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24.0-34.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年4月 - 修订版17 -APR- 07
P1023-BD
芯片设备布局
特点
优秀的饱和输出级
16.0分贝小信号增益
24.0 dBm的饱和输出功率
100 %的晶片RF , DC和输出功率测试
100 %目视检查,以MIL -STD- 883
方法2010
XP1023-BD
概述
MIMIX宽带的三级24.0-34.0 GHz的砷化镓
MMIC功率放大器具有16.0的小信号增益
分贝与24.0 dBm的饱和输出功率。这
MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs PHEMT
设备模型的技术,和基于电子
束光刻技术以确保高重复性和
均匀性。该芯片具有表面钝化保护
并提供了坚固的部分与通孔背面
和镀金,让无论是导电
环氧或共晶焊料芯片粘接工艺。这
装置非常适用于毫米波
点至点收音机, LMDS , SATCOM和VSAT
应用程序。
绝对最大额定值
电源电压( VD)
电源电流(ID)
栅极偏置电压( VG)
输入功率(Pin )
存储温度( TSTG )
工作温度(Ta )
通道温度( TCH)
9.0伏
650毫安
+0.3 VDC
17.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
( 1 )信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性(环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围( F)
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
小信号增益( S21 )
增益平坦度( S21 )
反向隔离( S12 )
饱和输出功率( PSAT )
漏极偏置电压( Vd1,2,3 )
栅极偏置电压( Vg1,2,3 )
电源电流( ID)( VD = 6.0V , V G = -0.9V典型)
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
24.0
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
典型值。
-
8.0
8.0
16.0
+/-1.0
50.0
+24.0
+6.0
-0.9
320
马克斯。
34.0
-
-
-
-
-
-
+8.0
0.1
480
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页6
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
24.0-34.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年4月 - 修订版17 -APR- 07
P1023-BD
功率放大器的测量
S21
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率(GHz )
S12
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率(GHz )
S11
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率(GHz )
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
S22
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率(GHz )
噘嘴VS频率,引脚= -10 10dBm的
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
频率(千兆赫)
的Pout ( dBm的)
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第2 6
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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功率放大器
2007年4月 - 修订版17 -APR- 07
P1023-BD
1.222
(0.048)
1.556
(0.061)
2.420
(0.095)
机械制图
1.145
(0.045)
2
3
4
0.673
(0.027)
1
XP1023-BD
5
8
0.0
0.315
(0.012)
0.0
7
6
2.550
(0.100)
0.415
(0.016)
0.790
(0.031)
1.461
(0.058)
(注:工程代号是28MPA0304 )
单位:毫米(英寸)粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度: 0.110 +/- 0.010 ( 0.0043 +/- 0.0004 ) ,背面是地面,邦德垫/背面金属:黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 ( 0.004 X 0.004 ) 。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 ( 0.004 X 0.008 )
接合焊盘的中心大约0.109 ( 0.004 ),从芯片的边缘。
切割公差: +/- 0.005 ( +/- 0.0002 ) 。大约重量: 1.810毫克。
焊盘# 1 ( RF输入)
焊盘# 2 ( Vd1的)
焊盘# 3 ( Vd2的)
焊盘# 4 ( Vd3的)
焊盘# 5 ( RF输出)
焊盘# 6 ( VG3 )
焊盘# 7 ( VG2 )
焊盘# 8 ( VG1 )
偏置安排
Vd1,2,3
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
2
3
4
在RF
1
XP1023-BD
5
8
7
6
RF OUT
Vg1,2,3
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
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应用笔记[1]偏置
-
建议单独地偏置每个放大器级Vd1的通过Vd3的在Vd的(1,2,3) = 6.0V同为Id1 = 50mA时
ID2 = 90毫安和ID3 = 180毫安。单独的偏置,建议如果放大器是在高水平饱和度,其中栅极的情况下使用
精馏将改变有效栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调节
公共栅极电压,总漏极电流Id (总) = 320毫安。此外,还建议使用有源偏置,以保持电流
恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压
和功耗的限制,偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器,具有一个低
串联地用于感测电流的漏极供给值电阻。所述的pHEMT的栅极进行控制,以保持正确的漏极
电流,因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.9V 。典型地,栅极保护用硅二极管
以限制所施加的电压。此外,请确保测序所施加的电压,以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
应用笔记[2]偏置安排
-
对于平行级的偏置(推荐用于一般应用) - 等同于个人级的偏置,但所有的漏或栅焊盘DC
旁路电容器(一零零零年至2200年pF)时,可结合使用。附加DC旁路电容( 0.01 UF)也建议所有的DC或
直流偏置垫组合(如果门或排水渠连接在一起) 。
对于个人级的偏置(推荐饱和的应用程序) - 每个DC垫( VD1, 2 , 3和VG1 , 2 , 3 )需要有直流旁路
电容(一〇〇〇年至2200年pF)时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容( 0.01 UF)还建议。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
176.3度摄氏
204.0度摄氏
231.1度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
63.8
°
C / W
67.8
°
C / W
71.6
°
C / W
9.79E+06
9.32E+05
1.21E+05
1.02E+02
1.07E+03
8.30E+03
偏置条件:
VD1 = Vd2的= = Vd3的6.0V ,ID1 = 50毫安,ID2 = 90 mA时, ID3 = 180毫安
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设备原理图
R = 7.5欧姆
Vd1
R = 2.5欧姆
Vd3
Vd2
R = 15欧姆
R = 10欧姆
R = 7.5欧姆
R = 10欧姆
R = 7.5欧姆
3
3
2
4
1
4
2
1
3
2
4
RFIN
R = 25欧姆
1
RFOUT
R = 25欧姆
R = 25欧姆
R = 5欧姆
R = 50欧姆
R = 50欧姆
R = 50欧姆
R = 50欧姆
R = 50欧姆
R = 50欧姆
VG1
VG2
VG3
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