ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
·
94 ％的效率
·
最小工作输入电压0.8V
·
最大工作输入电压8V
·
待机电流小于5μA
·
可编程输出电流
·
串联或并联的LED配置
·
低饱和电压开关晶体管
·
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
·
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
·
LED手电筒和火把
·
白光LED驱动
·
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
·
C310
暂定发行A - 2001年9月
1
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
更详细的信息可以在Zetex的发现
表面贴装产品数据手册或Zetex的网站上
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
AP PL IC的IO NS s ECT我对泽TEX ZHC S1 0 0 0 isthe
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，
更详细的信息可以Zetex的Web上找到
页： www.zetex.com
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
暂定发行A - 2001年9月
3
ZXSC100
绝对最大额定值
电源电压
最大电压其他引脚
功耗
MSOP8
SO8
0.3 3.5V
0.3 V
CC
+0.3V
500mW
780mW
工作温度
储存温度
结温
0至70℃
-55到125°C
150°C
电气特性测试条件（除非另有说明）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
I
CC
I
DRIVE
V
DRIVE
V
FB
V
ISENSE
T
CVISENSE
V
DREF
T
CVDREF
V
CC （SRT）
V
CC（分钟）
V
CC （ HYS ）
I
FB
I
ISENSE
V
O（分钟）
V
O（最大值）
参数
静态电流
基极驱动电流
V
DRIVE
O / P电压
反馈电压
输出电流
参考电压
I
SENSE
电压温度合作。
驱动电流参考
电压
V
DREF
临时合作。
启动电压
最小工作
输入电压
供给开始到
关机迟滞
反馈输入电流
I
SENSE
输入电流
最小输出
电压
最大输出
电压
ZXT14N20DX为合格
元素
1
V
ISENSE
= 0V
3
V
CC
20
任何输出负载
1.01
0.926
测得的尊重
到V
CC
20
条件
不转换
V
RE
= V
CC
V
RE
= V
CC
, I
DRIVE
= 5毫安
5
V
CC
- 0.17
708
12
730
17.5
0.4
30
1
1.06
0.98
80
100
4
200
5.5
1.1
1
40
752
24
民
典型值
150
最大
200
10
单位
A
mA
V
mV
mV
%/°C
mV
%/°C
V
V
mV
nA
A
V
V
1
要看通器件的击穿电压。见ZXT14N20DX数据表
第1期 - 2001年1月
2
ZXSC100
电气特性： AC参数
2
测试条件（除特别注明外） ）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
T
关闭
F
OSC
2
3
参数
放电脉冲宽度
推荐工作
频率
3
条件
民
1.7
3
典型值
4
最大
单位
s
千赫
200
这些参数由设计保证
工作频率为应用电路依赖。请参阅应用章节
ZXT14N20DX
在应用部分中描述的电路， Zetex的ZXT14N20DX是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据， ZXT ，更详细的信息可以在Zetex的SuperSOT4被发现
数据手册或www.zetex.com
电气特性（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
分钟。
20
典型值。
30
4.5
30
75
6
45
95
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
条件。
I
C
=10mA*
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 4A ，我
B
=40mA*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
ZHCS2000
在应用部分Zetex的ZHCS2000描述的电路是推荐的肖特基二极管。该
下面表示的轮廓数据， ZHCS ，更详细的信息在www.zetex.com可用
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
正向电压
反向电流
反向恢复
时间
符号
V
F
I
R
t
rr
5.5
分钟。
典型值。
马克斯。
385
500
300
单位
mV
mV
A
ns
条件。
I
F
=1A
I
F
=2A
V
R
=30V
从我切换
F
=
500mA至我
R
= 500mA的电流。
测量我
R
=50mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2001年1月
3
ZXSC100
设备描述
该ZXSC100是非同步的PFM ，直流 - 直流
控制器IC ，当具有高结合
性能外部晶体管，使
生产效率高的升压转换器中使用的
在单个小区的应用程序。原理框图如图
对于图1中的ZXSC100 。
驱动电路提供的外部开关
晶体管具有限定的电流，这是
通过连接一个外部电阻编程
之间的RE引脚和V
CC
。内参
电压的电路是25mV的低于V
CC
。为了最大限度地提高
效率的外部晶体管的快速切换，
通常被20ns的范围内强制关闭。
在高功率应用中更大的电流可
通过利用进一步提供给开关晶体管
外部组件。在IC中的激励晶体管可以
被旁路通过加入离散的PNP 。更多
在此电路结构信息可
在应用部分。
图1
ZXSC100框图
关断电路接通或关闭设备在V
CC
=1V
与通常80mV的的滞后。在启动时，
比较器Comp1接通驱动器电路和
因此，在外部开关晶体管。这
电路将保持有效，直到反馈电压
引脚FB上升超过V
REF
，它被设置为730mV 。一
在FB引脚上的外部电阻分压器设定输出
电压电平。
比较器Comp2强制驱动电路和所述
外部开关晶体管截止，如果在电压
I
SENSE
超过25mV的。在我的电压
SENSE
取
从电流检测电阻串联连接
在开关晶体管的发射极。
下面器Comp2的输出单稳态扩展
输出级由一个最小的关断时间
2us的。这保证了有足够的时间来
出院前的下一个周期上的电感线圈。
单稳态和器Comp1之间的AND门
输出保证了开关晶体管始终
一直保持到我
SENSE
达到阈值和
的最小放电期间总是
断言。的脉冲宽度是恒定的，所述脉冲
频率随输出负载。
第1期 - 2001年1月
5
ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS2
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
第1期 - 2000年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流t≤100μs
t≤10ms
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第1期 - 2000年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年12月
4
ZXSC310
LED驱动器解决方案为LCD背光
设备描述
该ZXSC310是一个单层或多层细胞LED驱动
专为LCD背光照明应用。输入
该装置的电压范围是0.8V和8V之间。
这意味着ZXSC310是用单个兼容
镍氢电池，镍镉或碱性电池，以及多小区或
锂离子电池。
该器件具有关断控制，造成了
待机电流小于5μA ，并能够输出
驾驶串行或并行的LED 。该电路产生
恒功率输出，这是理想的驾驶
单个或多个LED灯在很宽的范围内操作
电压。这些特性使该器件非常适用
驱动LED的特别是在LCD背光应用
用于数码相机和PDA的。
该ZXSC310是一个PFM DC-DC控制器IC ，驱动
具有非常低的外部Zetex的开关晶体管
饱和性。这些晶体管是最好的
切换为这种类型的转换可用的设备
实现低投入高效率转换
电压。该ZXSC310 LED驱动器的驱动器输出
生成一个动态驱动信号的开关
晶体管。
该电路可以在满载情况下启动并操作
下降到0.8伏的输入电压。该解决方案
配置可确保最佳效率在较宽的
负载电流范围内;几个电路配置
可能取决于电池寿命与
亮度方面的考虑。
该ZXSC310提供的SOT23-5封装其中，
当与SOT23封装开关晶体管相结合，
产生一个高效率的小尺寸电路的解决方案。
该IC和分立组合提供了终极
成本VS的LED背光性能的解决方案
应用程序。
特点
94 ％的效率
最小工作输入电压0.8V
最大工作输入电压8V
待机电流小于5μA
可编程输出电流
串联或并联的LED配置
低饱和电压开关晶体管
SOT23-5封装
典型应用电路
应用
LCD背光：
数字静态照相机
PDA
手机
LED手电筒和火把
白光LED驱动
多个LED驱动
V
IN
= 3.3V / 5V
V
CC
V
DRIVE
S
TDN
I
SENSE
GND
订购信息
设备
REEL
SIZE
ZXSC310E5TA
180mm
TAPE
宽度
8mm
QUANTITY
每卷
3000
设备标志
C310
SOT23-5封装
第3期 - 2007年9月
1
半导体
ZXSC310
FMMT618
在应用部分中描述的电路
Zetex的FMMT618是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据的设备，
米矿详细的I nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/fmmt618
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
5
条件
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA
I
C
= 1A ，我
B
=10mA
I
C
= 2.5A ，我
B
=50mA
V
（ BR ） CEO
5
民
典型值
8
70
130
最大
15
150
200
单位
mV
集电极 - 发射极
击穿电压
5
I
C
=10mA
20
27
V
脉冲的条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
2%
ZHCS1000
对于在所描述的最大亮度电路
应用部分Zetex的ZHCS1000是
推荐的肖特基二极管。
下面显示的轮廓数据， ZHCS ，更
详细的我nform一化可以在这里找到
www.zetex.com/zhcs1000
电气特性：
试验条件除非另有说明：T已
AMB
=25 C
符号
V
F
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
F
= 500毫安
I
F
= 1A
从我切换
F
= 500mA至
I
R
=500mA.
测量我
R
=50mA
I
R
反向电流
V
R
= 30V
50
100
A
12
民
典型值
最大
400
500
ns
单位
mV
部分
数
V
R
马克斯。
V
I
F
马克斯。
mA
200
2000
1000
750
500
400
I
FSM
马克斯。
A
0.6
20
12
12
6.75
6.75
V
F
at
马克斯。
mV
500
500
500
540
550
500
I
F
mA
30
2000
1000
750
500
400
I
R
at
马克斯。
A
250
1000
100
100
40
40
V
R
V
25
30
30
30
30
30
电容
在V
R
= 25V ， F = 1MHz的
典型值。
pF
10
60
25
25
20
20
包
SOT23
SOT23-6
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT323
BAT54
ZHCS2000
ZHCS1000
ZHCS750
ZHCS500
ZHCS400
30
40
40
40
40
40
第3期 - 2007年9月
3
半导体
ZXSC100
绝对最大额定值
电源电压
最大电压其他引脚
功耗
MSOP8
SO8
0.3 3.5V
0.3 V
CC
+0.3V
500mW
780mW
工作温度
储存温度
结温
0至70℃
-55到125°C
150°C
电气特性测试条件（除非另有说明）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
I
CC
I
DRIVE
V
DRIVE
V
FB
V
ISENSE
T
CVISENSE
V
DREF
T
CVDREF
V
CC （SRT）
V
CC（分钟）
V
CC （ HYS ）
I
FB
I
ISENSE
V
O（分钟）
V
O（最大值）
参数
静态电流
基极驱动电流
V
DRIVE
O / P电压
反馈电压
输出电流
参考电压
I
SENSE
电压温度合作。
驱动电流参考
电压
V
DREF
临时合作。
启动电压
最小工作
输入电压
供给开始到
关机迟滞
反馈输入电流
I
SENSE
输入电流
最小输出
电压
最大输出
电压
ZXT14N20DX为合格
元素
1
V
ISENSE
= 0V
3
V
CC
20
任何输出负载
1.01
0.926
测得的尊重
到V
CC
20
条件
不转换
V
RE
= V
CC
V
RE
= V
CC
, I
DRIVE
= 5毫安
5
V
CC
- 0.17
708
12
730
17.5
0.4
30
1
1.06
0.98
80
100
4
200
5.5
1.1
1
40
752
24
民
典型值
150
最大
200
10
单位
A
mA
V
mV
mV
%/°C
mV
%/°C
V
V
mV
nA
A
V
V
1
要看通器件的击穿电压。见ZXT14N20DX数据表
第1期 - 2001年1月
2
ZXSC100
电气特性： AC参数
2
测试条件（除特别注明外） ）
V
CC
= 1.2V ，T
A
= 25°C
符号
T
关闭
F
OSC
2
3
参数
放电脉冲宽度
推荐工作
频率
3
条件
民
1.7
3
典型值
4
最大
单位
s
千赫
200
这些参数由设计保证
工作频率为应用电路依赖。请参阅应用章节
ZXT14N20DX
在应用部分中描述的电路， Zetex的ZXT14N20DX是推荐的旁路晶体管。
下面显示的轮廓数据， ZXT ，更详细的信息可以在Zetex的SuperSOT4被发现
数据手册或www.zetex.com
电气特性（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
分钟。
20
典型值。
30
4.5
30
75
6
45
95
马克斯。
单位
V
mV
mV
mV
条件。
I
C
=10mA*
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 4A ，我
B
=40mA*
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
ZHCS2000
在应用部分Zetex的ZHCS2000描述的电路是推荐的肖特基二极管。该
下面表示的轮廓数据， ZHCS ，更详细的信息在www.zetex.com可用
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
正向电压
反向电流
反向恢复
时间
符号
V
F
I
R
t
rr
5.5
分钟。
典型值。
马克斯。
385
500
300
单位
mV
mV
A
ns
条件。
I
F
=1A
I
F
=2A
V
R
=30V
从我切换
F
=
500mA至我
R
= 500mA的电流。
测量我
R
=50mA
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2001年1月
3
ZXSC100
设备描述
该ZXSC100是非同步的PFM ，直流 - 直流
控制器IC ，当具有高结合
性能外部晶体管，使
生产效率高的升压转换器中使用的
在单个小区的应用程序。原理框图如图
对于图1中的ZXSC100 。
驱动电路提供的外部开关
晶体管具有限定的电流，这是
通过连接一个外部电阻编程
之间的RE引脚和V
CC
。内参
电压的电路是25mV的低于V
CC
。为了最大限度地提高
效率的外部晶体管的快速切换，
通常被20ns的范围内强制关闭。
在高功率应用中更大的电流可
通过利用进一步提供给开关晶体管
外部组件。在IC中的激励晶体管可以
被旁路通过加入离散的PNP 。更多
在此电路结构信息可
在应用部分。
图1
ZXSC100框图
关断电路接通或关闭设备在V
CC
=1V
与通常80mV的的滞后。在启动时，
比较器Comp1接通驱动器电路和
因此，在外部开关晶体管。这
电路将保持有效，直到反馈电压
引脚FB上升超过V
REF
，它被设置为730mV 。一
在FB引脚上的外部电阻分压器设定输出
电压电平。
比较器Comp2强制驱动电路和所述
外部开关晶体管截止，如果在电压
I
SENSE
超过25mV的。在我的电压
SENSE
取
从电流检测电阻串联连接
在开关晶体管的发射极。
下面器Comp2的输出单稳态扩展
输出级由一个最小的关断时间
2us的。这保证了有足够的时间来
出院前的下一个周期上的电感线圈。
单稳态和器Comp1之间的AND门
输出保证了开关晶体管始终
一直保持到我
SENSE
达到阈值和
的最小放电期间总是
断言。的脉冲宽度是恒定的，所述脉冲
频率随输出负载。
第1期 - 2001年1月
5
ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
C
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS20
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
A
C
C
A
顶视图
C
C
A
第2期 - 2002年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流T≤ 100μS
T≤ 10毫秒
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
第2期 - 2002年12月
4
ZHCS2000
40V硅大电流肖特基势垒二极管
摘要
V
R
= 40V ;我
C
= 2A
描述
表面贴装肖特基二极管具有低正向压降
适用于高频整流和反向电压保护。
特点
高电流能力
低正向电压（V
F
max=0.5V)
快速恢复时间
小尺寸封装
SOT23-6
C
应用
移动telecomms ， PCMIA & SCSI
DC- DC转换器
高频整流
订购信息
设备
ZHCS2000TA
ZHCS2000TC
器件标识
ZS20
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
A
C
C
A
顶视图
C
C
A
第2期 - 2002年12月
1
ZHCS2000
绝对最大额定值。
参数
连续反向电压
正向电流
平均峰值正向电流，直流= 50％
不重复正向电流T≤ 100μS
T≤ 10毫秒
在T功耗
AMB
=25°C
存储温度范围
结温
符号
V
R
I
F
I
FAV
I
FSM
P
合计
T
英镑
T
j
价值
40
2
4
20
10
1.1
-55到+150
125
单位
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
第2期 - 2002年12月
2
ZHCS2000
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
反向击穿
电压
正向电压
符号
V
（ BR ）R
V
F
分钟。
40
290
340
380
420
485
420
160
50
5.5
325
385
445
500
615
300
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
pF
ns
I
R
=1mA
I
F
=500mA*
I
F
=1000mA*
I
F
=1500mA*
I
F
=2000mA*
I
F
=3000mA*
I
F
=2000mA*,T
AMB
=100°C*
V
R
=30V
f=1MHz,V
R
=25V
从切换
I
F
= 500mA至我
R
= 500毫安
测量我
R
= 50毫安
反向电流
二极管电容
反向恢复
时间
I
R
C
D
t
rr
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
第2期 - 2002年12月
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