Super323
SOT323 NPN硅功率
（开关）晶体管
问题
2
-
2008年12月
特点
*
500mW的功耗
*
I
C
CONT 1A
*
2A峰值脉冲电流
*
优秀
FE
特点高达2A （脉冲）
*
极低的等效导通电阻;
R
CE （ SAT ）
应用
*
LCD背光逆变器电路
*
在DC-DC变换器升压功能
ZUMT619
设备类型
ZUMT619
补
ZUMT720
Partmarking
T63
R
CE （ SAT ）
160mΩ在1A
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
价值
50
50
5
2
1.0
200
385
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
工作和存储温T
j
:T
英镑
范围
°C
推荐P
合计
采用FR4测量10 ×8× 0.6毫米（静止空气中）来计算。
最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
采用其他供应商的大小25x25x0.6mm ，并使用可比较的测量方法。
ZUMT619
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
24
60
120
160
940
850
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
215
6
150
425
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
50
50
5
10
10
10
35
80
200
270
1100
1100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
V
CES
= 40V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安*
I
C
= 250毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2 V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2 V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10 V，I
C
= 1A
I
B1
=I
B2
=100mA
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
Super323
SOT323 NPN硅功率
（开关）晶体管
第1期 - 1998年9月
特点
*
500mW的功耗
*
I
C
CONT 1A
*
2A峰值脉冲电流
*
优秀
FE
特点高达2A （脉冲）
*
极低的等效导通电阻;
R
CE （ SAT ）
应用
*
LCD背光逆变器电路
*
在DC-DC变换器升压功能
ZUMT619
设备类型
ZUMT619
补
ZUMT720
Partmarking
T63
R
CE （ SAT ）
160mΩ在1A
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流**
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
价值
50
50
5
2
1.0
200
385
500
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
工作和存储温T
j
:T
英镑
范围
°C
推荐P
合计
采用FR4测量10 ×8× 0.6毫米（静止空气中）来计算。
最大功耗来计算假定该设备被安装在FR4
采用其他供应商的大小25x25x0.6mm ，并使用可比较的测量方法。
ZUMT619
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极发射极
截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
24
60
120
160
940
850
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
215
615
150
425
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
50
50
5
10
10
10
35
80
200
270
1100
1100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安*
I
E
= 100A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
V
CES
= 40V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安*
I
C
= 250毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2 V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V*
I
C
= 1.5A ，V
CE
=2 V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10 V，I
C
= 1A
I
B1
=I
B2
=100mA
基射
饱和电压
基射
导通电压
静态前进
电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
过渡
频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
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