A
PPLICATION
N
OTE
A V A I L A B L E
X25080
8K
AN61
X25080
SPI串行ê
2
胎膜早破与锁座
TM
保护
描述
1K ×8位
特点
2MHz的时钟速率
SPI模式（ 0,0和放大器; 1,1 ）
1K ×8位
- 32字节页模式
低功耗CMOS
- <1
待机电流
- <5毫安工作电流
2.7V至5.5V电源
块锁保护
- 保护1/4，1/2或全部的E
2
PROM阵列
内置无意写保护
- 上电/掉电保护电路
- 写使能锁存
- 写保护引脚
- 自定时写周期
- 5ms的写周期时间（典型）
高可靠性
- 耐力： 100,000次
- 数据保存：100年
- ESD保护： 2000V上的所有引脚
8引脚封装PDlP
8引脚SOIC封装
14引脚TSSOP封装
工作原理图
状态
注册
写
保护
逻辑
该X25080是CMOS 8192位串行é
2
舞会，
内部组织为1K X 8 X25080有
串行外设接口（SPI）和软件协议
允许在一个简单的三线总线操作。公交车
信号是一个时钟输入（SCK）加在单独的数据（SI）的
和数据输出（SO ）线。对设备的访问是CON-
通过片选（ CS ）输入控制，它允许任何
器件的数目，以共享相同的总线。
该X25080还拥有两个额外的输入，
提供添加了灵活性终端用户。通过认定
该
HOLD
输入时， X25080会忽略它的转变
输入，从而使主机优先级更高
中断。该
WP
输入可以被用作一个硬连线输入
到X25080禁止所有试图写入到状态
寄存器中，从而提供了一种机制，用于限制端
改变0 ， 1/4，1/2或全部内存的用户的能力。
该X25080采用Xicor公司专有的直接写入
电池，可提供10万个周期的最低耐力
和100年的最小数据保持力。
X解码
逻辑
8
1K字节
ARRAY
8 X 256
SO
SI
SCK
CS
HOLD
命令
解码
和
控制
逻辑
8
8 X 256
16
16 X 256
WP
写
控制
和
定时
逻辑
32
8
解码
数据寄存器
3090 ILL F01
直接写和块锁保护是Xicor公司， Inc.的商标。
Xicor公司，公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
3090-1.7 96年6月11日T3 / C1 / D0 NS
1
特性如有变更，恕不另行通知
X25080
操作原理
该X25080是1K ×8 ê
2
PROM设计成连接
直接与同步串行外设接口
许多流行的微控制器家族（ SPI ） 。
该X25080包含一个8位指令寄存器。这是
通过SI输入存取，数据通过时钟在
上升的SCK 。
CS
必须为低电平，并且
HOLD
和
WP
输入数据必须在整个操作过程中高。该
WP
输入的是“不关心” ，如果WPEN设置为“ 0 ” 。
表1包含的指令和一个列表的
操作码。所有指令，地址和数据传输
ferred MSB科幻RST 。
输入数据的采样在SCK后的第一个上升沿
CS
变低。 SCK是静态的，从而允许用户停止
钟，然后恢复运营。如果在时钟线为
与SPI总线上的其它外围设备共享的
用户可将
HOLD
输入到X25080放置到
一个“暂停”状态。释放后，
HOLD ，
该X25080
将恢复工作由点时，
HOLD
是
首先断言。
写使能锁存
该X25080包含了“写使能”锁存器。该锁存器
必须设置一个写操作完成之前，
在内部。 WREN指令将设置锁存器和
WRDI指令将复位锁存器。这是插销
在一个电条件后自动复位
在完成一个字节，页或状态寄存器写入
周期。
状态寄存器
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下：
7
6
WPEN X
5
X
4
X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
3090 PGM T02
WPEN ， BP0和BP1由WRSR指令集。
WEL和WIP是只读的，并自动设置
其他操作。
写在制品（ WIP ）位指示
X25080正忙于写操作。当设置为“1” ，
一个写入过程中，当设置为“0 ”时，没有写入是在
进展情况。在写入期间，所有其它位被置为“1”。
写使能锁存器（ WEL ）位表示的状态
“写使能”锁存器。当设置为“1”时，锁存器被置位，
当设置为“0”时，锁存器被复位。
块保护（ BP0和BP1 ）位是非易失性的
并允许用户选择一个4的保护级别
化。该X25080分为四个2048位的段。
一个，两个，或四个段的可被保护。
也就是说，用户可以读取的段，但将
无法改变（写）所选择的段中的数据。
分区控制，如下图所示。
状态寄存器位
BP1
BP0
0
0
1
1
0
1
0
1
数组地址
保护
无
$0300–$03FF
$0200–$03FF
$0000–$03FF
3090 PGM T03
表1.指令集
指令名称
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
写
指令格式*
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
手术
将写使能锁存器（允许写操作）
复位写使能锁存器（禁止写操作）
读状态寄存器
写状态寄存器
从存储阵列中读取数据，在开始选择
地址
将数据写入到存储阵列在选定的地址开始
（1至32字节）
3090 PGM T04
*说明显示MSB在最左边的位置。指令传输MSB连接RST 。
3
X25080
写保护启用
写保护使能（ WPEN ）可用于
X25080作为非易失性使能位
WP
引脚。
受保护的无保护状态
WPEN
WP
WEL块
块
注册
0
0
1
1
X
X
X
X
低
低
高
高
0
1
0
1
0
1
保护
保护
保护
保护
保护
保护
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
保护
保护
可写
3090 PGM T05.1
读状态寄存器的
CS
行先拉低
选择器件随后的8位RDSR指令
化。后RDSR操作码发送的内容
状态寄存器移出SO线。读
状态寄存器的序列示于图2 。
写序
之前的任何企图将数据写入到X25080 ，该
“写使能”锁存器必须连接首先要通过发出设定
WREN指令（参见图3） 。
CS
首先取低，
那么WREN指令被移入X25080 。
之后所有8位的指令的发送，
CS
然后必须采取高。如果用户继续写
操作不考虑
CS
发出后高
WREN指令，写操作将被忽略。
要将数据写入到E
2
PROM存储器阵列中，用户
发出WRITE指令，然后由地址
然后将要写入的数据。这是一个最低限度的第三十
两个时钟运行。
CS
一定要低并保持低
为操作的持续时间。主机可以继续
最多可以写入32个字节的数据到X25080 。唯一
限制为32个字节都必须驻留在同一页上。
如果地址计数器到达页面的结尾和
时钟下去，计数器将“翻身”的第一个科幻
页面地址并覆盖任何数据可
已被写入。
对于写操作（字节或页写）是
完成后，
CS
位为0后，带来的只能是高
数据字节N的主频。如果这是在其他任何拉高
一次写操作将不能完成。请参阅
图4和图5所示为在一个详细说明
写序列和时间框架中
CS
去
高电平有效。
写状态寄存器， WRSR指令是
接着要写入的数据。数据位0，1， 4,5和
6必须为“0”。图6示出了该序列。
而写入过程中下一个状态寄存器或
E
2
PROM的写序列时，状态寄存器可以读
检查WIP位。在此期间， WIP位将是“1”。
保持工作
该
HOLD
输入要高（在V
IH
）在正常
操作。如果数据传输被中断
HOLD
可以拉低暂停转让，直到它可以
恢复。唯一的限制是在SCK的输入必须是
当低
HOLD
首先拉低SCK也必须
为低电平时，
HOLD
被解除。
该
HOLD
输入可直接到V连接到高电平任
CC
或连接到V
CC
通过一个电阻。
4
写保护（ WP）引脚和非易失性写
保护使能状态寄存器的控制（ WPEN ）位
可编程硬件写保护功能。硬
洁具写保护时启用
WP
引脚为低电平时，
和WPEN位为“1” 。硬件写保护
禁用时，无论是
WP
引脚为高电平或WPEN
位为“0”。当芯片被硬件写保护
非易失性写入禁用状态寄存器，
包括数据块保护位和WPEN位本身，
以及在存储器中的块保护的节
数组。存储器阵列的只有不属于节
块保护的可写。
注意：
由于WPEN位被写保护，
不能被改回“0” ，只要
该
WP
引脚保持为低电平。
时钟和数据时序
在SI线数据输入锁存的上升沿
SCK 。数据被输出到SO线通过的下降沿
SCK 。
阅读顺序
从E读数据时
2
PROM存储器阵列
CS
is
科幻RST拉低来选择该设备。 8位读
指令被发送到X25080 ，其次是
16位的地址，其中过去10被使用。后
读操作码和地址被发送，存储在数据
在所选择的地址的存储器被移出的
SO线。在接下来的地址存储在存储器中的数据
可以依次通过继续提供时钟读
脉冲。地址会自动递增到
每个数据字节后下一个较高地址被移出。
当达到最高的地址（$ 03FF ）的
地址计数器计满，以解决0000美元允许
读周期将持续不知疲倦音响奈特雷。读
操作是通过服用终止
CS
HIGH 。参阅
阅读电子
2
PROM阵列操作顺序说明
图1 。
X25080
操作说明
该X25080通电时处于以下状态：
- 该设备处于低功耗待机状态。
高到低的跳变
CS
需要
进入活动状态并接收指令。
- SO引脚为高阻抗。
- 在“写使能”锁存器复位。
数据保护
下面的电路已被包括在内，以防止
意外写入：
- 在“写使能”锁存器在上电时复位。
- 一个WREN指令必须发出来设置“写
使能“锁存器。
CS
一定要来HIGH在适当的时钟数
命令以启动一个写周期。
图1.阅读电子
2
PROM阵列操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
3090 ILL F03
图2.读状态寄存器操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
指令
SI
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
3090 ILL F04
5
QQ：2880707522 复制
