ZXM64N035L3
35V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 35V ，R
DS （ ON）
= 0.060 : I
D
= 13A
描述
这种新一代的从Zetex的高细胞密度的平面MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
·
低导通电阻
·
开关速度快
·
低门槛
·
低栅极驱动器
·
TO220封装
应用
·
100W的D类音频输出级
·
电机控制
订购信息
设备
ZXM64N035L3
倍数
1000
前视图
器件标识
·
ZXM6
4N035
第1期 - 2004年6月
1
ZXM64N035L3
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1.0
0.060
0.070
4.3
S
35
1
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=35V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=3.7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1.9A
V
DS
=10V,I
D
=1.9A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件
静态漏源导通电阻
(1)
R
DS （ ON）
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
24.5
19.1
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.2
4.5
20.5
8
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
950
200
50
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
27
5
4.5
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=3.7A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.7A
R
G
=6.0
,
V
GS
=10V
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=3.7A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=3.7A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300秒。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年6月
3
ZXM64N035L3
包装外形
包装尺寸
暗淡
MILLIMETERS
民
A
b
b1
c1
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
P
Q
3.54
2.54
3.56
0.38
1.15
0.41
14.23
9.66
2.29
4.83
0.51
5.58
2.04
12.70
最大
4.82
1.01
1.77
0.50
16.51
10.66
2.79
5.33
1.39
6.85
2.92
14.73
6.35
4.08
3.42
0.139
0.100
英寸
民
0.140
0.015
0.045
0.016
0.560
0.380
0.090
0.190
0.20
0.230
0.080
0.500
最大
0.189
0.040
0.070
0.020
0.650
0.419
0.110
0.210
0.055
0.270
0.115
0.580
0.250
0.160
0.134
捷特科2004年PLC
欧洲
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第1期 - 2004年6月
4
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