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ZXTN19020CFF
20V ， SOT23F ， NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 65V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECO
＆ GT ; 4.5V
I
C（ CONT ）
= 7A
V
CE （ SAT ）
<为30mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 18m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP19020CFF
C
描述
先进过程能力已被用于最大化性能
这种晶体管。该SOT23F包是同行业兼容
标准SOT23封装的足迹，但提供较低姿态和更高的功耗
对于应用中的功率密度是极其重要的。
B
特点
极低的饱和电压
高增益
较高的正向阻断电压
低调的高散热封装
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
LED驱动
频闪闪光
电机驱动
微缓冲区
订购信息
设备
ZXTN19020CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E2
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTN19020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
65
65
20
4.5
7
7
1
15
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTN19020CFF
特征
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTN19020CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极击穿
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
65
65
20
7
6
4.5
典型值。
85
85
25
8.3
8.2
5.3
<1
<1
<1
23
45
55
135
基射极饱和电压V
BE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
200
180
100
45
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
960
840
350
340
220
95
150
315
40
135
117
285
88
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
V
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A，R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 50V ，R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 7A ，我
B
= 280毫安
(*)
I
C
= 7A ，我
B
= 280毫安
(*)
I
C
= 7A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 7A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 50MHz的
pF
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
=10 V.
I
C
=1A,
I
B1
= I
B2
=10mA.
or
or
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
50
20
100
50
30
65
70
175
1050
950
500
nA
A
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
50
pF
ns
ns
ns
ns
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
4
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ZXTN19020CFF
典型特征
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
5
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ZXTN19020CFF
20V ， SOT23F ， NPN高增益功率晶体管
摘要
BV
CEX
> 65V
BV
首席执行官
> 20V
BV
ECO
＆ GT ; 4.5V
I
C（ CONT ）
= 7A
V
CE （ SAT ）
<为30mV @ 1A
R
CE （ SAT ）
= 18m
P
D
= 1.5W
补充部分号码ZXTP19020CFF
C
描述
先进过程能力已被用于最大化性能
这种晶体管。该SOT23F包是同行业兼容
标准SOT23封装的足迹，但提供较低姿态和更高的功耗
对于应用中的功率密度是极其重要的。
B
特点
极低的饱和电压
高增益
较高的正向阻断电压
低调的高散热封装
E
E
C
B
引脚 - 顶视图
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
LED驱动
频闪闪光
电机驱动
微缓冲区
订购信息
设备
ZXTN19020CFFTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
器件标识
1E2
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTN19020CFF
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（正向阻断）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
(c)
基极电流
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(c)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
P
D
极限
65
65
20
4.5
7
7
1
15
0.84
6.72
1.34
10.72
1.5
12.0
2.0
16.0
- 55 150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(c)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
极限
149.3
93.4
83.3
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（三）安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件下的高覆盖面的单面2盎司铜。
（ d）由于上述（c）在t<5secs测定。
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTN19020CFF
特征
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTN19020CFF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极击穿
电压（正向阻断）
集电极 - 发射极击穿
电压（基本开）
发射极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿
电压（反向阻断）
发射极 - 集电极击穿
电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
BV
CEX
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
ECX
BV
ECO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
分钟。
65
65
20
7
6
4.5
典型值。
85
85
25
8.3
8.2
5.3
<1
<1
<1
23
45
55
135
基射极饱和电压V
BE （ SAT ）
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE（上）
h
FE
200
180
100
45
跃迁频率
输入电容
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
IBO
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
960
840
350
340
220
95
150
315
40
135
117
285
88
300秒;占空比
2%.
马克斯。
单位条件
V
V
V
V
V
V
I
C
= 100 A
I
C
= 100 A，R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
I
C
= 10毫安
(*)
I
E
= 100 A
I
E
= 100 A，R
BC
<或1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
I
E
= 100 A,
V
CB
= 50V
V
CB
= 50V ，T
AMB
= 100°C
V
CE
= 50V ，R
BE
< 1K
-1V < V
BE
< 0.25V
V
EB
= 5.6V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
(*)
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
(*)
I
C
= 2A ，我
B
= 40毫安
(*)
I
C
= 7A ，我
B
= 280毫安
(*)
I
C
= 7A ，我
B
= 280毫安
(*)
I
C
= 7A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 0.1A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 2A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 7A ，V
CE
= 2V
(*)
I
C
= 15A ，V
CE
= 2V
(*)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 50MHz的
pF
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
(*)
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
(*)
V
CC
=10 V.
I
C
=1A,
I
B1
= I
B2
=10mA.
or
or
集电极 - 基极击穿电压BV
CBO
50
20
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30
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nA
A
nA
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mV
mV
mV
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mV
mV
50
pF
ns
ns
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注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
第1期 - 2007年2月
捷特科PLC 2007
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ZRC330R01
ZXM61N02F
ZSR850
ZC822
ZFSWA2-63DR+
Z02W20V
ZTX322
ZWS150PAF-24/T
ZRL-2400LN
ZXFV401N16TC
Z84C9012VSC
Z0109NA
供货商
型号
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原包装原标现货，假一罚十，
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28000
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只做原装正品
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联系人：李
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