
（图1 ，图2和3）
（表1）
上升和下降时间
(10-90%)
带宽
（3 dB为单位）
峰值波长
谱宽（ FWHM ）
正向电压
（图5）
响应
（图6 ，图7和8）
（表2）
上升和下降时间
(10-90%)
接收
模式
带宽
电容
暗电流
注1 ：
注2 ：
数据表
符号
P
纤维
民
80
典型值
120
最大
单位
W
测试条件
I
F
= 60毫安
（见注1和
2)
I
F
= 60毫安
（无偏差）
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
V
R
= 1 V
λ
= 880 nm的
V
R
= 1 V
R
L
= 50
（无偏差）
V
R
= 1 V
R
L
= 50
V
R
= 1 V，F 1兆赫
V
R
= 1 V
纤维
62.5/125
m
梯度
指数
NA = 0.275
t
r
t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
R
0.10
860
7
50
880
50
1.9
0.15
10
ns
兆赫
EMITTING
模式
890
nm
nm
2.1
V
/ W
纤维
62.5/125
m
梯度
指数
NA = 0.275
t
r
t
f
7
10
ns
f
c
C
I
d
50
30
10
50
兆赫
pF
nA
测定在100米的光纤的出射。
额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46封装，为住房选择光纤耦合功率通常小于10 ％ 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度（降额：图4 ）
电能损耗（降额：图4 ）
连续正向电流（ f<10千赫）
峰值正向电流（负载Cycle<50 ％ ， f>1兆赫
反向电压
焊接温度（从10秒的情况下为2 mm。 ）
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+ 125°C
-55到+ 125°C
160毫瓦
80毫安
130毫安
2.0 V
260°C
2
卓联半导体公司
ZL60212
880纳米高性能单芯片
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2004年5月
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ZL60212TBD TO- 46封装带透镜
ZL60212TDD ST房屋
ZL60212TGD SMA房
-55 ° C至+ 125°C
描述
该单芯片器件既可作为发射极
和检测器，并通过在单根光纤传输数据
半双工模式;因此，降低了光纤和
与传统相比，组件成本
的方法。
特点
半双工在单根光纤
单芯片解决方案
高速
工业温度范围
120 μW的典型额定光纤功率耦合
4.7
1.5
0.6
3.7
应用
工业控制系统
长距离RS232
安全系统
单光纤数据通信
0.4
例
14
阴极
阳极
2.5
5.4
底部视图
尺寸：mm 。
二极管芯片从壳体分离。
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1
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版权所有2003-2004卓联半导体公司保留所有权利。
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光学和电学特性 - 外壳温度25℃
参数
光纤耦合功率
（图1 ，图2和3）
（表1）
上升和下降时间
(10-90%)
带宽
（3 dB为单位）
峰值波长
谱宽（ FWHM ）
正向电压
（图5）
响应
（图6 ，图7和8）
（表2）
上升和下降时间
(10-90%)
接收
模式
带宽
电容
暗电流
注1 ：
注2 ：
数据表
符号
P
纤维
民
80
典型值
120
最大
单位
W
测试条件
I
F
= 60毫安
（见注1和
2)
I
F
= 60毫安
（无偏差）
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
I
F
= 60毫安
V
R
= 1 V
λ
= 880 nm的
V
R
= 1 V
R
L
= 50
（无偏差）
V
R
= 1 V
R
L
= 50
V
R
= 1 V，F 1兆赫
V
R
= 1 V
纤维
62.5/125
m
梯度
指数
NA = 0.275
t
r
t
f
f
c
λ
p
λ
V
F
R
0.10
860
7
50
880
50
1.9
0.15
10
ns
兆赫
EMITTING
模式
890
nm
nm
2.1
V
/ W
纤维
62.5/125
m
梯度
指数
NA = 0.275
t
r
t
f
7
10
ns
f
c
C
I
d
50
30
10
50
兆赫
pF
nA
测定在100米的光纤的出射。
额定光纤耦合功率仅适用于TO- 46封装，为住房选择光纤耦合功率通常小于10 ％ 。
绝对最大额定值
参数
储存温度
工作温度（降额：图4 ）
电能损耗（降额：图4 ）
连续正向电流（ f<10千赫）
峰值正向电流（负载Cycle<50 ％ ， f>1兆赫
反向电压
焊接温度（从10秒的情况下为2 mm。 ）
符号
T
英镑
T
op
P
合计
I
F
I
FRM
V
R
T
SLD
极限
-55到+ 125°C
-55到+ 125°C
160毫瓦
80毫安
130毫安
2.0 V
260°C
2
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