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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第85页 > ZMM6V2
ZMM 1 ... ZMM200
硅平面齐纳二极管
在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该
齐纳电压是根据国际E 24分级
标准。更小的电压容差和更高的齐纳
电压要求。
LL-34
这些二极管，可以在DO-35的情况下与式
指定BZX55C ...
绝对最大额定值（T
a
= 25
o
C)
符号
功耗
结温
存储温度范围
1)
价值
500
1)
单位
mW
O
P
合计
T
j
T
S
175
-55到+175
C
C
O
有效的条件是电极被保持在环境温度
特点在T
AMB
= 25
o
C
符号
热阻
结到环境空气
正向电压
在我
F
= 100毫安
1)
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.3
1)
1
单位
K /毫瓦
V
R
THA
V
F
有效的条件是电极被保持在环境温度
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM 1 ... ZMM200
齐纳电压范围
1)
TYPE
3)
动态电阻
r
ZJT
<8
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<75
<60
<35
<25
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<26
<30
<40
<50
<55
<55
<80
<80
<80
<80
<80
<90
<90
<110
<125
<135
<150
<200
<250
<300
<450
<450
<600
<800
<950
<1250
<1400
<1700
<2000
反向漏电流
T
a
=25
o
C
μA
--
<100
<75
<50
<10
<4
<2
<2
<2
<1
<0.5
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
Vznom
V
0.75
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
l
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
为
V
征途2 ）
V
0.7...0.8
1.80...2.15
2.08...2.33
2.28...2.56
2.5...2.9
2.8...3.2
3.1...3.5
3.4...3.8
3.7...4.1
4.0...4.6
4.4...5.0
4.8...5.4
5.2...6.0
5.8...6.6
6.4...7.2
7.0...7.9
7.7...8.7
8.5...9.6
9.4...10.6
10.4...11.6
11.4...12.7
12.4...14.1
13.8...15.6
15.3...17.1
16.8...19.1
18.8...21.2
20.8...23.3
22.8...25.6
25.1...28.9
28...32
31...35
34...38
37...41
40...46
44...50
48...54
52...60
58...66
64...72
70...79
77...87
85...96
94...106
104...116
114...127
124...141
138...156
153...171
168...191
188...212
r
张家口
在我
ZK
mA
<50
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<550
<450
<200
<150
<50
<50
<50
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<500
<500
<600
<700
<700
<1000
<1000
<1000
<1500
<2000
<5000
<5000
<5500
<6000
<6500
<7000
<8500
<10000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
a
= 125
o
C
μA
--
<200
<160
<100
<50
<40
<40
<40
<40
<20
<10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
I
R
在V
R
V
--
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
温度系数
齐纳电压
TKvz
%/K
-0.26...-0.23
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.06...-0.03
-0.05...+0.02
-0.02...+0.02
-0.05...+0.05
0.03...0.06
0.03...0.07
0.03...0.07
0.03...0.08
0.03...0.09
0.03...0.1
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
ZMM 1
ZMM 2V0
ZMM 2V2
ZMM 2V4
ZMM 2V7
ZMM 3V0
ZMM 3V3
ZMM 3V6
ZMM 3V9
ZMM 4V3
ZMM 4V7
ZMM 5V1
ZMM 5V6
ZMM 6V2
ZMM 6V8
ZMM 7V5
ZMM 8V2
ZMM 9V1
ZMM 10
ZMM 11
ZMM 12
ZMM 13
ZMM 15
ZMM 16
ZMM 18
ZMM 20
ZMM 22
ZMM 24
ZMM 27
ZMM 30
ZMM 33
ZMM 36
ZMM 39
ZMM 43
ZMM 47
ZMM 51
ZMM 56
ZMM 62
ZMM 68
ZMM 75
ZMM 82
ZMM 91
ZMM 100
ZMM 110
ZMM 120
ZMM 130
ZMM 150
ZMM 160
ZMM 180
ZMM 200
1 ）测试与脉冲吨
p
= 20毫秒。
2）有效的规定，电极被保持在环境温度
3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有参数的指数应为“ F”，而不是“ Z” 。连
阴极电极的负极。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM 1 ... ZMM200
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
ZMM ...
TJ = 25℃
ZMM 1
o
ZMM 2.7
ZMM 3.9
ZMM 3.3
ZMM 4.7
ZMM 6.8
Iz
40
ZMM 8.2
ZMM 5.6
30
20
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
ZMM ...
ZMM 10
ZMM 12
Tj=25
o
C
Iz
ZMM 15
20
ZMM 18
ZMM 22
ZMM 27
ZMM 33
ZMM 36
10
测试电流IZ
5mA
0
0
10
20
Vz
30
40 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM 1 ... ZMM200
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
10
ZMM 51
ZMM ...
Tj=25
o
C
ZMM 39
Iz
8
ZMM 43
测试电流IZ
5mA
6
ZMM 47
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Vz
70
80
90
100 V
正向特性
受理的功耗
随环境温度
有效的规定，电极保持
在环境温度下。
mA
10
3
ZMM ...
mW
500
ZMM ...
10
2
i
F
10
TJ = 100℃
1
TJ = 25℃
10
-1
o
o
P
合计
400
300
10
-2
200
10
-3
100
10
-4
10
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
V
F
0.8
1V
0
100
200
o
C
T
AMB
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM 1 ... ZMM200
脉冲热电阻
与脉冲持续时间
有效的条件是，电极保持
在环境温度下。
K / W
10
3
7
5
5
4
3
2
2
2
4
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
ZMM ...
1000
T
j
=25 C
o
r
THA
r
zj
3
0.5
100
0.2
5
4
10
7
5
4
3
0.1
0.05
3
2
2
0.02
0.01
V=0
10
7
5
4
3
2
10
ZMM1
5
4
2.7
3.6
4.7
t
p
t
p
V=
T
P
I
3
2
5.1
ZMM5.6
0.1
2
5
T
1
10
-5
10
-4
1
1
10 S
1
2
5
10
-3
10
-2
10
t
p
-1
10
2
5
100mA
Iz
电容与
齐纳电压
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
pF
1000
7
5
ZMM ...
T
j
=25 C
o
100
T
j
=25 C
5
o
r
zj
V
R
=1V
4
3
C
合计
4
3
33
2
V
R
=2V
2
27
22
18
15
12
10
100
7
5
4
3
V
R
=1V
5
4
3
V
R
=2V
10
2
6.8/8.2
2
ZMM6.2
1
0.1
1
2
3
4 5
2
5
10
10
2
3
4 5
1
2
5
10
2
5
100mA
100V
Iz
在VZ IZ = 5毫安
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/09/2005
ZMM1通ZMM 200
00
表面贴装齐纳二极管
DO - 213AA / MINI MELF
可焊ENDS
D1= 0.066(1.676)
0.060(1.524)
阴极带
D2
0.022(0.559)
0.016(0.406)
0.145(3.683)
0.131(3.327)
D2=D1 +0
-0.008(0.20)
尺寸以英寸（毫米）
特点
·硅
平面齐纳二极管
在MiniMELF情况下，尤其是对于自动插入。该
齐纳电压是根据国际E 24分级
标准。更小的电压容差和更高的齐纳
电压要求。
这些
二极管，可以在DO-35的情况下与式
指定ZPD1通ZPD51 。
这些
二极管交付流片。
详情请看.Taping ..
Weight
约。 ： 0.05克
高温焊接： 260
O
C / 10秒码头
无铅产品，在可供选择：以上符合ROHS 99 ％锡
环境物质指令的要求
机械数据
案例MINI MELF模制玻璃（ SOD- 80 ）
重量约.0.05g
最大额定值和电气特性
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
功耗在环境温度Tamb = 25 ℃
结温
存储温度范围
注意：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
P合计
Tj
TS
500 1)
175
-55到+175
mW
℃
℃
值
单位
特点在环境温度Tamb = 25 ℃
符号
热阻
结到环境空气
注意：
（1）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
RthA
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
0.3 1)
单位
K /毫瓦
www.paceleader.tw
1
ZMM1通ZMM 200
00
表面贴装齐纳二极管
温度。
齐纳电压范围1 ）
TYPE
Vznom
V
ZMM1V3
ZMM2V0
ZMM2V4
ZMM2V7
ZMM3V0
ZMM3V3
ZMM3V6
ZMM3V9
ZMM4V3
ZMM4V7
ZMM5V1
ZMM5V6
ZMM6V2
ZMM6V8
ZMM7V5
ZMM8V2
ZMM9V1
ZMM10
ZMM11
ZMM12
ZMM13
ZMM15
ZMM16
ZMM18
ZMM20
ZMM22
ZMM24
ZMM27
ZMM30
ZMM33
ZMM36
ZMM39
ZMM43
ZMM47
ZMM51
ZMM56
ZMM62
ZMM68
ZMM75
ZMM82
ZMM91
ZMM100
ZMM110
ZMM120
ZMM130
ZMM150
ZMM160
ZMM180
ZMM200
注意事项：
（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，电极被保持在环境温度下进行。
（3） ZMM1是在前进方向动作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该.F 。 ..而不是.Z
阴极连接到负极。
0.75
2.0
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
IZT FO VZT 2 ）
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
0.7 … 0.8
1.9 … 2.1
2.28 ... 2.56
2.5 … 2.9
2.8 … 3.2
3.1 … 3.5
3.4 … 3.8
3.7 … 4.1
4.0 … 4.6
4.4 … 5.0
4.8 … 5.4
5.2 … 6.0
5.8 …6.6
6.4 … 7.2
7.0 … 7.9
7.7 … 8.7
8.5 … 9.6
9.4 … 10.6
10.4 … 11.6
11.4 … 12.7
12.4 … 14.1
13.8 … 15.6
15.3 … 17.1
16.8 … 19.1
18.8 … 21.2
20.8 … 23.3
22.8 … 25.6
25.1 … 28.9
28 … 32
31 … 35
34 … 38
37 … 41
40 … 46
44 … 50
48 … 54
52 … 60
58 … 66
64 … 72
70 … 79
77 … 87
85 … 96
94 … 106
104 … 116
114 … 127
124 … 141
138 … 156
153 … 171
168 … 191
188 … 212
Ω
<8
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<85
<75
<60
<35
<25
<10
<8
<7
<7
<10
<15
<20
<20
<26
<30
<40
<50
<55
<55
<80
<80
<80
<80
<80
<90
<90
<110
<125
<135
<150
<200
<250
<300
<450
<450
<600
<800
<950
<1250
<1400
<1700
<2000
rzjT和rzjk在IZK
Ω
<50
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<600
<550
<450
<200
<150
<50
<50
<50
<70
<70
<90
<110
<110
<170
<170
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<220
<500
<500
<600
<700
<700
<1000
<1000
<1000
<1500
<2000
<5000
<5000
<5500
<6000
<6500
<7000
<8500
<10000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
μA
-
<100
<50
<10
<4
<2
<2
<2
<1
<0.5
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
<0.1
I和I 2）在V
μA
-
<200
<100
<50
<40
<40
<40
<40
<20
<10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
<10
V
-
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
动态电阻
反向漏电流
系数
齐纳电压
TKvz
%/K
-0.26 … -0.23
-0.09 … -0.06
-0.09 … -0.06
-0.09 … -0.06
-0.08 … -0.05
-0.08 … -0.05
-0.08 … -0.05
-0.08 … -0.05
-0.06 … -0.03
-0.05 … +0.02
-0.02 … +0.02
-0.05 … +0.05
0.03 … 0.06
0.03 … 0.07
0.03 … 0.07
0.03 … 0.08
0.03 … 0.09
0.03 … 0.1
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.03 … 0.11
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.04 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
0.05 … 0.12
www.paceleader.tw
2
ZMM1通ZMM 200
00
表面贴装齐纳二极管
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
50
ZMM ...
Tj=25
o
C
ZMM 1
ZMM 2.7
ZMM 3.9
ZMM 3.3
ZMM 4.7
ZMM 6.8
Iz
40
ZMM 8.2
ZMM 5.6
30
20
图。 1 POWEDE
R
ATINGCU
RVE
10
测试电流IZ
5mA
0
0
1
2
3
4
5
6
Vz
7
8
9
10 V
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
30
ZMM ...
ZMM 10
ZMM 12
Tj=25
o
C
Iz
ZMM 15
20
ZMM 18
ZMM 22
10
测试电流IZ
5mA
ZMM 27
ZMM 33
ZMM 36
0
0
10
20
Vz
30
40 V
www.paceleader.tw
3
ZMM1通ZMM 200
00
表面贴装齐纳二极管
击穿特性
T
j
=常数（脉冲）
mA
10
ZMM 39
Iz
8
ZMM 43
测试电流IZ
5mA
ZMM 47
ZMM 51
ZMM ...
Tj=25
o
C
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Vz
70
80
90
100 V
正向特性
受理的功耗
随环境温度
有效的规定，电极保持
在环境温度下。
mA
10
3
ZMM ...
mW
500
ZMM ...
10
2
i
F
10
TJ = 100℃
1
TJ = 25℃
10
-1
o
o
P
合计
400
300
10
-2
200
10
-3
100
-4
10
10
-5
0
0
0.2
0.4
0.6
V
F
0.8
1V
0
100
T
AMB
200
o
C
www.paceleader.tw
4
ZMM1通ZMM 200
00
表面贴装齐纳二极管
脉冲热电阻
与脉冲持续时间
有效的条件是，电极保持
在环境温度下。
K / W
10
3
7
5
5
4
3
2
2
4
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
1000
ZMM ...
T
j
=25 C
o
r
THA
r
zj
3
2
0.5
100
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
V=0
5
2
5
4
3
10
7
5
4
3
2
10
7
5
4
3
2
10
ZMM1
4
2.7
3.6
4.7
t
p
V=
t
p
T
P
I
3
2
5.1
ZMM5.6
0.1
2
5
1
10
-5
10
T
-4
1
1
10 S
1
2
5
10
-3
10
-2
10
t
p
-1
10
2
5
100mA
Iz
电容与
齐纳电压
100
o
动态电阻
与齐纳电流
ZMM ...
T
j
=25 C
o
pF
1000
7
5
ZMM ...
T
j
=25 C
5
r
zj
V
R
=1V
V
R
=2V
4
3
C
合计
4
3
33
27
22
18
15
12
2
2
10
100
7
5
4
3
V
R
=1V
5
4
3
V
R
=2V
10
2
6.8/8.2
2
ZMM6.2
1
0.1
1
2
3
4 5
2
5
10
10
2
3
4 5
1
2
5
10
2
5
100mA
100V
Iz
在VZ IZ = 5毫安
www.paceleader.tw
5
ZMM2V4 - ZMM75
500mW的表面贴装稳压二极管
特点
·
·
·
·
平面模具结构
密封的玻璃柜
非常适合于自动插入
2.4V - 75V额定齐纳电压
不适用于新设计，
使用BZT52C2V4 - BZT52C51
A
B
C
机械数据
·
·
·
·
案例： MiniMELF ，玻璃
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
极性：负极频带
约。重量： 0.05克
MiniMELF
暗淡
A
B
C
民
3.30
1.30
0.28
最大
3.70
1.60
0.50
尺寸：mm
最大额定值
功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
V
F
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
500
1.5
300
-55到+175
单位
mW
V
K / W
°C
特征
正向电压@ I
F
= 200毫安
热阻，结到环境空气（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.测试用的脉冲， TP = 20毫秒。
2.有效的规定，电极保持在环境温度。
DS18005修订版H- 3
1第3
ZMM2V4-ZMM75
电气特性
额定齐纳
电压
（注1 ）
V
Z
@ I
ZT
(V)
ZMM2V4
ZMM2V7
ZMM3V0
ZMM3V3
ZMM3V6
ZMM3V9
ZMM4V3
ZMM4V7
ZMM5V1
ZMM5V6
ZMM6V2
ZMM6V8
ZMM7V5
ZMM8V2
ZMM9V1
ZMM10
ZMM11
ZMM12
ZMM13
ZMM15
ZMM16
ZMM18
ZMM20
ZMM22
ZMM24
ZMM27
ZMM30
ZMM33
ZMM36
ZMM39
ZMM43
ZMM47
ZMM51
ZMM56
ZMM62
ZMM68
ZMM75
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
齐纳
电压
范围
V
Z
@ I
ZT
(V)
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
(W)
85
85
90
90
90
90
90
80
60
40
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
最大齐纳
阻抗
Z
ZK
@ I
ZK
(W)
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
最大
漏电流@ V
R
I
R
@
T
J
= 25°C
(A)
50
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
@
T
J
= 150°C
(A)
100
50
40
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
10
10
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
TYPE
数
温度
系数
(%/K)
-0.09至-0.06
-0.09至-0.06
-0.08 -0.05至
-0.08 -0.05至
-0.08 -0.05至
-0.08 -0.05至
-0.06 -0.03至
-0.05 +0.02至
-0.02 +0.02至
-0.05 +0.05至
0.03 0.06
为0.03 0.07
为0.03 0.07
为0.03 0.08
0.03 0.09
0.03 0.10
0.03 0.11
0.03 0.11
0.03 0.11
0.03 0.11
0.03 0.11
0.03 0.11
0.03 0.11
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
0.04 0.12
2.28至2.56
2.5 2.9
2.8到3.2
3.1 3.5
3.4到3.8
3.7 4.1
4.0 4.6
4.4 5.0
4.8 5.4
5.2 6.0
5.8 6.6
6.4到7.2
7.0 7.9
7.7到8.7
8.5到9.6
9.4至10.6
10.4 11.6
11.4至12.7
12.4至14.1
13.8至15.6
15.3至17.1
16.8至19.1
18.8至21.2
20.8至23.3
22.8 25.6
25.1 28.9
2832
31 35
34至38
37至41
40至46
44至50
48至54
52至60
58至66
64至72
70至79
注意事项：
1.测试与脉冲吨
p
= 20毫秒。
2.有效的规定，电极保持在环境温度。
不适用于新设计，
使用BZT52C2V4 - BZT52C51
DS18005修订版H- 3
2 3
ZMM2V4-ZMM75
100
50
P
合计
= 500mW的
T
A
= 25°C
P
合计
= 500mW的
T
A
= 25°C
I
Z
，齐纳电流（毫安）
80
40
60
I
Z
，齐纳电流（毫安）
0
4
8
12
16
20
30
40
20
20
10
0
0
V
Z
齐纳电压（V）
图。 1 ，齐纳电流与齐纳电压
15
600
不适用于新设计，
1000
使用BZT52C2V4 - BZT52C51
差齐纳阻抗（
W
)
30
25
20
V
Z
齐纳电压（V）
图。 8 ，齐纳电流与齐纳电压
T
j
= 25°C
35
500
P
d
，功耗（毫瓦）
400
300
200
100
0
100
I
Z
= 1毫安
5mA
10
10mA
0
40
80
120
160
200
1
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3 ，功耗与环境温度
0
10
15
20
V
Z
齐纳电压（V）
图。 4 ，差分阻抗齐纳
V
R
= 2V
T
j
= 25°C
5
25
200
C
j
，结电容（pF ）
150
100
50
0
0
5
10
15
20
25
V
Z
齐纳电压（V）
图。 5 ，结电容VS齐纳电压
DS18005修订版H- 3
3 3
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