ZMU100...ZMU180
硅平面功率齐纳二极管
为稳定并具有高削波电路用
额定功率。齐纳电压等级
根据国际电子12标准。较小
电压公差要求。
LL-41
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
1
1)
单位
W
O
175
- 55 + 175
C
C
O
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
特点在T
AMB
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
1)
符号
R
THA
马克斯。
170
1)
单位
K / W
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
特点在T
AMB
= 25
O
C
TYPE
ZMU100
ZMU120
ZMU150
ZMU180
1)
2)
齐纳电压
2)
V
Z
(V)
88...110
107...134
130...165
160...200
在我
ZT
（MA ）
5
5
5
5
最大动态
阻力
Z
ZT
()
300
330
360
380
在我
ZT
（MA ）
5
5
5
5
最大反向
漏电流
I
R
(A)
0.5
0.5
0.5
0.5
在V
R
(V)
75
90
112
134
受理的齐纳
1)
当前
I
Z
（MA ）
7
6
5
4
有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。
测试了脉冲TP = 20毫秒
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
注明日期：二〇〇八年四月九日
ZMU100...ZMU180
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
10
ZMU 100
ZMU 120
8
ZMU ...
Tj=25
o
C
Iz
ZMU 150
6
ZMU 180
4
2
0
0
50
100
Vz
150
200
250 V
受理的功耗
受理的功耗
随环境温度
随环境温度
有效的规定，电极
保持在
有效的规定，电极
保存
at
温度。
环境
环境温度。
W
1.0
ZMU ...
脉冲热电阻
与脉冲持续时间
有效的规定，电极保持
在环境温度下。
K / W
10
3
1.0
ZMU ...
0.8
P
合计
功耗： P合计（ W）
0.8
r
THU
5
4
3
2
2
10
0.6
0.6
0.5
5
4
3
2
0.2
0.4
0.4
0.2
10
5
4
3
2
0.1
0.05
0.02
0.01 V=0
T
-3
-2
-1
t
p
t
p
V=
T
P
I
0.2
0
1
10
-5
10
-4
0
100
200 C
t
p
o
10
10
10
1
10 S
0
0
25
150
环境温度： TA（ C）
T
AMB
O
100
200
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
注明日期：二〇〇八年四月九日
额定值和特性曲线ZMU100 THRU ZMU180
QQ：2880707522 复制
