SOT323 NPN硅平面
射频晶体管
第1期 - 1998年12月
PARTMARKING详细信息 -
ZUMTS17 - T4
ZUMTS17H - T4H
ZUMTS17
ZUMTS17H
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
25
15
2.5
50
25
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
集电极截止
当前
静态正向电流
传输比
ZUMTS17H
过渡
频率
f
T
符号
I
CBO
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
25
20
70
1.0
1.3
反馈电容
集电极电容
发射极电容
噪声系数
互
失真
-C
re
C
Tc
C
Te
N
d
im
4.5
-45
0.85
1.5
2.0
150
125
200
GHz的
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
单位
nA
A
条件。
V
CB
= 10V ，我
E
=0
V
CB
= 10V ，我
E
=0,
T
AMB
= 100°C
I
C
= 2.0毫安，V
CE
=1.0V
I
C
= 25毫安，V
CE
=1.0V
I
C
= 2.0毫安，V
CE
=1.0V
I
C
= 2.0毫安，V
CE
=5.0V
f=500MHz
I
C
= 25毫安，V
CE
=5.0V
f=500MHz
I
C
= 2.0毫安，V
CE
= 5V ， F = 1MHz的
I
E
=I
e
=0, V
CB
=10V,
f=1MHz
I
C
=I
c
=0, V
EB
=5.0V,
f=1MHz
I
C
= 2.0毫安，V
CE
=5.0V
R
S
= 50Ω ， F = 500MHz的
I
C
= 10毫安，V
CE
=6.0V
R
L
=37.5,T
AMB
=25°C
V
o
= 100mV的在f
p
=183MHz
V
o
= 100mV的在f
q
=200MHz
在F量度
(2q-p)
=217MHz
h
FE
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备
QQ：2880707522 复制
