ZXM62N03G
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.11 : I
D
= 4.7A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT223
特点
·
低导通电阻
·
开关速度快
·
低门槛
·
低栅极驱动器
·
SOT223封装
应用
·
DC- DC转换器
·
音频输出级
·
继电器和Soleniod驾驶
·
电机控制
订购信息
设备
ZXM62N03GTA
ZXM62N03GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
·
ZXM6
2N03
第1期 - 2002年10月
1
ZXM62N03G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
4.7
3.8
3.4
16
2.6
16
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度有限的最高结温。
第1期 - 2002年10月
2
ZXM62N03G
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1.0
0.11
0.15
1.1
S
30
1
100
V
A
nA
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=2.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1.1A
V
DS
=15V,I
D
=1.1A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
18.8
11.4
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
5.6
11.7
6.4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
380
90
30
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
9.6
1.7
2.8
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=2.2A
V
DD
= 15V ，我
D
=2.2A
R
G
=6.0
,
V
GS
=10V
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=2.2A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=2.2A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300秒。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年10月
4
ZXM62N03G
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.11 : I
D
= 4.7A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT223
特点
·
低导通电阻
·
开关速度快
·
低门槛
·
低栅极驱动器
·
SOT223封装
应用
·
DC- DC转换器
·
音频输出级
·
继电器和Soleniod驾驶
·
电机控制
订购信息
设备
ZXM62N03GTA
ZXM62N03GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
·
ZXM6
2N03
第1期 - 2002年10月
1
ZXM62N03G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
4.7
3.8
3.4
16
2.6
16
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度有限的最高结温。
第1期 - 2002年10月
2
ZXM62N03G
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1.0
0.11
0.15
1.1
S
30
1
100
V
A
nA
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=2.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1.1A
V
DS
=15V,I
D
=1.1A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
18.8
11.4
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
5.6
11.7
6.4
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
380
90
30
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
9.6
1.7
2.8
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=2.2A
V
DD
= 15V ，我
D
=2.2A
R
G
=6.0
,
V
GS
=10V
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=2.2A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=2.2A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300秒。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年10月
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