【ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）】,IC型号ZPD3.0,ZPD3.0 PDF资料,ZPD3.0经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

硅平面齐纳二极管

Silizium -平面齐纳Dioden

版本2010-12-02

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

1.9

500毫瓦

2.7...75 V

DO-35

(SOD-27)

0.13 g

ZMM1 ... ZMM75

标称Z-电压

Nominale Z- Spannung

玻璃柜

Glasgehuse

重量约。

Gewicht约

62.5

3.9

0.52

相当于SMD版

quivalente SMD- Ausführung

标准包装录音中的弹药盒

在弹药，包装标准Lieferform gegurtet

尺寸 - 集体[MM ]

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen

Reihe街上E 24 （ ± 5 ％）。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

热电阻交界处领导

Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht

23

Grenz- UND Kennwerte

ZPD系列

T

A

= 25°C

P

合计

T

j

T

S

R

THA

R

THL

500毫瓦

1

)

-50...+175°C

＆ LT ; 300 K / W

1

)

< 240 K / W

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

2

3

有效的，如果引线被保持在环境temperatere在从情况下的距离为10毫米

Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden

测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen

该ZPD1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。

作为阴极，通过带表示，具有被连接到负极。

死在Durchlass betriebene硅二极管ZPD1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数

“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT einem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1

ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

2

)

齐纳Spannung

2

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V]

ZPD2.7

ZPD3.0

ZPD3.3

ZPD3.6

ZPD3.9

ZPD4.3

ZPD4.7

ZPD5.1

ZPD5.6

ZPD6.2

ZPD6.8

ZPD7.5

ZPD8.2

ZPD9.1

ZPD10

ZPD11

ZPD12

ZPD13

ZPD15

ZPD16

ZPD18

ZPD20

ZPD22

ZPD24

ZPD27

ZPD30

ZPD33

ZPD36

ZPD39

ZPD43

ZPD47

ZPD51

ZPD56

ZPD62

ZPD68

ZPD75

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

V

ZMAX

[V]

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

动态电阻

差异。 Widerstand

r

zj

[ Ω ] ，在

F = 1千赫

I

Z

= 5毫安

75 （ < 83 ）

80 （ < 95 ）

70 （ < 85 ）

60 （ 78 < ）

30 （ < 60 ）

10 （ < 40 ）

5 （ < 10 ）

4.5 （ < 8 ）

4 （ < 7 ）

4.5 （ < 7 ）

5 （ < 10 ）

5.2 （ < 15 ）

6 （ < 20 ）

7 （ < 20 ）

9 （ < 25 ）

11 （ < 30 ）

13 （ < 40 ）

18 （ < 50 ）

20 （ < 50 ）

25 （ < 55 ）

28 （ < 70 ）

30 （ < 80 ）

35 （ < 80 ）

40 （ < 80 ）

40 （ < 90 ）

50 （ < 90 ）

60 （ < 100 ）

70 （ < 110 ）

80 （ < 125 ）

90 （ < 135 ）

100 （ < 150 ）

110 （ < 200 ）

120 （ < 250 ）

I

Z

= 1毫安

＆ LT ; 500

< 480

＆ LT ; 400

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 500

＆ LT ; 700

＆ LT ; 750

＆ LT ; 800

< 850

< 900

温度。 Coeffic 。

Z-电压

... DER Z- Spannung

α

VZ

[10

-4

/°C]

–9…–4

–9…–3

–8…–3

–7…–3

–6…–1

–5…+2

–3…+4

–2…+6

–1…+7

+2…+7

+3…+7

+4…+7

+5…+8

+5…+9

+6…+9

+7…+9

+8…+9.5

+8…+10

+10…+12

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

–

> 0.8

>1

>2

>3

>5

>6

>7

＆ GT ; 7.5

> 8.5

>9

＆ GT ; 10

> 11

＆ GT ; 12

＆ GT ; 14

> 15

＆ GT ; 17

> 18

＆ GT ; 20

> 22

＆ GT ; 24

> 26

＆ GT ; 28

> 30

> 33

> 36

> 39

> 44

> 48

> 52

Grenzwerte

Z-电流

1

)

Z-斯特罗姆

1

)

T

A

= 25°C

I

ZMAX

[马]

172

156

143

132

122

109

100

93

83

76

69

63

57

52

47

43

39

35

32

29

26

24

21

20

17

16

14

13

12

11

10

9

8

7

6

1

注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

ZPD 1 ... ZPD 75 （ 0.5 W）

硅平面齐纳二极管

Silizium -平面齐纳Dioden

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

标称Z-电压 - Nominale Z- Spannung

齐纳电压容差标准

标准Toleranz德齐纳Spannung

玻璃柜

Glasgehuse

重量约。 - Gewicht约

尺寸/集体单位为毫米

0.5 W

1…75 V

~ 5 % (E24)

DO-35

SOD-27

0.13 g

参见第16页

世赫页首16

标准包装录音中的弹药盒

在弹药，包装标准Lieferform gegurtet

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz DER Z- Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen

Reihe街上E 24 （ 5 ％）。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

T

A

= 50

/

C

Grenz- UND Kennwerte

P

合计

T

j

T

S

0.5 W

1

)

– 50...+175

/

C

– 50...+175

/

C

R

THA

< 0.3 K /毫瓦

1

)

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为10毫米

Gültig ，德恩死Anschludrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden

2

）测试与脉冲吨

p

= 20毫秒 - Gemessen麻省理工学院20 MS- Impulsen

3

）的ZPD 1是一个二极管，在向前运行。作为阴极，通过一个环所指出的，要被连接到负极。

死ZPD 1 IST EINE在Durchla betriebene Einzelchip二极管。

死第三人以书房环gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

210

28.02.2002

ZPD 1 ... ZPD 75 （ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

2

)

齐纳Spanng 。

2

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V] V

ZMAX

动态电阻

Inhr 。差异。 Widerstand

r

zj

[

S

]在f = 1千赫

I

Z

= 1毫安

I

Z

= 5毫安

温度。 Coeffiz 。

... Z -电压

... DER Z- spanng 。

＆ QUOT ;

VZ

[10

-4

/

C]

Grenzwerte

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

Z-电流

1

)

Z-斯特罗姆

2

)

I

ZMAX

[马]

T

A

= 25

/

C

ZPD 1

3

)

ZPD 2.7

ZPD 3.0

ZPD 3.3

ZPD 3.6

ZPD 3.9

ZPD 4.3

ZPD 4.7

ZPD 5.1

ZPD 5.6

ZPD 6.2

ZPD 6.8

ZPD 7.5

ZPD 8.2

ZPD 9.1

ZPD 10

ZPD 11

ZPD 12

ZPD 13

ZPD 15

ZPD 16

ZPD 18

ZPD 20

ZPD 22

ZPD 24

ZPD 27

ZPD 30

ZPD 33

ZPD 36

ZPD 39

ZPD 43

ZPD 47

ZPD 51

ZPD 56

ZPD 62

ZPD 68

ZPD 75

0.71

2,5

2,8

3,1

3,4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

0.82

2.9

3.2

3.5

3,8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15,6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

6.5 （ <8 ）

75 （ <83 ）

80 （ <95 ）

70 （ <85 ）

60 （ <78 ）

30 （ <60 ）

10 （ <40 ）

5 （小于10）的

4.5 （ <8 ）

4 （小于7）

4.5 （ <7 ）

5 （小于10）的

5.2 （ <15 ）

6 （ <20 ）

7 （ <20 ）

9 （ <25 ）

11 （ <30 ）

13 （ <40 ）

18 （ <50 ）

20 （ <50 ）

25 （ <55 ）

28 （ <70 ）

30 （ <80 ）

35 （ <80 ）

40 （ <80 ）

40 （ <90 ）

50 （ <90 ）

60 （ <100 ）

70 （ <110 ）

80 （ <125 ）

90 （ <135 ）

100 （ <150 ）

110 （ <200 ）

120 （ <250 ）

＆ LT ; 50

＆ LT ; 500

< 480

＆ LT ; 400

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 500

＆ LT ; 700

＆ LT ; 750

＆ LT ; 800

< 850

< 900

–26…–23

–9…–4

–9…–3

–8…–3

–7…–3

–6…–1

–5…+2

–3…+4

–2…+6

–1…+7

+2…+7

+3…+7

+4…+7

+5…+8

+5…+9

+6…+9

+7…+9

+8…+9.5

+8…+10

+10…+12

–

> 0.8

>1

>2

>3

>5

>6

>7

＆ GT ; 7.5

> 8.5

>9

＆ GT ; 10

> 11

＆ GT ; 12

＆ GT ; 14

> 15

＆ GT ; 17

> 18

＆ GT ; 20

> 22

＆ GT ; 24

> 26

＆ GT ; 28

> 30

> 33

> 36

> 39

> 44

> 48

> 52

550

200

179

161

147

135

125

114

104

96

86

78

71

65

59

53

48

44

40

36

33

30

27

24

22

20

18

16

15

14

13

11

10

8

7

6

1

）注意事项请参见上页 - Funoten世赫vorhergehende页首

28.02.2002

211

ZPD1 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

硅平面齐纳二极管

Silizium -平面齐纳Dioden

版本2006-04-26

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

1.9

500毫瓦

1...75 V

DO-35

(SOD-27)

0.13 g

ZMM1 ... ZMM75

标称Z-电压

Nominale Z- Spannung

玻璃柜

Glasgehuse

重量约。

Gewicht约

62.5

3.9

0.52

相当于SMD版

quvalente SMD- Ausführung

标准包装录音中的弹药盒

在弹药，包装标准Lieferform gegurtet

尺寸 - 集体[MM ]

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen

Reihe街上E 24 （ ± 5 ％）。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

热电阻交界处领导

Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht

23

Grenz- UND Kennwerte

ZPD系列

T

A

= 25°C

P

合计

T

j

T

S

R

THA

R

THL

500毫瓦

1

)

-50...+175°C

＆ LT ; 300 K / W

1

)

< 240 K / W

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

2

3

有效的，如果引线被保持在环境temperatere在从情况下的距离为10毫米

Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden

测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen

该ZPD1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。

作为阴极，通过带表示，具有被连接到负极。

死在Durchlass betriebene硅二极管ZPD1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数

“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT einem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

1

ZPD1 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

2

)

齐纳Spannung

2

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V]

ZPD1

3

)

ZPD2.7

ZPD3.0

ZPD3.3

ZPD3.6

ZPD3.9

ZPD4.3

ZPD4.7

ZPD5.1

ZPD5.6

ZPD6.2

ZPD6.8

ZPD7.5

ZPD8.2

ZPD9.1

ZPD10

ZPD11

ZPD12

ZPD13

ZPD15

ZPD16

ZPD18

ZPD20

ZPD22

ZPD24

ZPD27

ZPD30

ZPD33

ZPD36

ZPD39

ZPD43

ZPD47

ZPD51

ZPD56

ZPD62

ZPD68

ZPD75

0.71

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

V

ZMAX

[V]

0.82

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

动态电阻

差异。 Widerstand

r

zj

[ Ω ] ，在

F = 1千赫

I

Z

= 5毫安

6.5 （ < 8 ）

75 （ < 83 ）

80 （ < 95 ）

70 （ < 85 ）

60 （ 78 < ）

30 （ < 60 ）

10 （ < 40 ）

5 （ < 10 ）

4.5 （ < 8 ）

4 （ < 7 ）

4.5 （ < 7 ）

5 （ < 10 ）

5.2 （ < 15 ）

6 （ < 20 ）

7 （ < 20 ）

9 （ < 25 ）

11 （ < 30 ）

13 （ < 40 ）

18 （ < 50 ）

20 （ < 50 ）

25 （ < 55 ）

28 （ < 70 ）

30 （ < 80 ）

35 （ < 80 ）

40 （ < 80 ）

40 （ < 90 ）

50 （ < 90 ）

60 （ < 100 ）

70 （ < 110 ）

80 （ < 125 ）

90 （ < 135 ）

100 （ < 150 ）

110 （ < 200 ）

120 （ < 250 ）

I

Z

= 1毫安

＆ LT ; 50

＆ LT ; 500

< 480

＆ LT ; 400

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 500

＆ LT ; 700

＆ LT ; 750

＆ LT ; 800

< 850

< 900

温度。 Coeffic 。

Z-电压

... DER Z- Spannung

α

VZ

[10

-4

/°C]

–26…–23

–9…–4

–9…–3

–8…–3

–7…–3

–6…–1

–5…+2

–3…+4

–2…+6

–1…+7

+2…+7

+3…+7

+4…+7

+5…+8

+5…+9

+6…+9

+7…+9

+8…+9.5

+8…+10

+10…+12

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

–

> 0.8

>1

>2

>3

>5

>6

>7

＆ GT ; 7.5

> 8.5

>9

＆ GT ; 10

> 11

＆ GT ; 12

＆ GT ; 14

> 15

＆ GT ; 17

> 18

＆ GT ; 20

> 22

＆ GT ; 24

> 26

＆ GT ; 28

> 30

> 33

> 36

> 39

> 44

> 48

> 52

Grenzwerte

Z-电流

1

)

Z-斯特罗姆

1

)

T

A

= 25°C

I

ZMAX

[马]

550

172

156

143

132

122

109

100

93

83

76

69

63

57

52

47

43

39

35

32

29

26

24

21

20

17

16

14

13

12

11

10

9

8

7

6

1

注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

ZPD2.7 - ZPD75

V

Z

:

2.7 75V

PD ：

500mW

产品特点：

硅平面齐纳二极管。

标准齐纳电压容差

±

5%.

其他公差可根据要求提供。

这些二极管也是MiniMELF情况下可用

同类型指定ZMM2.7 ... ZMM75 。

无铅/符合RoHS免费

齐纳二极管

DO - 35玻璃

(DO-204AH)

0.079 （2.0）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

阴极

标志

0.150 (3.8)

马克斯。

0.020 （0.52）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

机械数据：

案例：

DO- 35玻璃柜

重量：

约。 0.13克

尺寸以英寸（毫米）

等级25

°

C环境温度，除非另有规定。

最大额定值和热特性

参数

齐纳电流见表"Characteristics"

功耗

热阻结到环境空气

结温

存储温度范围

P

D

R

θ

JA

T

J

T

S

500

300

(1)

(2)

符号

价值

单位

mW

° C / W

°C

175

-65到+ 175

注意：

（1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

（2）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。

第1页2

启示录02 ： 2005年3月25日

电气特性

等级25

°

除非另有说明C的环境温度

齐纳电压

TYPE

V

Z

@ I

ZT

喃

1)

(V)

ZPD2.7

ZPD3.0

ZPD3.3

ZPD3.6

ZPD3.9

ZPD4.3

ZPD4.7

ZPD5.1

ZPD5.6

ZPD6.2

ZPD6.8

ZPD7.5

ZPD8.2

ZPD9.1

ZPD10

ZPD11

ZPD12

ZPD13

ZPD15

ZPD16

ZPD18

ZPD20

ZPD22

ZPD24

ZPD27

ZPD30

ZPD33

ZPD36

ZPD39

ZPD43

ZPD47

ZPD51

ZPD56

ZPD62

ZPD68

ZPD75

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

动态电阻

在我

Z

=5mA

F = 1千赫

r

zj

()

6.5 （ < 8 ）

75 （ < 83 ）

80 （ < 95 ）

70 （ < 78 ）

30 （ < 60 ）

10 （ < 40 ）

4.8 （ < 10 ）

4.5 （ < 8 ）

4 （ < 7 ）

4.5 （ < 7 ）

4.8 （ < 10 ）

5.2 （ < 15 ）

6 （ < 20 ）

7 （ < 20 ）

9 （ < 25 ）

11 （ < 30 ）

13 （ < 40 ）

18 （ < 50 ）

20 （ < 50 ）

25 （ < 55 ）

28 （ < 80 ）

30 （ < 80 ）

35 （ < 80 ）

40 （ < 80 ）

40 （ < 90 ）

50 （ < 90 ）

60 （ < 100 ）

70 （ < 100 ）

＆ LT ; 135

(3)

反向

电压

在我

R

= 100 nA的

V

R

(V)

-

> 0.8

>1

>2

>3

>5

>6

>7

＆ GT ; 7.5

> 8.5

>9

＆ GT ; 10

> 11

＆ GT ; 12

＆ GT ; 14

> 15

＆ GT ; 17

> 18

＆ GT ; 20

> 22.5

＆ GT ; 25

> 27

> 29

> 32

> 35

> 38

> 42

> 47

> 51

＆ GT ; 55

温度。 COEF网络cient

α

vz

(10

-4

/

°C)

分钟。

马克斯。

-9

-8

-7

-6

-5

-3

-2

-1

+2

+3

+4

+5

+6

+7

+8

+10

+10 （典型值）。

+ 10 （典型值）。

-4

-3

-1

+2

+4

+6

+7

+8

+9

+9.5

+10

+12

可受理

I

Z

（MA ）

160

140

130

120

110

100

90

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.1

6.4

5.8

5.3

在我

Z

=1mA

F = 1千赫

r

zj

()

＆ LT ; 500

< 480

＆ LT ; 400

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 700

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

(4)

齐纳电压的余

ZT

齐纳电流

I

ZT

（MA ）

5

2.5

＆ LT ; 150

(3)

＆ LT ; 200

(3)

＆ LT ; 1000

(4)

＆ LT ; 1000

(4)

＆ LT ; 250

(3)

<1500

(4)

注意事项：

1 ）测试与脉冲TP = 5毫秒

2）有效的规定，导致在从壳体4毫米的距离被保持在环境温度下

3）在我

Z

= 2.5毫安

4 ）在我

Z

- 0.5毫安

5）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差

±

5.0%.

第2页2

启示录02 ： 2005年3月25日

ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

硅平面齐纳二极管

Silizium -平面齐纳Dioden

版本2013年4月23日

最大功率耗散

Maximale Verlustleistung

1.9

±0.1

500毫瓦

2.7...75 V

DO -35

（ SOD- 27 ）

0.13 g

ZMM1 ... ZMM75

标称Z-电压

Nominale Z- Spannung

玻璃柜

Glasgehuse

重量约。

Gewicht约

相当于SMD版

quivalente SMD- Ausführung

标准包装录音中的弹药盒

在弹药，包装标准Lieferform gegurtet

±3

62.5

最大0.5

尺寸 - 集体[MM ]

标准的齐纳电压容差分级，国际E 24 （ ± 5 ％）的标准。

其它电压容差和要求较高的齐纳电压。

死Toleranz德齐纳Spannung IST在德标Ausführung gestuft NACH DER internationalen

Reihe街上E 24 （ ± 5 ％）。企业的其它Toleranzen奥德hhere Arbeitsspannungen奥夫Anfrage 。

最大额定值和特性

功耗

Verlustleistung

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

热电阻交界处领导

Wrmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht

23

3.9

±0.4

Grenz- UND Kennwerte

ZPD系列

T

A

= 25°C

P

合计

T

j

T

S

R

THA

R

THL

500毫瓦

1

)

-50...+175°C

＆ LT ; 300 K / W

1

)

< 240 K / W

齐纳电压见表下页 - 齐纳Spannungen世赫Tabelle AUF DER nchsten页首

1

2

3

有效的，如果引线被保持在环境temperatere在从情况下的距离为10毫米

Gültig ，德恩死Anschlussdrhte 10mm长度Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden

测试了脉冲 - Gemessen MIT Impulsen

该ZPD1是在向前操作的二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。

作为阴极，通过带表示，具有被连接到负极。

死在Durchlass betriebene硅二极管ZPD1 IST EINE 。达希尔北京时间贝·艾伦Kenn- UND Grenzwerten DER指数

“F” anstatt “Z”祖setzten 。模具MIT einem Balken gekennzeichnete Kathode北京时间MIT数字高程模型Minuspol祖verbinden 。

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1

ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

最大额定值

TYPE

典型值

齐纳电压

2

)

齐纳Spannung

2

)

I

Z

= 5毫安

V

ZMIN

[V]

ZPD2.7

ZPD3.0

ZPD3.3

ZPD3.6

ZPD3.9

ZPD4.3

ZPD4.7

ZPD5.1

ZPD5.6

ZPD6.2

ZPD6.8

ZPD7.5

ZPD8.2

ZPD9.1

ZPD10

ZPD11

ZPD12

ZPD13

ZPD15

ZPD16

ZPD18

ZPD20

ZPD22

ZPD24

ZPD27

ZPD30

ZPD33

ZPD36

ZPD39

ZPD43

ZPD47

ZPD51

ZPD56

ZPD62

ZPD68

ZPD75

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

V

ZMAX

[V]

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

动态电阻

差异。 Widerstand

r

zj

[ Ω ] ，在

F = 1千赫

I

Z

= 5毫安

75 （ < 83 ）

80 （ < 95 ）

70 （ < 85 ）

60 （ 78 < ）

30 （ < 60 ）

10 （ < 40 ）

5 （ < 10 ）

4.5 （ < 8 ）

4 （ < 7 ）

4.5 （ < 7 ）

5 （ < 10 ）

5.2 （ < 15 ）

6 （ < 20 ）

7 （ < 20 ）

9 （ < 25 ）

11 （ < 30 ）

13 （ < 40 ）

18 （ < 50 ）

20 （ < 50 ）

25 （ < 55 ）

28 （ < 70 ）

30 （ < 80 ）

35 （ < 80 ）

40 （ < 80 ）

40 （ < 90 ）

50 （ < 90 ）

60 （ < 100 ）

70 （ < 110 ）

80 （ < 125 ）

90 （ < 135 ）

100 （ < 150 ）

110 （ < 200 ）

120 （ < 250 ）

I

Z

= 1毫安

＆ LT ; 500

< 480

＆ LT ; 400

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 250

＆ LT ; 300

＆ LT ; 500

＆ LT ; 700

＆ LT ; 750

＆ LT ; 800

< 850

< 900

温度。 Coeffic 。

Z-电压

... DER Z- Spannung

α

VZ

[10

-4

/°C]

–9…–4

–9…–3

–8…–3

–7…–3

–6…–1

–5…+2

–3…+4

–2…+6

–1…+7

+2…+7

+3…+7

+4…+7

+5…+8

+5…+9

+6…+9

+7…+9

+8…+9.5

+8…+10

+10…+12

反向电压。

Sperrspanng 。

I

R

= 100 nA的

V

R

[V]

–

> 0.8

>1

>2

>3

>5

>6

>7

＆ GT ; 7.5

> 8.5

>9

＆ GT ; 10

> 11

＆ GT ; 12

＆ GT ; 14

> 15

＆ GT ; 17

> 18

＆ GT ; 20

> 22

＆ GT ; 24

> 26

＆ GT ; 28

> 30

> 33

> 36

> 39

> 44

> 48

> 52

Grenzwerte

Z-电流

1

)

Z-斯特罗姆

1

)

T

A

= 25°C

I

ZMAX

[马]

172

156

143

132

122

109

100

93

83

76

69

63

57

52

47

43

39

35

32

29

26

24

21

20

17

16

14

13

12

11

10

9

8

7

6

1

注意事项见前页 - Funoten世赫vorhergehende页首

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2

ZPD2.7 ... ZPD75 （ 500毫瓦）

120

[% ]

100

80

10

3

[马]

10

2

T

j

= 100°C

60

10

T

j

= 25°C

40

1

20

I

FAV

0

T

A

50

100

150

[°C]

I

F

10

-1

1

额定正向电流与环境温度）的

1

祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。）

0

V

F

0.4

0.6

0.8

1.0

[V] 1.4

正向特性（典型值）

Durchlasskennlinien （ typische Werte ）

150

[马]

100

T

j

= 25°C

2.7

3.3 3.8

4.7

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

10

3

[ pF的]

V

R

= 2V

V

R

= 1V

T

j

= 25°C

F = 1.0 MHz的

I

ZMAX

10

2

V

R

= 1V

50

V

R

= 2V

I

Z

I

Z

= 5毫安

10

0

4

5

7

V

Z

2

3

6

8

典型的击穿特性

- 测试与脉冲

Typische Abbruchspannung

- gemessen MIT Impulsen

[V]

10

0

C

j

1

V

Z

10

100

[V]

60

[马]

50

45

40

35

30

25

20

15

I

ZMAX

T

j

= 25°C

10

18

24

30

36

43

51

56

62

68

75

结电容与齐纳电压（典型值）

Sperrschichtkapazitt在ABH 。 v.d. Zenerspg 。（典型值）。

I

Z

5

0

10

20

30

40

50

60

70

典型的击穿特性

- 测试与脉冲

Typische Abbruchspannung

- gemessen MIT Impulsen

80

V

Z

德欧泰克半导体公司

http://www.diotec.com/

3