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光电晶体管
PNZ123S
硅NPN光电晶体管
单位:mm
对于光控系统
4.1±0.3
2.0±0.2
12.5分钟。
3.0±0.2
可与LN62S结合,以形成一个光遮断器
特点
高灵敏度
低暗电流
响应速度快:吨
r
= 3.5
s
(典型值)。
小尺寸( O 3)陶瓷封装
0.3±0.05
0.45±0.05
0.9±0.15
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极到发射极电压
发射极到集电极的电压
集电极电流
集电极耗散功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
T
OPR
T
英镑
评级
20
5
10
50
-25至+85
-30到+100
单位
V
V
mA
mW
C
C
2
1
1 :发射器
2 :收藏家
光电特性
( TA = 25°C )
参数
暗电流
集电极电流照片
峰值灵敏度波长
验收半角
上升时间
下降时间
*1
*2
符号
I
首席执行官
I
CE (L)的
λ
P
θ
t
r*2
t
f*2
V
CE
= 10V
条件
V
CE
= 10V , L = 1000 LX
*1
V
CE
= 10V
测量从光轴到半功率点
V
CC
= 10V ,我
CE (L)的
= 1毫安,R
L
= 100
400
典型值
1
800
30
3.5
5
最大
100
700
单位
nA
A
nm
度。
s
s
测量是采用钨灯(色温Tc = 2856K )作为光源进行。
开关时间测量电路
Sig.IN
V
CC
(输入脉冲)
Sig.OUT (输出脉冲)
90%
10%
t
d
t
r
t
f
t
d
:延迟时间
t
r
:上升时间(所需要的时间,以收集光电流
从10%提高到90%其最终值的)
t
f
:下降时间(时间要求的集电极电流照片
减少从90%到其初始值的10%)
,,
,,
,,
50
R
L
1
光电晶体管
PNZ123S
P
C
- TA
60
1600
I
CE (L)的
— V
CE
10
4
TA = 25°C
T = 2856K
I
CE (L)的
— L
I
CE (L)的
(A)
V
CE
= 10V
TA = 25°C
T = 2856K
集电极耗散功率P
C
( mW)的
50
I
CE (L)的
(A)
1200
L = 2000 LX
1750 LX
1500 LX
10
3
40
集电极电流照片
集电极电流照片
30
800
1250 LX
1000 LX
400
LX 750
LX 500
LX 250
10
2
20
10
10
0
– 20
0
20
40
60
80
100
0
0
4
8
12
16
20
24
1
10
10
2
10
3
10
4
环境温度
的Ta ( ℃)
集电极到发射极电压
V
CE
(V)
照度
L( LX )
I
首席执行官
- TA
10
3
I
CE (L)的
- TA
10
4
光谱灵敏度特性
100
V
CE
= 10V
TA = 25°C
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
T = 2856K
I
CE (L)的
(A)
I
首席执行官
( nA的)
10
2
暗电流
10
集电极电流照片
10
3
1000 LX
相对灵敏度
L = 1500 LX
S (%)
10
2
– 20
0
20
40
60
80
100
80
60
40
1
20
10
–1
– 20
0
20
40
60
80
100
0
200
400
600
800
1000
1200
环境温度
的Ta ( ℃)
环境温度
的Ta ( ℃)
波长
λ
(纳米)
指向特性
0
100
10
20
10
3
t
r
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
10
3
t
f
— I
CE (L)的
V
CC
= 10V
TA = 25°C
80
70
60
50
40
30
20
相对灵敏度S (%)
90
30
10
2
10
2
t
r
(s)
40
50
60
70
80
90
上升时间
R
L
= 1k
500
下降时间
10
t
f
(s)
10
R
L
= 1k
500
1
1
100
100
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
10
–1
10
–2
10
–1
1
10
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
集电极电流照片
I
CE (L)的
(MA )
2
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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