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同轴
50
高功率放大器
100W
20至500兆赫
新产品公告!
ZHL-100W-GAN+
大不了
请点击
这里
数据表
High Efficiency, 50% typ.
High Output Power, 100W
氮化镓输出级
High Output IP2, +84 dBm typ.
High Output IP3, +60 dBm typ.
ZHL-100W-GAN+
Price $2395.00 (Qty. 1-9)
ZHL-100W-GANX+
Price $2320.00 (Qty. 1-9)
产品概述
The Mini-Circuits ZHL-100W-GAN+ utilizes high power Galium Nitride (GaN) output stage, which results in
higher efficiency (50% typ.) as compared to GaAs, LDMOS and VDMOS counterparts. GaN FET’s boast a
maximum junction temperature of 250°C translating into higher operating temperatures without adversely
影响平均无故障时间。
主要特点
特征
高效率
优势
更高的PAE导致显著成本节约超过放大器的工作寿命。
坚固的设计
极端负载失配,如开路/短路时输出被容忍,而不会损坏放大器。
栅栏的范围
过温,过压和反向极性保护加入到放大器的坚固性。
ISO 9001 ISO 14001 9100
认证
P.O.盒350166 ,布鲁克林,纽约11235-0003 ( 718 ) 934-4500传真:( 718 ) 332-4661
设计工程师搜索引擎
IF / RF微波元件
微型电路
有关详细性能规格
&网上购物看的网站
在提供实际的数据瞬间
minicircuits.com
注:1 。
性能和质量属性和本规格表中没有明文规定条件的目的是排除,不构成本规格表中的一部分。
2.
电气规格
与此处包含的性能数据是基于微型电路的应用建立的测试性能标准和测试指令。
3.
覆盖本规格表中部分受
微型电路的标准有限保修及条款和条件(以下统称“标准条款”) ;这部分买家有权所载的权利和利益。对于标准的完整声明
条款及独家权利及补救措施的细则,请访问小型电路“网站www.minicircuits.com/MCLStore/terms.jsp 。
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High Efficiency, 50% typ.
High Output Power, 100W
氮化镓输出级
High Output IP2, +84 dBm typ.
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ZHL-100W-GAN+
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产品概述
The Mini-Circuits ZHL-100W-GAN+ utilizes high power Galium Nitride (GaN) output stage, which results in
higher efficiency (50% typ.) as compared to GaAs, LDMOS and VDMOS counterparts. GaN FET’s boast a
maximum junction temperature of 250°C translating into higher operating temperatures without adversely
影响平均无故障时间。
主要特点
特征
高效率
优势
更高的PAE导致显著成本节约超过放大器的工作寿命。
坚固的设计
极端负载失配,如开路/短路时输出被容忍,而不会损坏放大器。
栅栏的范围
过温,过压和反向极性保护加入到放大器的坚固性。
ISO 9001 ISO 14001 9100
认证
P.O.盒350166 ,布鲁克林,纽约11235-0003 ( 718 ) 934-4500传真:( 718 ) 332-4661
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性能和质量属性和本规格表中没有明文规定条件的目的是排除,不构成本规格表中的一部分。
2.
电气规格
与此处包含的性能数据是基于微型电路的应用建立的测试性能标准和测试指令。
3.
覆盖本规格表中部分受
微型电路的标准有限保修及条款和条件(以下统称“标准条款”) ;这部分买家有权所载的权利和利益。对于标准的完整声明
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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