复合晶体管
XP02401
(XP2401)
PNP硅外延平面型
(0.425)
单位：mm
0.12
+0.05
–0.02
对于一般的放大
■
特点
两个元素合并到一个包
（基本耦合晶体管）
由一个半减少安装面积和装配成本的
0.20
±0.05
5
4
1.25
±0.10
2.1
±0.1
1
2
3
(0.65) (0.65)
1.3
±0.1
2.0
±0.1
10
■
基本型号
2SB0709A （ 2SB709A ）
×
2
0.9
±0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
150
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Tr1
1 ：发射器（ Tr1的）
2 ：基本
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 88A
0-0.1
0.9
+0.2
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：收藏家（ Tr1的）
SMini5 -G1封装
标记符号： 7R
内部连接
5
4
5
Tr2
1
2
3
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
h
FE
比
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE （小/
大）
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
B
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
60
50
7
典型值
最大
0.1
100
160
0.50
0.99
0.3
80
2.7
0.5
460
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
兆赫
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年2月
SJJ00155BED
0.2
±0.1
单位
V
V
V
A
A
V
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
复合晶体管
P
T
- TA
250
–60
Ta=25C
I
B
=–300A
XP2401
I
C
— V
CE
–60
V
CE
= – 5V
Ta=25C
–50
I
C
— I
B
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
集电极电流I
C
（MA ）
200
–50
–40
150
–150A
–30
100
–20
–100A
–20
50
–10
–50A
–10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
I
B
— V
BE
–400
–350
V
CE
= – 5V
Ta=25C
–200
–240
I
C
— V
BE
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
25C
Ta=75C
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极电流I
C
（MA ）
–160
–25C
–120
–80
–40
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
600
V
CE
= –10V
160
V
CB
=–10V
Ta=25C
f
T
— I
E
8
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（兆赫）
140
120
100
80
60
40
20
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
100
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
–2 –3 –5
–10
–20 –30 –50 –100
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
2
QQ：2881677436 复制
