【10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC发射机2007年3月 - 修订版01 -MAR -07U1】,IC型号XU1005-BD-000V,XU1005-BD-000V PDF资料,XU1005-BD-000V经销商,ic,电子元器件-51电子网

10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC

发射机

2007年3月 - 修订版01 -MAR -07

U1005-BD

芯片设备布局

特点

集成混频器， LO缓冲器和输出放大器

8分贝转换增益

15分贝镜像抑制

+17 dBm的OIP3

+6 dBm的LO驱动电平

-12 dBm的LO泄漏功率

100 ％晶圆RF和DC测试

100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010

XU1005-BD

MIMIX宽带的10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC变送器提供+17

dBm的输出三阶截取和整个15分贝镜像抑制

乐队。该装置是一个镜像抑制，平衡混频器后面跟两

级的输出放大器。该图像抑制混频器降低了对

功率放大器之前，无用边带滤波。 I和Q混频器

还提供输入端和一个外部90度混合是需要

选择想要的边带。这MMIC采用MIMIX宽带的0.15

m

砷化镓PHEMT器件模型技术，并基于电子

束光刻，以确保高的可重复性和均匀性。该芯片

具有表面钝化保护，并提供一个坚固的部分与

通孔和镀金背面，让无论是导电

环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是非常适合

毫米波点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT

应用程序。

概述

绝对最大额定值

电源电压（ VD）

电源电流（ Id1,2,3 ）

栅极偏置电压（ VG）

输入功率（ IF引脚）

存储温度（ TSTG ）

工作温度（Ta ）

通道温度（ TCH）

+6.0伏

250150250毫安

+0.3 VDC

0.0 dBm的

-65 + 165

O

C

-55到MTTF表

1

MTTF表

1

（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是

建议保持通道温度低至

可能的最大生命值。

电气特性（环境温度T = 25

o

C)

参数

频率范围（ RF ）上边带

频率范围（ LO ）

频率范围（ IF ）

输出回波损耗RF （ S22 ）

小信号转换增益IF / RF （ S21 ）

LO输入驱动器（P

LO

)

隔离LO / RF

输出三阶截取点（ OIP3 ）

漏极偏置电压（ Vd1,2,3 ）

源偏置电压（ VS1）

栅极偏置电压（ VG1 ），混频器

栅极偏置电压（ Vg2,3 ）

电源电流（ ID1）（ Vd1的= 5.0V ）

电源电流（ ID2）（ Vd2的= 5.0V ， V G = -0.1V典型）

电源电流（ ID3 ）（ Vd3的= 5.0V ， V G = -0.1V典型）

电源电流（ ISS ）（VSS = -5.0V ）

单位

GHz的

dB

DBM

dB

DBM

VDC

mA

分钟。

10.0

7.0

DC

-

-1.2

-

典型值。

-

18.0

9.0

+6.0

18.0

+17.0

+5.0

-5.0

-0.6

-0.1

140

70

140

马克斯。

18.0

21.0

3.0

-

+5.5

-

+0.1

200

100

200

第1页8

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。

2007

MIMIX宽带公司

出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受

他们有义务要符合美国的出口法律。

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发射机

2007年3月 - 修订版01 -MAR -07

U1005-BD

发射机测量

ONV 。摹AIN /图像R弹射

USB ， IF = 2 G赫兹， LO = +6 dBm的

20

15

10

5

0

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

CONV 。摹艾因

ONV 。摹AIN /图像R弹射

LSB ， IF = 2 G赫兹， LO = +6 dBm的

15

10

5

0

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

LSB转化率摹泉

图片重新拍摄对象

CONV 。在嘎（分贝） /图像重新jection （ DBC）

-40

-45

-50

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

图片Rej启动ECT

19

20

21

22

CONV 。在嘎（分贝） /图像重新jection （ DBC）

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

的R F （千兆赫）

LSB ， IF = 2 GH Z， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

+6 dBm的ND 8 dBm时， 2005年3月0 ： OIP3 AVG（ DBM） VS 。 RF （千兆赫）

30

美国B ， IF = 2 G赫兹， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

+6 dBm的ND 8 dBm时， 2005年3月0 ： OIP3 AVG（ DBM） VS 。 RF （千兆赫）

25

OIP3 ， PL

（ dBm的） = 4， RC = R1

（DBM ） = 6 ， RC = R1

（DBM ） = 8 ， RC = R1

0C6

1C5

1C7

2C4

0C6

1C5

1C7

2C4

0C6

1C5

25

OIP3 ， PL

（ dBm的） = 4， RC = R1

（DBM ） = 6 ， RC = R1

（DBM ） = 8 ， RC = R1

0C6

1C5

1C7

2C4

0C6

1C5

1C7

2C4

0C6

1C5

20

15

OIP3一个VG （ DBM）

15

10

5

OIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， RC = R1 1C7

OIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， RC = R1 2C4

5

OIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， RC = R1 1C7

OIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， RC = R1 2C4

0

-5

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

-5

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

RF （G赫兹）

LSB ， IF = 2 GH Z， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

+6 dBm的ND 8 dBm时， 2005年3月0 ： IIP3 AVG（ DBM） VS 。 RF （千兆赫）

30

美国B ， IF = 2 G赫兹， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

+6 dBm的ND 8 dBm时， 2005年3月0 ： IIP3 AVG（ DBM） VS 。 RF （千兆赫）

25

IIP3 ， PL

（ dBm的） = 4， R C = R 10C6

（ dBm的） = 4， R C = R 11C5

（ dBm的） = 4， R C = R 11C7

（ dBm的） = 4， R C = R 12C4

（ dBm的） = 6， R C = R 10C6

（ dBm的） = 6， R C = R 11C5

（ dBm的） = 6， R C = R 11C7

（ dBm的） = 6， R C = R 12C4

（DBM ） = 8 ， R C = R 10C6

（DBM ） = 8 ， R C = R 11C5

25

IIP3 ， PL

（ dBm的） = 4， R C = R 10C6

（ dBm的） = 4， R C = R 11C5

（ dBm的） = 4， R C = R 11C7

（ dBm的） = 4， R C = R 12C4

（ dBm的） = 6， R C = R 10C6

（ dBm的） = 6， R C = R 11C5

（ dBm的） = 6， R C = R 11C7

（ dBm的） = 6， R C = R 12C4

（DBM ） = 8 ， R C = R 10C6

（DBM ） = 8 ， R C = R 11C5

20

IIP3 AV克（ DBM）

15

10

5

IIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R 11C7

IIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R 12C4

5

IIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R 11C7

IIP3 ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R 12C4

0

-5

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

-5

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

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RF （ GH z）

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发射机

2007年3月 - 修订版01 -MAR -07

U1005-BD

发射机测量（续）

LSB ， IF = 2 GH Z， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

6分贝马ND 8分贝男， 2005年5月30日： LO ISO （分贝） VS 。 RF （ GH z）

0

-5

-10

-15

-20

LO / RF ， PL

O

（ dBm的） = 4， R C = R10C6

（ dBm的） = 4， R C = R11C5

（ dBm的） = 4， R C = R11C7

（ dBm的） = 4， R C = R12C4

（ dBm的） = 6， R C = R10C6

（ dBm的） = 6， R C = R11C5

（ dBm的） = 6， R C = R11C7

（ dBm的） = 6， R C = R12C4

（DBM ） = 8 ， R C = R10C6

（DBM ） = 8 ， R C = R11C5

美国B ， IF = 2 G赫兹， IF1 - IF 2 = 100 MHz时， PIF的CL = -10 dBm时， PL O = 4分贝米，

6分贝马ND 8分贝男， 2005年5月30日： LO ISO （分贝） VS 。 RF （ GH z）

0

-5

-10

-15

-20

LO / RF ， PL

O

（ dBm的） = 4， R C = R10C6

（ dBm的） = 4， R C = R11C5

（ dBm的） = 4， R C = R11C7

（ dBm的） = 4， R C = R12C4

（ dBm的） = 6， R C = R10C6

（ dBm的） = 6， R C = R11C5

（ dBm的） = 6， R C = R11C7

（ dBm的） = 6， R C = R12C4

（DBM ） = 8 ， R C = R10C6

（DBM ） = 8 ， R C = R11C5

Lo是O（分贝）

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

LO / RF ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R11C7

LO / RF ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R12C4

LO / RF ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R11C7

LO / RF ， PL O（ DBM） = 8 ， R C = R12C4

RF （千兆赫）

MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099

电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com

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10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC

发射机

2007年3月 - 修订版01 -MAR -07

U1005-BD

0.169

(0.007)

0.569

(0.022)

3

机械制图

1.169

(0.046)

4

1.968

(0.077)

5

2.368

(0.093)

6

7

2.200

(0.087)

2

1.824

(0.072)

1.100

(0.043)

1

XU1005-BD

0.0

12

11

10

9

8

0.169

(0.007)

0.569

(0.022)

1.169

(0.046)

1.968

(0.077)

2.368

(0.093)

3.200

(0.126)

（注：工程代号是14TX0614 ）

单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。

厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ），背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金

所有的DC / IF接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ）。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）。

接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。

切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ）。大约重量： 4.36毫克。

焊盘＃ 1 （ LO ）

焊盘＃ 2 （ VG1 ）

焊盘＃ 3 （ Vd1A ）

焊盘＃ 4 （ IF1 ）

焊盘＃ 5 （ VG2 ）

焊盘＃ 6 （ VG3 ）

焊盘＃ 7 （ RF ）

焊盘＃ 8 （ Vd3的）

焊盘＃ 9 （ Vd2的）

焊盘＃ 10 （ IF2 ）

焊盘＃ 11 （ Vd1B ）

焊盘＃ 12 （ VG1 ）

偏置安排

Vd1A

Vg1

IF1

2

3

4

5

6

7

旁路电容

- 参见应用笔记[ 2 ]

Vg2,3

RF

LO

1

XU1005-BD

12

11

10

9

8

IF2

Vg1

Vd1B

Vd2,3

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发射机

2007年3月 - 修订版01 -MAR -07

U1005-BD

应用笔记[1]偏置

- 如图中接合图，该装置是由单独的偏置操作的Vd的（1,2,3） = 5.0V ，

VSS = -5.0V ，ID1 = 140毫安，ID2 = 70毫安， ID3 = 140毫安和IS1 = 140毫安。此外，混频器还需要与VG1 = -0.6V 。

调整高于或低于此值VG1可转换增益产生不利影响， LO / RF隔离和拦截点

性能。增益控制可以通过改变Vg2,3进行调整，从0.0到-1.2 V与0.0V提供最低

衰减和-1.2 V提供最大衰减。此外，还建议使用有源偏置，以保持

电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据不同的

可用的电源电压和功率耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率

运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的门

pHEMT制被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。所需的典型栅极电压来做到这一点

为-0.2V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请务必测序

施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。

应用笔记[2]偏置安排

-

对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的排水管或

栅极焊盘直流旁路电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也

建议所有DC或组合的直流偏置垫（如果门或排水渠连接在一起）。

对于个人级的偏置 - 每个DC垫（ Vd1,2,3 ，VSS和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容（ 100200 pF的）

如靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。

MTTF表（ TBD）

分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。

背板

温度

55度摄氏

75度摄氏

95度摄氏

通道

温度

度摄氏

RTH

平均无故障时间

FITS

C / W

E+

偏置条件：

VD1 = Vd2的= Vd3的= 5.0V ， VSS = -5.0V ，ID1 = 140毫安，ID2 = 70毫安， ID3 = 140毫安， IS1 = 140毫安

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