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XP151A13A0MR
N沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻: 0.1
(最大)
超高速开关
栅极保护二极管内置
SOT - 23封装
功率MOS FET
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
概述
该XP151A13A0MR是一个N沟道功率MOS FET的低
态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地
置,从而节省能源。
为了对付静电,栅极保护二极管被内置。
小型SOT -23封装,使高密度安装成为可能。
特点
低导通电阻:
RDS(ON) = 0.1Ω ( VGS = 4.5V )
RDS(ON) = 0.14Ω ( VGS = 2.5V )
RDS(ON) = 0.25Ω ( VGS = 1.5V )
超高速开关
栅极保护二极管内置
工作电压:
1.5V
高密度安装:
SOT - 23
引脚配置
引脚分配
D
3
u
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
S
D
功能
来源
1
G
2
S
SOT - 23顶视图
等效电路
3
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
20
+8
1
4
1
0.5
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
功耗(注)
通道温度
储存温度
C
C
O
N - 沟道MOS FET
( 1装置内置)
(注) :当在陶瓷PCB实现
462
电气特性
DC特性
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻
(注)
正向转移导纳
(注)
续流保护二极管
正向电压
(注) :脉冲测试期间有效。
| YFS |
Vf
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS(ON)
条件
VDS = 20的Vgs = 0V
VGS =
±
8 , VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4.5V
ID = 0.5A , VGS = 2.5V
ID = 0.1A , VGS = 1.5V
ID = 0.5A , VDS = 10V
如果= 1A , VGS = 0V
0.5
0.075
0.1
0.17
4.2
0.8
1.1
典型值
最大
10
±
10
1.2
0.1
0.14
0.25
Ta=25°C
单位
A
A
V
S
V
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = 10V , VGS = 0V
F = 1 MHz的
条件
典型值
220
120
45
最大
Ta=25°C
单位
pF
pF
pF
u
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 0.5A
VDD = 10V
条件
典型值
10
15
75
65
最大
Ta=25°C
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(通道 - 周边)
符号
RTH ( CH - 一)
条件
实现在陶瓷
PCB
典型值
250
最大
单位
°C
/ W
463
XP151A13A0MR
功率MOS FET
XP151A13A0MR电气特性
漏极电流与漏极/源极电压
4
3.5
3V
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏极电流与栅极/源极电压
4
3.5
VDS = 10V ,脉冲测试
3.5V, 4V, 5V
漏电流: ID( A)
2.5
2
1.5
1
0.5
2V
1.5V
漏电流: ID( A)
3
2.5V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
Ta=125℃
25℃
-55℃
Vgs=1V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
漏/源极电压: Vds的(V )
栅极/源极电压:栅极电压(V )
漏极/源极导通电阻与栅极/源极电压
0.3
0.25
0.2
Id=1A
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏/源通态电阻与漏电流
1
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
u
Vgs=1.5V
2.5V
0.15
0.5A
0.1
4.5V
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
0.01
0
1
2
3
4
栅极/源极电压:栅极电压(V )
漏电流: ID( A)
漏/源通态电阻与环境温度。
0.3
脉冲测试
栅/源截止电压变异与环境温度。
0.4
VDS = 10V ,ID = 1毫安
栅/源截止电压差异
:栅极电压(关)方差(V )
150
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
0.25
Id=0.5A
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
0.2
0.15
Vgs=1.5V
0.1A
0.5A, 1A
2.5V
0.1
0.5A, 1A
0.05
0
-50
4.5V
0
50
100
-50
0
50
100
150
环境温度。 :范围Topr ( ℃ )
环境温度。 :范围Topr ( ℃ )
464
XP151A13A0MR电气特性
电容与漏极/源极电压
1
0000
VGS = 0V , F = 1MHz时, TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时,VDD ≒ 10V , PW = 10μs的, duty≤1 % ,TA = 25 ℃
电容:C (PF )
1000
开关时间: T( NS )
100
TD (关闭)
tf
tr
西塞
100
科斯
10
TD (上)
CRSS
10
0
5
10
15
20
1
0
0.5
1
1.5
2
漏/源极电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅极/源极电压与栅极电荷
5
反向漏电流与源极/漏极电压
反向漏电流: Im额定(A)
4
3.5
3
2.5
2
的Vgs = 0V , -4.5V
4.5V
2.5V
TA = 25 ℃时,脉冲测试
VDS = 10V ,ID = 1A ,TA = 25 ℃
栅极/源极电压:栅极电压(V )
4
1.5V
3
u
2
1.5
1
0.5
1
0
0
2
4
6
8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极/漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻: γS ( T)
1
RTH ( CH-A ) = 250 ℃ / W , (实现在陶瓷PCB )
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW ( S)
465
XP151A13A0MR
功率MOSFET
ETR1119_001
■一般
描述
该XP151A13A0MR是一个N沟道功率MOSFET具有低导通电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置,从而节省能源。
为了对付静电,栅极保护二极管被内置。
小型SOT -23封装,使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本
(蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.1Ω @ VGS = 4.5V
: RDS(ON) = 0.14Ω @ VGS = 2.5V
: RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS = 1.5V
超高速开关
栅极保护二极管内置
驱动电压
: 1.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小型封装
: SOT -23
CON组fi guration
转让
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
S
D
功能
来源
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流
漏电流
(DC)的
(脉冲)
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
20
±8
1
4
1
0.5
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
存储温度范围
*当在陶瓷PCB实现
1/5
XP151A13A0MR
ⅵELECTRICAL
特征
DC特性
参数
排水截止电流
门源漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻* 1
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS ( ON)
条件
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS =
±8V,
VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4.5V
ID = 0.5A , VGS = 2.5V
ID = 0.1A , VGS = 1.5V
正向转移导纳* 1
续流保护二极管
正向电压
| YFS |
Vf
ID = 0.5A , VDS = 10V
如果= 1A , VGS = 0V
分钟。
-
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.075
0.10
0.17
4.2
0.8
马克斯。
10
±10
1.2
0.100
0.14
0.25
-
1.1
T
a = 25℃
单位
μA
μA
V
Ω
Ω
Ω
S
V
* 1脉冲测试期间有效。
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = 10V , VGS = 0V
F = 1MHz的
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
220
120
45
马克斯。
-
-
-
T
a = 25℃
单位
pF
pF
pF
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 0.5A
VDD = 10V
条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
10
15
75
65
马克斯。
-
-
-
-
T
a = 25℃
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(信道环境)
符号
RTH ( CH -A )
条件
实现在陶瓷PCB
分钟。
-
典型值。
250
马克斯。
-
单位
℃/W
2/5
XP151A13A0MR
Typical
PERFOMANCE特性
3/5
XP151A13A0MR
Typical
PERFOMANCE特性(续)
( 11 )标准化过渡热电阻与脉冲宽度
4/5
XP151A13A0MR
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注意提高性能。
咨询我们,或我们的代表
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如果您希望使用的产品状况超出规格下,
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5/5
XP151A13A0MR
N沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻: 0.1
(最大)
超高速开关
栅极保护二极管内置
SOT - 23封装
功率MOS FET
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
概述
该XP151A13A0MR是一个N沟道功率MOS FET的低
态电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地
置,从而节省能源。
为了对付静电,栅极保护二极管被内置。
小型SOT -23封装,使高密度安装成为可能。
特点
低导通电阻:
RDS(ON) = 0.1Ω ( VGS = 4.5V )
RDS(ON) = 0.14Ω ( VGS = 2.5V )
RDS(ON) = 0.25Ω ( VGS = 1.5V )
超高速开关
栅极保护二极管内置
工作电压:
1.5V
高密度安装:
SOT - 23
引脚配置
引脚分配
D
3
u
引脚数
1
2
3
引脚名称
G
S
D
功能
来源
1
G
2
S
SOT - 23顶视图
等效电路
3
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
20
+8
1
4
1
0.5
150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
功耗(注)
通道温度
储存温度
C
C
O
N - 沟道MOS FET
( 1装置内置)
(注) :当在陶瓷PCB实现
462
电气特性
DC特性
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻
(注)
正向转移导纳
(注)
续流保护二极管
正向电压
(注) :脉冲测试期间有效。
| YFS |
Vf
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS(ON)
条件
VDS = 20的Vgs = 0V
VGS =
±
8 , VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4.5V
ID = 0.5A , VGS = 2.5V
ID = 0.1A , VGS = 1.5V
ID = 0.5A , VDS = 10V
如果= 1A , VGS = 0V
0.5
0.075
0.1
0.17
4.2
0.8
1.1
典型值
最大
10
±
10
1.2
0.1
0.14
0.25
Ta=25°C
单位
A
A
V
S
V
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = 10V , VGS = 0V
F = 1 MHz的
条件
典型值
220
120
45
最大
Ta=25°C
单位
pF
pF
pF
u
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 0.5A
VDD = 10V
条件
典型值
10
15
75
65
最大
Ta=25°C
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(通道 - 周边)
符号
RTH ( CH - 一)
条件
实现在陶瓷
PCB
典型值
250
最大
单位
°C
/ W
463
XP151A13A0MR
功率MOS FET
XP151A13A0MR电气特性
漏极电流与漏极/源极电压
4
3.5
3V
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏极电流与栅极/源极电压
4
3.5
VDS = 10V ,脉冲测试
3.5V, 4V, 5V
漏电流: ID( A)
2.5
2
1.5
1
0.5
2V
1.5V
漏电流: ID( A)
3
2.5V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
Ta=125℃
25℃
-55℃
Vgs=1V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
漏/源极电压: Vds的(V )
栅极/源极电压:栅极电压(V )
漏极/源极导通电阻与栅极/源极电压
0.3
0.25
0.2
Id=1A
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏/源通态电阻与漏电流
1
TA = 25 ℃时,脉冲测试
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
u
Vgs=1.5V
2.5V
0.15
0.5A
0.1
4.5V
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
0.01
0
1
2
3
4
栅极/源极电压:栅极电压(V )
漏电流: ID( A)
漏/源通态电阻与环境温度。
0.3
脉冲测试
栅/源截止电压变异与环境温度。
0.4
VDS = 10V ,ID = 1毫安
栅/源截止电压差异
:栅极电压(关)方差(V )
150
漏极/源极导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
0.25
Id=0.5A
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
0.2
0.15
Vgs=1.5V
0.1A
0.5A, 1A
2.5V
0.1
0.5A, 1A
0.05
0
-50
4.5V
0
50
100
-50
0
50
100
150
环境温度。 :范围Topr ( ℃ )
环境温度。 :范围Topr ( ℃ )
464
XP151A13A0MR电气特性
电容与漏极/源极电压
1
0000
VGS = 0V , F = 1MHz时, TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时,VDD ≒ 10V , PW = 10μs的, duty≤1 % ,TA = 25 ℃
电容:C (PF )
1000
开关时间: T( NS )
100
TD (关闭)
tf
tr
西塞
100
科斯
10
TD (上)
CRSS
10
0
5
10
15
20
1
0
0.5
1
1.5
2
漏/源极电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅极/源极电压与栅极电荷
5
反向漏电流与源极/漏极电压
反向漏电流: Im额定(A)
4
3.5
3
2.5
2
的Vgs = 0V , -4.5V
4.5V
2.5V
TA = 25 ℃时,脉冲测试
VDS = 10V ,ID = 1A ,TA = 25 ℃
栅极/源极电压:栅极电压(V )
4
1.5V
3
u
2
1.5
1
0.5
1
0
0
2
4
6
8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极/漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻: γS ( T)
1
RTH ( CH-A ) = 250 ℃ / W , (实现在陶瓷PCB )
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW ( S)
465
产品speci fi cation
XP151A13A0MR-G
功率MOSFET
■一般
描述
该XP151A13A0MR - G是低一个N沟道功率MOSFET的通态电阻和超高速开关
的特点。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地设置,从而节省能源。
为了对付静电,栅极保护二极管被内置。
小型SOT -23封装,使高密度安装成为可能。
■应用
笔记本
(蜂窝
和手提电话
●板载
电源
●锂离子
电池系统
■特点
低通态电阻
: RDS(ON) = 0.1Ω @ VGS = 4.5V
: RDS(ON) = 0.14Ω @ VGS = 2.5V
: RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS = 1.5V
超高速开关
栅极保护二极管内置
驱动电压
: 1.5V
N沟道功率MOSFET
DMOS结构
小型封装
: SOT -23
环保
:欧盟RoHS指令,无铅
配置/
记号
“产品
名字
制品
XP151A13A0MR
SOT-23
SOT-23
订货单位
3,000/Reel
3,000/Reel
1 1 3 x
G:门
S:源
D:漏
XP151A13A0MR-G
(*)
(*)
在“ -G ”后缀表示卤素和无锑以及
是完全符合RoHS标准。
* x表示的生产批号。
●等效
电路
“绝对
最大额定值
TA = 25°
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
信道功率耗散*
通道温度
储存温度
符号额定值单位
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
20
±8
1
4
1
0.5
150
-55~150
V
V
A
A
A
W
*当在陶瓷PCB实现
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
XP151A13A0MR-G
ⅵELECTRICAL
特征
DC特性
参数
排水截止电流
门源漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏源导通电阻* 1
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS ( ON)
条件
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS =
±8V,
VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4.5V
ID = 0.5A , VGS = 2.5V
ID = 0.1A , VGS = 1.5V
正向转移导纳* 1
续流保护二极管
正向电压
| YFS |
Vf
ID = 0.5A , VDS = 10V
如果= 1A , VGS = 0V
分钟。
-
-
0.5
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.075
0.10
0.17
4.2
0.8
马克斯。
10
±10
1.2
0.100
0.14
0.25
-
1.1
T
a = 25℃
单位
μA
μA
V
Ω
Ω
Ω
S
V
* 1脉冲测试期间有效。
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
VDS = 10V , VGS = 0V
F = 1MHz的
条件
分钟。
-
-
-
典型值。
220
120
45
马克斯。
-
-
-
T
a = 25℃
单位
pF
pF
pF
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 0.5A
VDD = 10V
条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
10
15
75
65
马克斯。
-
-
-
-
T
a = 25℃
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(信道环境)
符号
RTH ( CH -A )
条件
实现在陶瓷PCB
分钟。
-
典型值。
250
马克斯。
-
单位
℃/W
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2 2
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    -
    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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XP151A13A0MR
TOREX/特瑞仕
21+
16800
SOT
全新原装正品/质量有保证
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XP151A13A0MR
TOREX/特瑞仕
24+
68500
SOT-23
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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TOREX
21+
50000
SOT23
只做原装实单申请
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1820
8960
PBF
公司现货!欢迎咨询。假一赔百支持发货。
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XP151A13A0MR
TOREX/特瑞仕
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SOT-23
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SOT23-3
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SOT-23
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XP151A13A0MR
QUANTUM
1905+
35750
SOT23-3
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
XP151A13A0MR
-
2024
20918
SOT-23
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