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XC61A系列
低电压检测器( 0.8V 2.0V )
HP010199
x
CMOS
x
微型模具套餐
x
高精度
±2%
(±1%)
x
低功耗典型值1.0μA 。
(V
IN
=2V )
s
应用
q
微处理器复位电路
q
内存备用电池电路
q
上电复位电路
q
电源故障检测
q
系统电池寿命和充电电压监视器
s
概述
该XC61A是采用CMOS高精度检测仪系列制造
和激光微调技术。
该系列产品是非常准确的,并提供标准电压源低功耗
consumption.The系列由滞后,输出驱动器,以及线性的
其特征在于延迟电路,用一个比较器一起。检测电压
极其精确以最小的温度漂移。 CMOS和N-
沟道开漏输出配置可供选择。
结合上述功能中的一个单一的,小型模压封装,所述
XC61A系列提供显著节省空间和高密度安装,
适用于便携式产品中。
s
特点
高精度:
检测电压
±2%
(对于半定制产品±1%)
低功耗:
Typ.1.0μA (V
IN
=2V)
可选检测电压:
0.8V 2.0V以0.1V为单位。
工作电压:
从0.7V 6.0V 。
温度特性:
典型值± 100ppm的/ :
输出CON组fi guration :
N沟道开漏输出或CMOS
超小型封装:
SOT- 23 ( 150毫瓦)微型模具和SOT- 89 ( 500毫瓦)
小功率模
s
引脚配置
V
IN
s
引脚分配
引脚数
引脚名称
SOT-23
3
2
SOT-89
2
3
1
V
IN
V
SS
V
OUT
电源电压输入
产量
功能
3
1
V
OUT
2
V
SS
1
V
OUT
2
V
IN
3
V
SS
1
SOT-23
( TOP VIEW )
SOT-89
( TOP VIEW )
s
框图
( 1 ) CMOS输出
V
IN
s
绝对最大额定值
参数
输入电压
V
OUT
TA = 25 :
评级
9
单位
V
V
mA
符号
V
IN
V
OUT
I
OUT
输出电压
V
REF
V
SS
( 2 ) N沟道开漏输出
V
IN
V
OUT
V
SS
-0.3 ~ V
IN
+0.3
50
150
输出电流
SOT-23
连续总
功耗
Pd
SOT-89
500
TOPR
TSTG
–30 ~ +80
–40 ~ +125
mW
工作环境温度
V
REF
:
:
储存温度
V
SS
q
-1
4
s
电气特性
参数
检测电压
迟滞范围
电源电流
符号
V
DF
V
HYS
I
SS
V
IN
=1.5V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
V
DF
=0.8~2.0V
N
C
H V
DS
=0.5V
V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
P
C
H V
DS
=3.9V
V
IN
=6.0V
( CMOS输出)
–30:≤T
OPR
≤80:
0.7
0.35
2.2
–7.5
±
100
0.2
条件
V
DF
!0.98
!0.02
典型值
V
DF
V
DF
!0.05
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
最大
V
DF
!1.02
!0.08
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
6.0
TA = 25 :
单位
V
V
A
工作电压
V
IN
V
输出电流
I
OUT
mA
温度特性
延迟时间(释放电压
产量
反转)
V
DF
/(
ΔTopr
V
DF
)
t
DLY
(V
DR
V
OUT
反转)
PPM
/:
ms
注: 1。有1 %的产品检测电压(V
DF
)准确度是半定制产品。
2,一种附加的电阻器,连接在V之间
IN
引脚和电源电压可能导致在特性的改变是由于增加的值
V的
DR
.
s
使用注意事项
其中,电阻( RIN )连接VIN和功率之间
供应,使用N沟道开漏配置。
为了防止振荡,请确保RIN = 1kΩ的或更少
和C = 0.1μF以上。
s
功能说明
下面的代号
Q -Y
请参考下面的时序图:
q当
输入电压(V
IN
)比检测电压较高(Ⅴ
DF
)
水平,在V输出
OUT
销等于V
IN 。
(高阻抗的存在
与N沟道开漏输出配置) 。
w当
输入电压(V
IN
)低于检测电压(V
DF
)
电平时,输出电压(V
OUT
)等于接地电压(V
SS
)
的水平。
E完成
输入电压(V
IN
)低于最小工作
电压(V
)电平时,输出将变得不稳定。在这种条件下,如果
有一个输出上拉,V
IN
将成为输出。
rWhen
输入电压(V
IN
)上升到高于接地电压Vss
电平,输出不稳定的地面之间的电压(V
SS
)
水平和最低工作电压(V
)的水平。之间的
V
和V
DR
水平接地电压( Vss的)电平被保持。
tWhen
输入电压(V
IN
)上升到大于检测释放电压
(V
DR
)电平时,输出在V
OUT
销等于V
IN
。 (高阻抗
与N沟道开漏输出配置存在) 。
yThe
V之间的区别
DR
和V
DF
代表着滞后
范围内。
R
IN
XC61AN系列
V
IN
V
OUT
V
SS
C
图:电路的输入电阻连接。
s
时序图
6
输入电压(V
IN
)
检测释放电压(V
DR
)
检测电压(V
DF
)
最低工作电压(V
)
接地电压(V
SS
)
输出电压(V
OUT
)
接地电压(V
SS
)
1
2
3
4
5
5
q
-2
XC61A系列
s
订购信息
XC61Axxxxxxx
A B CDE F
低电压检测器( 0.8V 2.0V )
代号
a
描述
输出CON组fi guration
C = CMOS输出
N = N沟道开漏
检测电压
e.g.08=0.8V
11=1.1V
输出延迟
标准产品没有延迟。
0 =无延迟(标准产品)
其中定制产品
客户指定的延迟时间
是可用的。
代号
d
描述
检测精度
1 = ±1%(半-custom产品)
2=±2%
套餐类型
M=SOT-23
P=SOT-89
T=TO-92
设备方向
R =压纹带
(设备的方向:右)
L =卷带
(设备的方向:左)
H =纸胶带( TO- 92 )
B =袋( TO- 92 )
b
e
c
f
s
记号
q
配置和检测电压的积分数
标志配置电压( V)指示符配置电压( V)
2
4
A
1
2
3
4
1
3
CMOS
CMOS
CMOS
0.
w
1.
w
2.
w
K
L
M
N沟道
N沟道
N沟道
0.
w
1.
w
2.
w
B
C
SOT-23
( TOP VIEW )
SOT-89
( TOP VIEW )
w
的检测电压小数点
代号电压( V)指示符电压( V)
0
1
2
3
4
q.
0
q.
1
q.
2
q.
3
q.
4
e
输出的延迟时间
代号
0
DELAY TIME (
ms
)
无延迟
注:符号“0”是为标准的规范。
5
6
7
8
9
q.
5
q.
6
q.
7
q.
8
q.
9
r
大会批号
根据内部标准
q
-3
6
XC61A系列
一般的电压检测器( 2.1V 6.0V )
HP010199
x
CMOS
x
微型模具套餐
x
高精度:
±2%
(±1%)
x
低功耗典型值1.0μA 。
(V
IN
=2V )
s
应用
q
微处理器复位电路
q
内存备用电池电路
q
上电复位电路
q
电源故障检测
q
系统电池寿命和充电电压监视器
s
概述
该XC61A是采用CMOS高精度检测仪系列制造
和激光微调技术。
该系列产品是非常准确的,并提供标准电压源低功耗
consumption.The系列由滞后,输出驱动器,以及线性的
其特征在于延迟电路,用一个比较器一起。检测电压
极其精确以最小的温度漂移。 CMOS和N-
沟道开漏输出配置可供选择。
结合上述功能中的一个单一的,小型模压封装,所述
XC61A系列提供显著节省空间和高密度安装,
适用于便携式产品中。
s
特点
高精度:
检测电压
±2%
(对于半定制产品±1%)
低功耗:
Typ.1.0μA (V
IN
=2V)
可选检测电压:
范围2.1V 6.0V以0.1V为单位。
工作电压:
从0.7V 10.0V 。
温度特性:
典型值± 100ppm的/ :
输出CON组fi guration :
N沟道开漏输出或CMOS
超小型封装:
SOT- 23 ( 150毫瓦)微型模具SOT- 89 ( 500毫瓦)
小功率模
* TO- 92 ( 300mW的)包也可以。 (为了计算)
s
引脚配置
V
IN
s
引脚分配
引脚数
引脚名称
SOT-23
3
2
SOT-89
2
3
1
V
IN
V
SS
V
OUT
电源电压输入
产量
功能
3
1
V
OUT
2
V
SS
1
V
OUT
2
V
IN
3
V
SS
1
SOT-23
( TOP VIEW )
SOT-89
( TOP VIEW )
s
框图
( 1 ) CMOS输出
V
IN
s
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
符号
V
IN
V
OUT
I
OUT
评级
12
V
SS
–0.3 ~ V
IN
+0.3
50
150
P
d
SOT-89
T
OPR
T
英镑
500
–30 ~ +80
–40 ~ +125
TA = 25 :
单位
V
V
mA
V
OUT
V
REF
V
SS
( 2 ) N沟道开漏输出
V
IN
V
OUT
输出电流
SOT-23
连续总
功耗
mW
工作环境温度
V
REF
:
:
储存温度
V
SS
7
q
-4
XC61A系列
s
电气特性
参数
检测电压
迟滞范围
电源电流
符号
V
DF
V
HYS
I
SS
一般的电压检测器( 2.1V 6.0V )
TA = 25 :
条件
V
DF
!0.98
!0.02
V
IN
=1.5V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
V
DF
=2.1~6.0V
N
C
H V
DS
=0.5V
V
IN
=1.0V
=2.0V
=3.0V
=4.0V
=5.0V
N-
C
H V
DS
=2.1V
V
IN
=8.0V
( CMOS输出)
-30:≤T
OPR
≤80:
0.7
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
–10.0
±
100
0.2
PPM / :
ms
典型值
V
DF
!0.05
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
最大
V
DF
!1.02
!0.08
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
10.0
单位
V
V
A
工作电压
V
IN
V
输出电流
I
OUT
mA
温度特性
延迟时间(释放电压
产量
反转)
ΔVDF /
(
ΔTopr
VDF )
t
DLY
(V
DR
V
OUT
反转)
注: 1。有1 %的产品检测电压(V
DF
)准确度是半定制产品。
2.一个附加电阻器连接在所述输入电压端子和电源电压之间可能引起的特性改变是由于增加的值
V的
DR
.
s
使用注意事项
其中,电阻( RIN )连接VIN和功率之间
供应,使用N沟道开漏配置。
为了防止振荡,请确保RIN = 1kΩ的或更少
和C = 0.1μF以上。
s
功能说明
下面的代号
Q -Y
请参考下面的时序图:
q当
输入电压(V
IN
)比检测电压较高(Ⅴ
DF
)
水平,在V输出
OUT
销等于V
IN 。
(高阻抗的存在
与N沟道开漏输出配置) 。
w当
输入电压(V
IN
)低于检测电压(V
DF
)
电平时,输出电压(V
OUT
)等于接地电压(V
SS
)
的水平。
E完成
输入电压(V
IN
)低于最小工作
电压(V
)电平时,输出将变得不稳定。在这种条件下,如果
有一个输出上拉,V
IN
将成为输出。
rWhen
输入电压(V
IN
)上升到高于接地电压Vss
电平,输出不稳定的地面之间的电压(V
SS
)
水平和最低工作电压(V
)的水平。之间的
V
和V
DR
水平接地电压( Vss的)电平被保持。
tWhen
输入电压(V
IN
)上升到大于检测释放电压
(V
DR
)电平时,输出在V
OUT
销等于V
IN
。 (高阻抗
与N沟道开漏输出配置存在) 。
yThe
V之间的区别
DR
和V
DF
表示滞后范围。
R
IN
XC61AN系列
V
IN
V
OUT
V
SS
C
图:电路的输入电阻连接。
s
时序图
6
输入电压(V
IN
)
检测释放电压(V
DR
)
检测电压(V
DF
)
最低工作电压(V
)
接地电压(V
SS
)
输出电压(V
OUT
)
接地电压(V
SS
)
1
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q
-5
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数量
封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    XC61AC1901PR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
XC61AC1901PR
TOREX
2013+
86000
SOT-89
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507169 复制

电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
XC61AC1901PR
TOREX
22+
30000
SOT-89
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
XC61AC1901PR
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10158
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